Электроника

ТОЛСТЫЕ ПЛЕНКИ, используемые в микроэлектронике твёрдые слои толщиной не менее Э—5 мкм. Эта граница является весьма условной, т. к. различие между Т. п. и гонкими плёнками определяется не столько толщиной, сколько технологией изготовления: Т. п. обычно получают из паст методом трафаретной печати (сеткографии) с последующей термообработкой (см. Толстоллёночиая технология). В состав паст для Т. п. входят функцион. материалы (порошки металле, стекла), определяющие электропроводность Т. п., а также органич. связующие в-ва. Функцион. материалы вводят в пасту в виде мелких ч-ц с макс, размером ие св. 5 мкм. Т. п. представляют собой гетерогенные иву л оря доменные системы, физ. (в частности, электрич.) св-ва к-рых сильно зависят от природы матрицы и наполнителя, распределения размеров и формы диспергированных ч-ц; поэтому теоретич. расчёт св-в Т. п. затруднителен.
По своему назначению Т. п. (и соответствующие пасты) подразделяются нв проводящие, реэистивные и изолирующие (диэлектрические). Проводящие Т. п. имеют поверхностное сопротивление 0,002—0,1 Ом/нв (ом на квадрат) в зависимости от состава пасты и толщины слоя. Помимо высокой проводимости проводящие Т. п. должны обладать хорошей адгезией с подложкой (обычно керамической), способностью к соединению посредством пайки, термокомпрессии или УЗ сверим; обеспечивать возможность нанесения тонких линий; быть технологически совместимыми с применяемыми резистивиыми и изолирующими пастами. Этим условиям удовлетворяют проводящие пасты на основе Pd — Au, Pt — Au, Pd — Ag, In. Реэистивные Т. п. имеют поверхностное сопротивление 10—Ю*' Ом/ив, темп-рный коэф. сопротивления ±(25—300)«Ю-* К"1 (в рабочем диапазоне темп-р от —55 до +125 "С). В качестве функцион. материалов для резистивных паст используют Au, Ag, Pt, а также оксиды и нитриды Та, Pd, Re и др. Доводка сопротивления Т. п. до номинала осуществляется путём лазерной подгонки (прорезания в резисторе щелей и пазов). Диэлектрические Т. п. используются для изоляции элементов ИС, а твкже в конденсаторах. Функцион. материалы — BaTiOj, стекло и др. Широкое использование Т. п. в совр. микроэлектронике для изготовления ИС малой и ср. степени интеграции обусловлено рядом преимуществ: простотой изготовления ИС; мвлой стоимостью и трудоёмкостью; непродолжительностью производств, цикла. Недостатки — большие размеры ИС, меньшая точность воспроизведения номинальных значений по сравнению с тонкими плёиквми. Для устранения этих недостатков разрабатываются новые трафаретные пасты, позволяющие осуществлять фотолитографии, обработку .