КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, образование кристаллов из вещества а газообразном, жидком (растворы, расплавы),
твёрдом (аморфном либо др. кристаллическом) или в плазменном состоянии. К. представляет собой фазовый переход 1-го рода и происходит в средах, находящихся а метастабильном состоянии. Для К- необходимо нарушение гермодинамич. равновесия в т. н. маточной среде — пересыщение р-ра или пара, переохлаждение расплава и т. п. В-во в пересыщенном (переохлажденном) состоянии может находиться неопределённо долго — до тех пор, пока в маточной среде не появятся зародыши К. (при спонтанной К.) или специально введённая в маточную среду затравка новой фазы (при управляемой К.). Крупные совершенные монокристаллы выращивают на внесённой а маточную среду затравке того же или др. а-ва, сходного по структуре с кристаллизующимся. Условия для К., напр. пересыщение или переохлаждение, создаются путём отклонения темп-ры, концентрации, давления, разности элвкт-рич. потенциалов между фазами от их равновесных значений. В большинстве случаев скорость К. растёт с увеличением отклонения от равновесия-
К. лежит в основе процессов получения ПП, оптич., магн., пьезоэлектрич. и др. материалов, используемых в электронном приборостроении. Их выращивают в виде объёмных, ленточных, нитевидных (вискерсов) монокристаллов, а также тонких (толщиной до 10 нм) эпи-таксиальных слоев (моно- или поликристаллических) на мо-нокрист. ПП или диэлектрич. подложках. Широко используются методы вытягивания из расплава, зонной плавки, направленной К., выращивания кристаллов из газовой фаэы и р-ра в расплаве. Методы выращивания из газовой фазы используются для получения эпитаксиальных моно- и поли-крист. слоев (см. Эпнтаксня) и подразделяются на химические (основаны на реакции восстановления или термич. разложения исходного в-вв) и физические (основаны на конденсации я-еа в вакууме или а среде инертного газа). В большинстве используемых процессов К. получаемые кристаллы имеют примеси и иные дефекты (см. Дефекты кристаллов). Методы глубокой очистки материалов позволяют получать особо чистые кристаллы (содержание примесей не превышает 10— %).
Кристаллизация