Электроника

АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, активное акустозлектронное устройство, предназначенное для усиления акустических волн. Принцип действия А. у. осн. на явлении усиления акустич. воли дрейфующими носителями заряда в твёрдых телах (см. Акустозлектронное взаимодействие). Акустич. волны, подлежащие усилению, возбуждаются в А. у. с помощью электроакустического преобразователя.
Различают А. у. объёмных и поверхностных акустич. волн. В А. у. объёмных акустических воли взаимодействие этих волн с дрейфующими носителями заряда и их усиление происходят в объёме пьезопол у проводника, выполненного обычно в виде пластины. Для возникновения дрейфа носителей заряда  пластине к её торцевым поверхностям прикладывают определённое электрич. напряжение (т. н. дрейфовое напряжение). Для получения усиления акустич. волны св. 10 дБ требуется достаточно высокое дрейфовое напряжение, к-рое при непрерывном режиме работы А. у. вызывает значит, его нагревание, и, следовательно, его разрушение, что обусловливает использование таких усилителей только  импульсном режиме. При работе А. у. в импульсном режиме дрейфовое напряжение подаётся в виде импульсов, длительность к-рых равна времени распространения акустич. волны в зв у копров оде (пьезопол у проводнике) или незначительно превышает его; при этом осуществляется также синхронизация импульсов напряжения с импульсами усиливаемого сигнала. Применение таких А. у. ограничивает импульсный режим их работы.
Среди А. у. поверхностных акустических волн (А. у. ПАВ) наибольшее распростренение получили усилители, выполненные на основе слоистых структур, состоящих   из  пьезоэлектрика  (в   к-ром  распространяется   ПАВ)
и ПП (в к-ром происходит дрейф носителей заряда), разделённых воздушным зазором (рис., а) или тонкой плёнкой диэлектрика (монолитный А. у., рис., б). В таких А. у. взаимодействие ПАВ с дрейфующими носителями заряда происходит в той области ПП кристалла, в к-рую проникает сопровождающее ПАВ перем. электрич. поле. Слоистые структуры позволяют использовать в качестве среды для распространения ПАВ пьезозлектрики с достаточно большим коэф. электромеханической связи (напр., LiNbOi), а для дрейфа носителей заряда — ПП со значит, подвижностью носителей заряда и требуемой проводимостью (напр., InSb). Применение А. у. нв основе слоистых структур обеспечивает эффективное непрерывное усиление ПАВ, а также подавление паразитных сигналов, обусловленных отражением ПАВ от торцов кристалла и от преобразователей. В таких А. у. коэф. усиления достигает 30—60 дБ/см при коэф. шума ~ 10 дБ в частотном диапазоне от 100 до 500 МГц (с полосой пропускания ~ 5—20%).