Электроника

БИПОЛЯРНАЯ   СТРУКТУРА , упорядоченная совокупность областей с электронной и дырочной проводимостью, сформированных в кристалле полупроводника для создания на нх основе биполярных транзисторов, полевых транзисторов с управляющим переходом н др. полупроводниковых приборов (как дискретных, так и в составе интегральных схем). Б. с. формируют гл. обр. в кристаллах Si h Ge методами пленарной технологии. В созданных на основе Б. с. ИС активными элементами, как правило, служат биполярные и полевые транзисторы. Ф-ции пассивных элементов ИС выполняют компоненты биполярных транзисторов; в качестве диодов и конденсаторов используются р—n-переходы и переходы металл — полупроводник; резисторами служат базовые и коллекторные области.
На основе Б. с. можно реализовать достаточно большой набор ИС, различных по быстродействию, мощности рассеяния, помехоустойчивости и т. п. Наибольшим быстродействием среди ИС на кремниевой Б. с. обладают ИС эмиттерно-свяэвиной транзисторной логики; осн. фактором, ограничивающим быстродействие др. разновидностей ИС, напр. транзисторно-транзисторной логики (ЭСЛ), интегральной инжекционной логики (И Л), инжекцнонно-полевой логики (ИПЛ), является накопление неосновных носителей зарядов в рабочих областях Б. с. В этом заключается принципиальный недостаток Б. с. по сравнению с МДП-структурой. Чтобы уменьшить влияние фактора накопления неосновных носителей заряда на быстродействие биполярных транзисторов, используют ненасыщенный режим их работы или режим ограничения насыщения. Повыш. быстродействие биполярных транзисторов обеспечивается также нх способностью коммутировать большие (по сравнению с МДП-транзисторами) токи (до 10— А), необходимые для заряда паразитных ёмкостей ИС. Однако по плотности компоновки ИС на Б. с. уступают ИС на МДП-структурах из-за наличия элементов изоляции и областей, выполняющих ф-ции резисторов, занимающих значит, часть подложки (кристалла), большого числа контактов и сложности внутрисхемных металлиэир. соединений. Плотность компоновки можно увеличить, если совмещать неск. (два и более) элементов ИС (транзисторов, диодов, резисторов) своими рабочими областями, к-рые по условиям функционирования находятся под одним потенциалом; при этом один и тот же структурный компонент (р—п-переход или диффузионная область) выполняет одновременно неск ф-ций, что позволяет сократить число изолир. областей и упростить внутрисхемные соединения. Наиболее полно такое совмещение ф-ций достигается в ИС И'Л и ИПЛ, в к-рых плотность компоновки достигает неск. тыс. элементов на 1  мм .