ИОННЫИ ПРОЕКТОР (полевой ионный микроскоп), безлинзовый ионно-оптич. прибор для получения увеличенного (в 10"—Ю7 раз) изображения поверхности твёрдого тела. С помощью И. п. можно наблюдать расположение отд. атомов в крист. решётке. Изобретён в 1951 Э. Мюллером (США), к-рый создал электронный проектор. Представляет собой обычно конусообразную стеклянную колбу (рис.), дно к-рой (экран) покрыто слоем люминофора; в центре колбы расположен игольчатый электрод, окружённый др. кольцевым электродом. При создании между электродами разности потенциалов в неск. кВ напряжённость электрич. поля у поверхности острия игольчатого электрода достигает —(2—6) -10е В/см, что вызывает вблизи поверхности острия интенсивную ионизацию атомов (или молекул) газа, заполняющего колбу. Возникающие при этом зл-ны попадают на остриё, а положит, ионы приобретают под действием поля радиальное ускорение, устремляются к экрану и бомбардируют его, вызывая Свечение люминофора; в результате на экране появляется увеличенное световое изображение распределения плотности ионного тока, отражающее структуру поверхности острия. Давление газа в колбе обычно не превышает 0,1 Па. Увеличение, обеспечиваемое И. п., пропорционально расстоянию от острия до экрана и обратно пропорционально радиусу кривизны острия. И. п. широко применяются при исследовании ат. структуры поверхности твёрдых тел из металлов, сплавов и соединений. В сочетании с масс-спектрометром И. п. образует т. и. ат. зонд, к-рый обеспечивает значительно большие, чем И п., возможности для проведения исследований.
Лмг Мюллер Э В Цонг Т Т, Полевая ионная микроскопия, по левая ионимцня и пояс- • мспаренне пар. с англ.. М. 1980.
ИбННЫИ РАЗРЙДНИК. то же, что искровой разрядник. ИОНОРЕЗИСТ, жидкий резисг, чувствительный к воздействию ионов лёгких элементов (Н , Не', О , Аг и др.) с Энергией от 30 кэВ до неск. мэВ; применяется в ионолитографии (см. Литография). Слой, сформированный из И., обычно имеет толщину 0,1—0,6 мкм.
В качестве И. могут использоваться все элекгронорезис-гы и рентгенорезисты. Осн. позитивные И. — производные полиметилметакрилата и полисульфонов; осн. негативные И. — производные полиакрилатов, полистирола, полидиеиов.
Чувствительность И. существенно зависит от массы и энергии экспонирующих иоиоя и обычно на один-два порядка превышает чувствительность тех же материалов при облучении их эл-нами или рентгеновским излучением. Так, чувствительность позитивных И., как правило, составляет 10~~*—10~т Кл см , негативных — 10~"7— 10""* Кл/см*. Разрешающая способность лучших И. достигает 0,1 мкм, при этом возможно получение тонких линий с большой глубиной рельефа. Перспективно применение И- для создания СБИС с высокой степенью интеграции и размерами элементов 0,1—0,3 мкм.
Ионный проектор