АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, аморфные вещества, обладающие свойствами полупроводников. Различают ковалентные А. п. — аморфные Ge, Si, Те (a-Ge, a-Si, ^a-Te), ПП соединения типов А В (GaAs, GaP) и А1 В1 (CdS, CdSe); ПП стёкла — халькогенидные (As4nSr,o, GeSe? и др.) и оксидные (V2Ob — BijOi — PjOs н др.), а также си ль но легированные ПП (Si:H, Si:F и др.).
А. л. относятся к классу неупорядоченных систем. Особенности электрофиз. се-в А. п. связаны с их энергетич. спектром эл-нов. Разупорядочениость структуры А. п. (наличие только ближнего порядка) приводит к резмытию краёв разрешённых зон и появлению энергетич. уровней, локализованных состояний, в диапазоне энергий, к-рый в идеальном кристалле соответствует запрещённой зоне. Механизм электропроводности А. п. определяется положением Ферми уровня в области локализованных состояний. При низких темп-pax преобладает прыжковая проводимость, при более высоких — проводимость, обусловленная тепловым забросом эл-нов в область делокализованных состояний. А. п. отличаются от кристаллических низкой подвижностью носителей заряда (4000 см2/В - с в крист. Ge и 0,15 смг/В*с в a-Ge) и малой чувствительностью к легированию (для заметного изменения проводимости требуется концентрация примесей порядка Ю2Г> см-3).
Получают А. п. в условиях, затрудняющих процесс кристаллизации (низкие темл-ры, высокая скорость охлаждения, мощное ионизир. излучение, легирование Н, F, CI, инертными газами). Напр., стёкла изготовляют охлаждением респлава или испарением в вакууме, a-Ge и a-Si — катодным распылением, их газообразных соединений (GeH*, SiH4).
А. п. обладают рядом уникальных св-в, определяющих их практич. применение. А. п. могут переходить из вы-сокоомного состояния в ниэкоомное под действием элект-рич. поля (эффект злектрич. переключения), что позволяет использовать их в качестве пороговых переключателей элементов памяти. Халькогенидные стёкла прозрачны для ИК области спектра и обладают фотопроводимостью, характеризуемой максимумом в определённом интервале длин волн, поэтому их применяют как фоточувствит. среду для оптич. записи информации (в т. ч. голографической) и как материал для световодов и мишеней видиконов. Гидрогенизир. a-Si, в к-ром созданы р — п-переходы, используется в солнечных батареях.
Аморфные полупроводники