МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ЛЕНТА, монокристалл в форме леиты. В электронике применяют М. л. гл. обр. из ПП материалов; из таких лент вырезают или штампуют пластины — подложки для ПП приборов, ИС и др. Получение ПП пластин из М. л. сокращает потери материала, неизбежные при мехаиич. обработке объёмных монокристаллов, однако из-за хрупкости ПП материала не удаётся получить ленту тоньше 0,5 мм. По структуре и электрофиэ. параметрам М. л. близки к объёмным монокристаллам. Известны десятки способов получения М. л. из твёрдой, жидкой и газовой фаз; наиболее широко используются метод Степанова (предложен сов. учёным А. В. Степановым в 1938), «горизонтальный» метод и метод RTR (последние разработаны в 70-х гг. в США). Метод Степанова основан на формировании из расплава ленты и сохранении её формы в жидком состоянии за счёт капиллярного, гравитационного и др. эффектов с последующим отвердением в результате кристаллизации (рис. 1). Сущность «горизонтального» метода состоит в том, что М. л. вытягивается в горизонтальном направлении над краем тигля с расплавом (рис. 2). Метод RTR (англ. ribbon-to-ribbon — от ленты к ленте) основан на преобразовании структуры ПП ленты из поли кристаллической (или дендритной) в моиокристаллическую при зонном плавлении леиты, напр. с помощью лазерного излучения (рис. 3). Указанные методы позволяют получать М. л. толщиной 0,5—2 мм, шириной 10—80 мм и длиной 40—1000 мм.