Электроника

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ   ТРАНЗИСТОР, транзистор, в
к-ром допустимое обратное напряжение коллекторного перекода (для биполярного транзистора) или перехода сток — канал (для полевого транзистора) не менее 200 В. По конструктив но-техно л огич, особенностям различают высоковольтные меэапланарные и пленарные транзисторы. В меэапланарных В. т. коллекторный переход или переход между стоком и каналом (т. н. высоковольтный переход, ВП) имеет мдеаструктуру. В качестве исходного ПП материала для изготовления В. т. используют в основном высокоомные «щвмокрист. Si и кремниевые эпитакснальные структуры с проводимостью п-типа. Допустимое обратное напряжение ВП ограничено, как правило, напряжением пробоя этого перехода на поверхности ПП, поскольку напряжение объёмною пробоя перехода существенно больше. Поверхностный пробой ВП для меэапланарных В. т. связан в основном с наличием подвижных зарядов на поверхности ПП пластины, а для планарных В. т.—еще и с искривлением границы перехода вблизи его выхода на поверхность. Чтобы повысить допустимое обратное напряжение ВП, исключают условия возникновения поверхностного пробоя за счёт значит, уменьшения электрич. поля у границы ВП на поверхности ПП. При изготовлении меэапланарных В. т., используя методы мехаиич. обработки или травления, уменьшают (угол пересечения границы ВП с поверхностью ПП пластины (создают «обратную фаску») и тем самым увеличивают ширину области пространств, заряда на её поверхности. В планарных В. т. высокое значение пробивного напряжения обеспечивают созданием расширенного метвл-лич. контакта, к-рый расположен над высокоомной частью ВП вблизи от выхода его границы на поверхность ПП пластины, или созданием глубокого диффузионного мрльца по периферии ВП, к-рое позволяет увеличить мин. радиус кривизны у выхода границы р—п-пере-хфда на поверхность ПП пластины. Однако наиболее эффективным методом повышения пробивного напряжения ВЛ (до напряжения объёмного пробоя) в планарных В. т. яеляется метод создания делит, колец, к-рый заключается в том, что на поверхности ПП пластины на определенном расстоянии от ВП одновременно с ним обязуют (диффузией) кольцевые переходы с аналогичным «определением примесей. Прн подаче напряжения на ВП, ласть пространств, заряда у его поверхности увеличивается до границы области пространств, заряда первого црльца, что ограничивает увеличение электрич. поля медеду переходом н кольцом и вызывает рост пространств, эдрлда с внеш. стороны первого кольца. Устанавливая стрЧ>го определённые расстояния между делит, кольцами, ограничивают напряжённость электрнч. поля на поверх-чфсти ПП пластины.
По функцион. назначению В. т. предназначены гл. обр. для работы в ключевом режиме, т. е. являются переключательными транзисторами. Мощные В. т. (см. Мощным транзистор) широко применяют в совр. бытовой и пром. электронике, и прежде всего в устр-вах отклонения электронного пучка, в импульсных модуляторах, в источниках вторичного электропитания, в электронных системах зажигания, в станках с числовым программным управле-фюм и др.