Электроника

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОКРЫТИЯ в оптике, один или несколько тонких диэлектрич слоев (диэлектрич пленок нанесённых на поверхность прозрачного материала    налр        в    а    для  изменения  коэф   отражения q оптич. излучения от этой поверхности в определенном диапазоне длин волн. Используется для создания диэлектрич. зеркал с высоким значением q (до 99,9%) для оптических резонаторов лаэвров; выделения из падающего излучения волны с заданным направлением поляризации (поляризующие Д. п.) нли с требуемой длиной волны >. (фильтрующие Д. п.), разделения в заданном отношении ннтенснвностей прошедшего и отражённого свете (свето-делительные Д. п.); уменьшения потерь света в оптич. деталях (напр., линзах), обусловленных его отражением от преломляющих поверхностей этих деталей (просветляющие Д. п.) и др.
Действие Д. п. оси. на явлении интерференции волн в тонких пленках. Еслн, напр., Д. п. представляет со* бой один диэлектрич. слой (рис 1) с преломления показателем п и оптич. толщиной, равной h'A, то интерференция световых волн, отражённых от передней (граничащей с воздухом) и задней (граничащей с материалом) границ слоя, приводит к взаимному их ослаблению (уменьшению (?) или усилению (увеличению (>) в зависимости от соотношения между показателями преломления слоя (п) и материала (п,>). Если п<Пц, то отражённые волны при углах падения, близких к нормальному, находятся в протнвофаэе и при интерференции ослабляют друг друга. Наибольшее ослабление происходит при равенстве _отражённых световых потоков, что возможно при п— VW Если п"^»п(1, то отражённые волны имеют одинаковые фазы и усиливают друг друга. Однослойные Д. п. позволяют увеличить q до 20—40%. Для большего изменения у на поверхность наносят много (до 25) чередующихся слоев с высоким м ннэким значениями п (рис 2) В качестве материалов для Д. п. используют оксиды, фториды, халь-когениды металлов. Плёнки наносят на поверхность термич. нли электронно-лучевым испарением в вакууме, осаждением   из   р-ров   легко   гндролиэующихся   соединений   н   др.