Электроника

АРСЕНИЙ  ГАЛЛИЯ, GaAi, химическое соединение типа А В . Тёмно-серые с фиолетовым оттенком крнс теплы, тпл= 1238 °С; в вакууме диссоциирует при 850 С равновесное давление паров мышьяка над расплаво* стехиометрич. состава составляет —-1-105 Па (fnn); плотность 5037 кг/м3; крист. решётка типа сфалерита с периодом 0,56535 им (300 К); молекулярная масса 144,64; коэф термич. линейного расширения 6,0*10~~* град-1 (300 К). Прямозоиный полупроводник с шириной Запрещённой зоны 1,43 эВ (300 К); подвижность электронов 8500 см'-в-'с-1 (300 К), подвижность дырок 450 см-.В-'-с-' (300 К).
В электронном приборостроении А. г. по масштабам использования занимает 2-е место после кремния. В ке-честве исходного материала для выращивания монокристаллов А. г. используются слитки поли крист. А. г., синтезируемые либо в запаянных кварцевых ампулах в условиях строгого контроля давления паров мышьяка в рабочем объёме, либо прямым путём я установках высокого давления под слоем флюса в атмосфере инертного газа при давлении до 7-10* Па. Часто процесс синтеза совмещают с процессом последующего выращивания монокристалла в той же аппаратуре- При этом при выращивании по методу Чохральского не обязательно использование камер высокого давления. Синтез под слоем флюса можно осуществить путём введения в расплавленный галлий паров мышьяка иэ спец. питателя, поддерживаемого при строго фиксированной темп-ре. Осн. методами получения монокристаллов являются: вытягивание по методу Чохральского нз-лод слоя жидкого флюса (борного ангидрида) и горизонтально направленная кристаллизация на ориентированную затравку в кварцевом контейнере, размещаемом в запаянной кварцевой ампуле. Для придания требуемых электрофиэ. св-в в А. г. вводят легирующие примеси: донориые — S, Se, Те; акцепторные — Be, Mg, Cd, Zn, Mn; амфотерные (обычно применяемые в качестве донорных) — Ge, Si. Высокоомный А. г. (с уд. электрич. сопротивлением ~10 Ом-см) получают легированием нонами Fe, Сг. На основе А. г. и его твёрдых р-ров (Ga^iAl^As и Ga,_alniAs) изготовляют полевые транзисторы, БИС и СБИС, дноды Ганнв, лавин-но-пролётные диоды, светодиоды, датчики Холла, приборы с зарядовой связью, высокотемп-рные выпрямит, диоды, ПП СВЧ приборы, сверхбыстродействующие ИС, гетеролаэеры, модуляторы света и др. электронные приборы и устр-ва.