Электроника

КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ   МДП-ТРАНЗИСТОРЫ,  два МДП-транзистора, изготовленных в одном кристалле полупроводника, один из к-рых имеет канал с проводимостью л-типа, а другой—р-типа. Отличит, особенностью К. МДП-т является противоположная полярность питающих и управляющих напряжений каждого транзистора, что обеспечивает в статич. режиме сочетание высокого быстродействия (сравнимого с быстродействием МДП-транзистора) и предельно малого потребляемого от источника питания тока. По конструктивно-технологич. особенностям К. МДП-т. являются Пленарными транзисторами. При изготовлении такиж транзисторов в исходной ПП пластине, напр. с проводимостью п-типа, создают МДП-тренэистор с проводимостью канала р-типа, в также область с проводимостью р-типа и более низким уровнем легирования («карман»). Второй МДП-транзистор с проводимостью канвла п-типа создают в этом «кармане». Вокруг каждого МДП-транзистора или группы транзисторов формируют т. н. охранные области с тем же типом проводимости, что и ПП область, в к-рой созданы эти транзисторы, но с более высоким уровнем легирования (рис. 1). Использование охранных областей позволяет устранить утечки тока и паразитные сввэи между МДП-транэисторами.
Наибольшее применение К. МДП-т. нашли в инверторах. Комплементарный   инвертор  (рис.   2)   представляет  собой два МДП-транэистора с иидуцир каналами, работающих в режиме обогащения Входом такого инвертора является объединённый затвор двух МДП-транзисторов, а выходом— объединённые стоки При подаче сигнала любой полярности на вход комплементарного инвертора один из МДП транзисторов всегда закрыт, что обусловливает мин. величину тока, потребляемого от источника питания (равен току нагрузки). К. МДП-т используют также для создания ПП запоминающих устр-в, электронных часов, калькуляторов и др.