Электроника

Ядерное   излучение, сильнопроникающие потоки частиц (электронов, позитронов, протонов, нейтронов, ядерных осколков и т. д.) и гамма-квантов, образующихся при ядерных превращениях. В практике фиэ- исследований источниками мощного Я. и. служат ядерные реакторы, слабого — препараты, содержащие искусств, радиоактивные элементы.
При взаимодействии с в-вом Я. и. способно существенно изменять его физ. св-ва. В твёрдых телах Я. и. вызывает разл. радиац. повреждения (дефекты). Тяжёлые ядерные ч-цы, проходя через в-во, выбивают атомы из узлов крист. решётки, перемещая их в междоузлия.   Так   образуются   дефекты   кристаллов   типа   викенсия + атом в междоузлии. При достаточно большой дозе облучения крист. тело может перейти в аморфное состояние. При захвате нейтронов ядрами возникает искусств, радиоактивность облучённого образца (мишени); по спектрам излучения можно проводить радиац. хим. анализ мишеии. Потоки быстрых эл-нов энергией св. 1 МэВ также способны создавать дефекты типа вакансия -+- атом в междоузлии. При энергиях меньших 1 МэВ потери эл-ноа обусловлены возбуждением и ионизацией атомов и молекул мишени. Осн. процессом при поглощении в-вом гамма-излучения является фотоионизация атомов и образование быстрых фотоэл-нов (см. Фотоэффект). Последние теряют свою энергию на ионизацию и возбуждение атомов мишени, как и при облучении быстрыми эл-нами, с той, однако, разницей, что у-кванты проникают иа значительно ббльшую глубину, чем быстрые эл-ны с той же энергией.
Облучение кремния потоками медленных нейтронов и радиац. превращение aeSi—» J<iP используется для однородного легирования кремния фосфором. Я. и., связанное с естеств. радиоактивностью, может вызвать ложное срабатывание в больших ИС. Вообще все электронные приборы испытывают ухудшение (деградацию) параметров в реэультате длит, воздействия относительно слабых Я. и. или кратковременного воздействия мощного Я. и.