ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ И СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ РЕЗИСТОРЫ, остоянные резисторы с ничтожно малыми собственными ёмкостью и индуктивностью, предназначенные для использования в радио техн. и электронной аппаратуре, работающей на частотах до 40 ГГц. Применяются в качестве согласующих нагрузок, беэреактив-ных поглотителей, эквивалентов антенн, в аттенюаторах и ответвителях и т. п. В. и с. р. изготовляются в виде дискретных элементов либо в составе ИС. Большинство дискретных В. и с. р. представляют собой диэлектрич. подложку, на к-рую нанесены реэистивные и проводящие (контактные) слои. В зависимости от формы подложки В- и с. р. подразделяются на плоские (шайбовые), цилиндрические и чип-резисторы. В конструкции В. и с. р. мощностью выше 200 Вт предусматривается принудительное воздушное или жидкостное охлаждение.
Особенно важна форма и состав резистивной подложки для В. и с. р. с распределёнными параметрами, используемых в коаксиальных линиях и волноводах. Для обеспечения требуемого темп-рного режима резистор сочленяется с радиатором. На основе дискретных В. и с. р. соз* даются реэистивные структуры в составе СВЧ гибридных ИС. Номинальное сопротивление В. и с. р. от 0,5 до 10* Ом, мощность рассеяния от 0,025 до 5-Ю1 Вт, предельное рабочее напряжение от 70 до 12,5-10* В, рабочая темп-ра
ОТ ----60 ДО + 1 50 "С.
Высокочастотные резисторы