Электроника

АНИЗОТРОПИЯ (от греч. anisos — неравный и tropos — направление), зависимость физ. свойств (механич., оптич., магн., электрич. и др.) вещества от направления. Естественная А. — характерная особенность кристаллов. Неанизотропны лишь немногие св-ва кристаллов, напр. плотность и уд. теплоемкость. А. св-в кристаллов тесно связана с их симметрией и проявляется тем сильнее, чем ниже симметрия кристалла. Причина А. кристалла — упорядоченное расположение в них ч-ц, при к-ром расстояние между соседними ч-цами и силы связи между ними различны в раэл. направлениях. А. нек-рых жидкостей, особенно жидких кристаллов, объясняетсв асимметрией и определённой ориентацией молекул.
Поликрист. материалы в целом изотропны. А. св-в в них проявляется под действием упругих напряжений, электрич. и маги полей, теплоаых воздействий и др. Так, при действии на поликрист ферро- и ферримаги. материал направленных механич. напряжений, при его термин, обработке ниже точки Кюри  присутствии магн. поля или терм о-механич. обработке возникает магнитная текстура. Искусственная оптическая А. может возникнуть в изотропных средах под действием электрич. поля (Поккельса эффект, Керра эффект), магн. поля (Фарддея эффект), поля упругих сил (фотоупругость) и др.
На использовании анизотропных св-в в-в основано применение поляроидов, элементов памяти на ЦМД, индикаторов на жидких кристаллах и др.
Лиг Шасиольсмая М. П Очерни о свойствах кристаллов. М., 1976, Кнтталъ Ч Введение  фимку твердого тала, [пер. с англ), м., 197В Сиротин Ю И Шаскольская М. П , Основы кристаллофизики, 7 над М    1979
АНОД (от греч anodos— движение вверх, восхождение) электрод электронного или электротехн. прибора илн устройства (напр., электровакуумного прибора, гвльванич. элемента, электролитич. ваины), характеризующийся тем, что движение электронов во внеш. цепи направлено от него. В электронных приборах А. соединяется с положит   полюсом источника электрич. тока.
Конструктивные особенности и материал А. определяются спецификой его работы в приборе. В электронных лампах и газоразрядных приборах А. (рис.) служит коллектором (приёмником) эл-нов. Его изготовляют из Ni, Mo, Си, графита и др. материалов; при этом А. придают форму, затрудняющую попадание эл-иов (как первичных, так и вторичных) на др электроды. Для уменьшения вторичной электронной эмиссии с А. на его внутр. (обращенную к катоду) поверхность обычно наносят антиэмиссионные покрытия Мощность, выделяемая на А., отводится посредством теплоизлучения, теплопроводности (по элементам крепления), конвекции воздухе (в случаях, когда внод является частью вакуумно-плотной оболочки прибора), а также путём применения систем охлаждения (см. Охлаждение электронных приборов). Для увеличения излучат, способности внеш. поверхность А. покрывают спец. материалами, нередко обладающими к тому же геттерирующими св-вами (напр., производят титанирование или циркони* рование А ).
В рентгеновских трубках А. выполняет ф-ции мишени, при бомбардировке к-рой пучком ускоренных эл-нов возбуждается рентгеновское излучение. Энергия эл-нов на А. преобразуется в рентгеновское излучение (1—'5%), тепло (ок 90%); остальная часть энергии расходуется на образование вторичных эл-нов. Жёсткость возбуждаемого рентгеновского излучения пропорциональна ат. номеру хим. элемента (материала А.). А. рентгеновской трубки изготовляют из тугоплавкого или обладающего большой теплопроводностью металла (напр., W, Мо, Си, Аи, Ад); в большинстве случаев А. охлаждается в процессе работы проточной водой
В электронно-лучевых приборах и электровакуумных СВЧ приборах О-типа А. входит в соствв электронно-оптической системы и служит для создания необходимой конфигурации электрич. поля, обеспечивающего получение заданного тока и формы электронного пучка (о форме А. см. в ст Электронная пушка). В магие-тронного типа приборах А. называют положит, электрод, выполняющий одновременно ф-ции замедляющей системы и коллектора.