ВАРИКАП [англ. varicap, от vari(able) — переменный и cap(acity) — ёмкость], полупроводниковый диод, ёмкость к-рого (емкость электронно-дырочного переходе) нелинейно зависит от приложенного электрнч. напряжения (смещения). В качестве В. используют ПП диоды при обратном пост, смещении, когда проявляется только барьерная ёмкость полупроводникового перехода. В. изготовляют на основе Ge, Si и GaAs. Осн. параметры В.: номинальная (начальная) емкость С, добротность Q и коэф. перекрытия по ёмкости Кс. Номинальную ёмкость В. измеряют обычно при мин. значениях обратного напряжения Um,r (как правило, от —1 до —6 В); её величина определяется ПП материалом (уровнем концентрации примесей в нём), площадью р—n-перехода и составляет от долей пФ до сотен пф. Добротность (отношение реактивного сопротивления В. на частоте сигнала к сопротивлению потерь при заданном значении ёмкости или обратного напряжения) измеряют обычно при тех же обратных напряжениях, что и ёмкость. Как правило, В. работают в диапазоне высоких и сверхвысоких частот (Г>1 МГц), для к-рых Q14=1/2ifCr, где г — последовательное (относительно С) сопротивление днода, включающее сопротнеление потерь объеме ПП, сопротивление контактов и элементов конструкции (В., используемые в ВЧ н СВЧ диапазонах, иногда наз. также варакторами). К кон. 80-х гг. достигнуты Q_4>500 ча f=50 МГц при С=Ю пФ.
Коэффициент перекрытия Кс=- ™—— позволяет
определить величину изменения ёмкости В. в диапазоне рабочих напряжений U от Umin до Um„ (Um„ по абс. величине может достигать 200 В). Характерные значения Кс составляют 2—20, причём, если плавные и резкие р—л-переходы имеют обычно К^.^.4. то в случае сверхрезких р—П'Переходов Кс может изменяться в более широких пределах. Поскольку ёмкость В. зависит также от темп-ры, вводят температурный коэффициент (ТКЕ), определяемый как относит, изменение емкости при изменении темп-ры на 1 град. Так, для кремниевых В. с резким р—п-переходом ТКЕ ^500-10~~ град- при I U\ =4 В; с усилением зависимости ёмкости от напряжения, а также при понижении Umtn ТКЕ возрастает и при 1 В может достигать 5000-10~~ град- .
В радиоэлектронных устр-вах св-во нелинейного изменения ёмкости В. используют для получения параметрич. усиления, умножения частоты и т. д., а возможность электрич. управления ёмкостью — для дистаиц. и безынерционной перестройки резонансной частоты колебат. контура.
Варикап