ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ, способ нанесения на подложку тонких плёнок металлов, полупроводников или диэлектриков с помощью сфокусированных пучков (лучей) ионов низких энергий (5—100 эВ). При И.-л. о. под действием ионного пучка повышается эффективная темп-pa поверхности конденсации (за счёт рассеивания кинетич. энергии падающих ионов), возрастает десорбция загрязнений, активизируются процессы миграции и хим. взаимодействия атомов осаждаемой фазы и подложки, увеличивается число адсорбционно-активных центров заро-дышеобразования и повышается нетермич. активация поверхности и приповерхностного слоя подложки. Кроме того, благодаря способности ускоренных ионов проникать в тело подложки на глубину неск. атомных слоев реэко увеличивается адгезия осаждаемых пленок к подложке. И.-л. о. позволяет равномерно наносить плёнку на поверхность объёмных тел без сложных перемещений их в пространстве, выращивать эпитаксиальные слои при обычной темп-ре подложки, получать плёнки с высокой плотностью. При торможении ионов в приповерхностном слое подложки или осаждаемом я-ве возникают микрообласти, где течение -^10 " с может развиваться давление до 10Н Па, а темп-pa достигать 100—1000 С, что позволяет получать пленки в-в, ие существующих в свободном состоянии в природе или находящихся при норм, условиях в метастабильном состоянии. И.-п. о. позволяет создавать плёнки с уникальными св-вами. Напр., тонкие плёнки углерода обладают хорошими изоляц. св-вами (у -10й ом-м; t 14), высокой хим. и радиац. стойкостью, повыш. адгезией к резл подложкам. Такие плёнки могут быть использованы в качестве подзатворного слоя МДП-структурах, для обеспечения надежного контакта мощных транзисторов с теплоотводящим радиатором и т д.