Электроника

ГРАНАТОВАЯ   ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ   СТРУКТУРА.
эпитаксиальная структура, состоящая из немагнитной моно-крист. подложки и одной или неск. тонких магн. плёнок со структурой гранат*. Г. э. с. применяются в ИС как носители информации в устр-вах памяти и логич. устр-ввх, в приборах СВЧ техники, в разл. магнитооптич. устр-ввх. В качестве подложек для Г. э. с используются пластины монокристаллов Gd—Ga, Sm — Ga, Nd—Ga и др. гранатов. Хим. состав материала подложки выбирается в зависимости от хим. состава осаждаемой плёнки (параметры их крист. решёток должны максимально совпадать). Магн. плёнки нарвщиваются ив подложки разл. методами эпитвксии: газотранспортным, гидротермальным или жидко-фвзным, последний наиболее эффективен. С его помощью получают Г. э. с. разл. хим. составов с толщиной маги, слоев от единиц до сотен мкм и плотностью дефектов, близкой к нулевой. Хим. состав выращиваемых ферро-гранвтовых плёнок определяется требуемыми пвраметрами Г. >. с. Для устр-в памяти на ЦМД используют Г- э. с. [напр., (YSmCa)j(FeGe)50jJ, обладающие высокой подвижностью доменной стенки, малой коэрцитивной силой, большим полем одноосной кристаллогрефич. анизотропии, превышающей собственную намагниченность нвсыщения в 2—4 реза; Г. э. с, используемые в магнитооптике (напр., феррогранатовые висмутсодержащие плёнки), имеют высокий коэф. фарадеевского вращения, мвлый коэф. поглощения и высокую магнитооптич. добротность; Г. э. с. для СВЧ техники (напр.. плёнки на основе феррогранате YiFe О >) обладают весьмв высоким уд. электрич. сопротивлением, узкой шириной линий ферромагн. резонанса и большой намагниченностью насыщения.