Электроника

ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ, проникновение микрочастицы сквозь потенциальный барьер в случае, когда ее полная энергия меньше высоты барьера. Т. э. — явление существенно квантовой природы, не имеющее аналога в классич. механике. Он интерпретируется иа основе неопределённости принципа (см. также Квантовая механика). Вследствие соотношения неопределенностей фиксация микрочастицы в пространств, области внутри барьера делает неопределённым её импульс. Поэтому имеется отличная от нуля вероятность обнаружить микрочастицу внутри запрещённой с точки эреиия классич. механики области. Соответственно появляется определенная вероятность прохождения ч-цы сквозь лотенц. барьер (ее туннелирования). Эта вероятность тем больше, чем меньше масса микрочастицы, чем уже лотенц. барьер и чем меньше разность между высотой потеиц. барьера и энергией ч-цы.
Т. э. лежит в основе мн. важных процессов в атомной и молекулярной физике, в физике атомного ядра, твёрдого тела и т. д. Примерами проявлений Т. э. могут служить аатоэлектрон на я эмиссия, явления в контактном слое на границе двух ПП (см. Контактные явления. Полупроводниковый переход). Т. э. лежит в основе работы туннельных диодов, туннельных транзисторов.