ТОЧЕЧНЫИ ТРАНЗИСТОР, биполярный транзистор, в к-ром области эмиттера и коллектора расположены в одной плоскости под прижимными точечными контактами (между металлич. заострёнными проволочными электродами и поверхностью полупроводниковой пластины). Линейные размеры точечных контактов составляют неси, микрон, а расстояние между ними — порядка десятков микрон. В Т. т. переход неравновесных носителей заряда (дырок), инжектируемых эмиттером в базовую область, представляет собой дрейф зарядов в электрич. поле (создают напряжением порядка 1 В, приложенным между эмиттером и бвэой). При достаточной диффузионной длине дырок (порядка 10— см и более) значительная их часть «втягивается» в область коллектора под действием электрич. поля, создаваемого напряжением, приложенным между коллектором и базой (десятки В). При малых напряжениях на коллекторе (<5 В) Т. т. теряет работоспособность вследствие рекомбинации неосновных носителей заряда во всём объёме базы (в отличие от плоскостного транзисторе). Т. т. характеризуется дополнит, усилением по току вблизи коллекторного перехода, и-рое обусловлено увеличением концентрации эл-нов в базе вследствие захвата дырок электрич. полем коллектора (uZ>1) и как бы положительной обратной связью между цепями эмиттера и коллектора, к-рая при отсутствии во внеш. цепях токоограничивающих сопротивлений приводит к лавинному электрическому пробою.