ФОТОРЕЗИСТ, резист, чувствительный к оптич. излучению видимой или УФ области. Наибольшее распространение получили органич. Ф., представляющие собой р-р в органич. растворителе либо светочувствит. полимера, либо неполимерного светочувствит. соединения и плёнкообразующего полимера. Толщина светочувствит. слоя, сформированного из Ф. в процессе фотолитографии (см. Литография), обычно составляет 0,5—2,5 мкм. Из негативных распространены Ф. нв основе сеисибилизир. поливинилового спирта, поливинилциннамата, поливинилдиаллилфта-лата, циклополиизопрена или полиэпоксибутадиена с би-сарилазидами. Изготовление позитивных Ф. основано иа использовании о-диазокетонов в композиции с феноль-иыми и др. смолами.
Область спектральной чувствительности большинства Ф охватывает диапазон 350—450 нм; необходимая экспозиция составляет 50—500 мДж/см^; показатель изменения относит, стойкости Ф. в проявляющей среде после экспонирования обычно лежит в пределах 10—101. Разрешающая способность Ф- составляет от иеск. сотен до неск. тыс. мм , причём позитивные Ф. имеют, как правило, более высокую разрешающую способность, чем негативные. Критерий мик-родефектиости для лучших Ф. 0,05—1,0 см . Ф. стойки в разбавленных кислотах и кратковременно устойчивы в сильных неокис л яющих кислотах. Ряд Ф. устойчив в щелочных р-рах, нек-рые — в условиях ионной бомбардировки и плазмохим. газофвзиого травления в неокислит, среде. Ф., как правило, нестойки в присутствии окислителей, что используется для их удаления.
По сравнению с др. резистами Ф. наиболее широко применяются в микроэлектронике при создании интегральных схем, запоминающих устройств и т. д. Перспективно применение Ф., чувствительных к коротковолновому УФ излучению (Х<[300 н), что позволит формировать в слое Ф. изображения с размерами элементов менее 1 мкм.
Фоторезист