Электроника

ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТЕЙ, удаление с поверхности изделий реэличных загрязнений в виде пыли, плёнок посторонних веществ, слоя окислов и т. д., составляющих поверхностный слой толщиной 0,001—1 мкм. Методы О. п., применяемые в технологии ИЭТ, по характеру процесса подразделяются на физические (очистка кистью, скруббироваиием, УЗ кавитацией, растворением), химические (сжиганием, травлением и т. п.) и фиэико-хнмичес-кие (сочетающие указанные выше способы); по агрегатному состоянию среды — на мокрые (в жидкости или конденсирующихся парах) и сухие (в газовой среде или вакууме); по качеству очистки — на предварительные (до величины загрязнения 10~~ — 10 г см*) и финишные (до 10~7—10  * г см >.
Выбор метода О. п. зависит от природы загрязнения и его стойкости к применяемому воздействию (последняя должна быть намного ниже стойкости материала изделия, чтобы в процессе очистки не повредить самой очищаемой поверхности). Т. к. изделия обычно покрыты смесью разя, загрязнений, то для их удаления последовательно применяют неск. раэл. способов, добиваясь требуемого качества очистки.
Мокрая О. п. осуществляется растворением или хим. травлением загрязнений с последующей промывкой поверхности (дистиллированной водой, спиртом или ацетоном) и сушкой изделия (в центрифуге, потоком обеспыленного воздуха или в спирте). Баэовав установка для мокрой О. п. представляет собой герметичную камеру с рядом последовательно расположенных вани, разделённых предохраняют   воздух   е   помещении   от   вредных   испаре-
нии). В зависимости от вида изделия и требуемого качества очистки конкретные установки либо содержат часть оборудования  базовой   модели,   либо  при   необходимости
1              объединяются   е   комплексы,   по   числу   и   составу   устр-в
превышающие базовый вариант. Мокрая О п может быть и предварительной, и финишной.
Сухая О п. достигается распылением загрязнений потоком тяжелых ионов (ионное травление) или сжиганием их в среде активнр. кислорода или галогенов (реактивное травление), при этом летучие в-еа, образующиеся е процессе сжигания загрязнений, удаляются О ткач кон Сухая О п. проводится е обычных муфельных печах (в к-рых нагреваемый материал изолирован от продуктов сгорания топлива) или в спец. плазменных установках. В 80-х гг усиливается тенденция к объединению процесса сухой очистки с последующими тех но nor и ч. операциями (напр., плазменной финишной очистки с напылением пленок) т одном производств, цикле с использованием одной рабочей камеры, что исключает возможность вторичного загрязнения уже очищенной поверхности. Сухая очистка, как правило, бывает финишной.