АЭРОИОНИЗАТОР, устройство, используемое для насыщения воздуха в помещении лёгкими отрицат. аэроионами в профилактич. и лечебных целях. Преимуществ, распространение получил аэроиониэатор Чижввского. Прибор содержит источник пост, тока высокого напряжения (20—50 кВ) н группу остроконечных игольчатых электродов, размещённых в определённом порядке на общем электропроводящем основании, соединённом с отрицат. полюсом источника тока. Эл-ны, стекающие с игольчатых электродов, захватываются молекулами воздуха и др. ч-цами. А. применяют при лечении нек-рых форм сердечно-сосудистых заболеваний, болезней дыхат. путей, легких и др.
АТТЕНЮАТОР (от франц. attenuer — уменьшать, ослаб-гять), радиотехническое устройство, служащее для ступенчатого нлн плавного понижения (ослабления) напряжения, силы тока нли мощности элвктрич. (эл.-магн.) колебаний. Выполняется как отд. устр-во или встраивается в измерит. и др. приборы. Различают развязывающие А.— нв-калиброванные или с малой точностью установки ослабления, и измерительные А.— с высокой точностью установки ослабления.
Конструкция А. определяется гл- обр. его рабочим диапазоном частот. На частотах до 200 МГц А. обычно выполняют на резисторах и конденсаторах (рис. 1). Понижение напряжения (силы тока) в таких А- достигает 120 дБ (10 ' раз). На частотах выше 200 МГц (до 80 ГГц) наибольшее применение находят поглощающий и предельный А. В поглощающем А. ослабление мощности эл.-магн. волн связано с поглощением нх или во внеш. графитовом слое пластины, помещённой внутри радиоволиовода, или в высокоомном внутр. проводнике (нихром и др.) н диэлектрике (полистирол и др.), заполняющем коаксиальную линию (рис. 2). В предельном А. используется явленнв сильного затухания мощности проходящих в радиоволно-водв эл.-магн. волн длиной, значительно превышающей критич. длину волны для данного радиоволновода (рнс. 3). Поглощающий А. ослабляет мощность от долвй дБ до 100 дБ, а предельный А.— от 10 до 120 дБ. А. применяют в раэл. электро- и раднонзмврит. аппаратуре, для электрич. развязки исследуемой цепи и генератора и т. д.
АРСЕНИЙ ГАЛЛИЯ, GaAi, химическое соединение типа А В . Тёмно-серые с фиолетовым оттенком крнс теплы, тпл= 1238 °С; в вакууме диссоциирует при 850 С равновесное давление паров мышьяка над расплаво* стехиометрич. состава составляет —-1-105 Па (fnn); плотность 5037 кг/м3; крист. решётка типа сфалерита с периодом 0,56535 им (300 К); молекулярная масса 144,64; коэф термич. линейного расширения 6,0*10~~* град-1 (300 К). Прямозоиный полупроводник с шириной Запрещённой зоны 1,43 эВ (300 К); подвижность электронов 8500 см'-в-'с-1 (300 К), подвижность дырок 450 см-.В-'-с-' (300 К).
В электронном приборостроении А. г. по масштабам использования занимает 2-е место после кремния. В ке-честве исходного материала для выращивания монокристаллов А. г. используются слитки поли крист. А. г., синтезируемые либо в запаянных кварцевых ампулах в условиях строгого контроля давления паров мышьяка в рабочем объёме, либо прямым путём я установках высокого давления под слоем флюса в атмосфере инертного газа при давлении до 7-10* Па. Часто процесс синтеза совмещают с процессом последующего выращивания монокристалла в той же аппаратуре- При этом при выращивании по методу Чохральского не обязательно использование камер высокого давления. Синтез под слоем флюса можно осуществить путём введения в расплавленный галлий паров мышьяка иэ спец. питателя, поддерживаемого при строго фиксированной темп-ре. Осн. методами получения монокристаллов являются: вытягивание по методу Чохральского нз-лод слоя жидкого флюса (борного ангидрида) и горизонтально направленная кристаллизация на ориентированную затравку в кварцевом контейнере, размещаемом в запаянной кварцевой ампуле. Для придания требуемых электрофиэ. св-в в А. г. вводят легирующие примеси: донориые — S, Se, Те; акцепторные — Be, Mg, Cd, Zn, Mn; амфотерные (обычно применяемые в качестве донорных) — Ge, Si. Высокоомный А. г. (с уд. электрич. сопротивлением ~10 Ом-см) получают легированием нонами Fe, Сг. На основе А. г. и его твёрдых р-ров (Ga^iAl^As и Ga,_alniAs) изготовляют полевые транзисторы, БИС и СБИС, дноды Ганнв, лавин-но-пролётные диоды, светодиоды, датчики Холла, приборы с зарядовой связью, высокотемп-рные выпрямит, диоды, ПП СВЧ приборы, сверхбыстродействующие ИС, гетеролаэеры, модуляторы света и др. электронные приборы и устр-ва.
АНТИАДГЕЗИОННАЯ ЛЕНТА (от анти.. и лат. adhaesio — прилипание), леита или плёнка, используемая
для предотвращения слипания соприкасающихся поверхностей раэл.
материалов и изделий при их хренении и транспортировке Обычно
изготовляется из полимерных материалов с пониж. адгезией (полиэтилена,
фторопласта, поливинилхлорида) либо из бумаги или фольги, покрытых с
одной или двух сторон слоем антиадгезионного в-ва (парафина,
полиэтилена и т. п.). А. л. широко применяется
такте для ДОщщы ui меканич. повреждении поверхностей
постоянно липких клеевых слоев, плёночных поляризаторов для жидкокрист.
индикаторов, искусств, замши для полировки пластин из германия,
кремния, стекла, для предохранения от вытирания или высыхания липкого
слоя, наносимого на поверхности материалов в гехно-логич. целях (напр.,
липких лент конструкц. назначения, отверждающихся плёночных клеёв,
замазок, поролоне с липкой поверхностью для крепления отклоняющих
систем электронно-лучевых приборов).
АНТИБЛИКОВЫЙ ФИЛЬТР, покрытие на поверхности экрана электронно-лучевого прибора, служащее для уменьшения зеркальной составляющей отражённого внеш. света (внеш. засветки) при мин. искажении яркости свечения экрана н разрешающей способности прибора. А. ф. создают: мелким матированием внеш. поверхности экрана ЭЛП с последующим жим. травлением для получения прозрачной мелкоструктурной поверхности; напылением мелкоструктурных покрытий реэл. хим. состава; нанесением тонких просветляющих плёнок (обычно в сочетании с матированием); наложением мелкоструктурной сетки на экран и др. А. ф. позволяет снизить зеркальное отражение внеш. засветки до 0,35%. При высоком уровне внеш. освещённости уменьшают также диффузную составляющую отражённого света, возникающую в основном от слоя люминофора (ок. 80% падающего внеш. потока света). В этом случае либо саму вакуумную оболочку выполняют из контрастного (дымчатого) стекла, либо наклеивают (с помощью спец. смол) тонкий слой контрастного или спектрально иэбиретельиого стекла иа экран (последний способ применяют при работе ЭЛП в условиях очень высоких освещенностей — до 10ь лк). Находят применение также тёмные плёнки оксидов олова, нанесённые на внутр. поверхность экреиа. Наиболее распространён комбинир. способ (сочетание контрастного и бликозащитного фильтров), позволяющий снизить
АНОДИРОВАНИЕ (электрохимическое оксидирование), получение оксидной (окисной) плёнки на поверхности изделий из металлов, сплавов и полупроводников, включённых анодом, при электролизе или в электрич. разряде в кислородсодержащих средах. Образование оксида при А изменяет поверхностные св-ва материалов: электропроводность, твёрдость, термостойкость, износоустойчивость, каталитич. активность и др. Различают А. в электролитах, в расплавах солей, в газоразрядной плазме и плазменио-электролитическое.
А в электролитах (водных р-рах кислот или щелочей) — наиболее распространённый и универсальный способ создания оксидных плёнок толщиной 1—250 мкм,
напр. для получения диэлектрич. слоев в электролитич., оксидио-по л у проводниковых и оксндно-металлич. конденсаторах, антикоррозионных и декоративных покрытий, грунтовых слоев под лакн и краски.
А. в расплавах солей (с темп-рой эвтектики 250—800 К) применяют при создании диэлектрич. плёнок толщиной 20—400 мкм для конденсаторов и электроиэо-ляц. пленок повыш. твёрдости.
А. в газоразрядной плазме тлеющего разряда, служащей источником ионов кислорода, проводится при давлении 1—100 Па и хорошо сочетается с операциями пленарной технологии. Иногда А. проводится в газовой плазме высокочастотного разряда. Таким способом получают тонкоплёночиые элементы ИС, формируется межкомпонентная изоляция микросхем.
Плазменн о-э лектролитическое А. проводится в парогазовой атмосфере (при давлении 10*—10J Па) с большим содержанием ионов кислорода- Таквя атмосфера образуется в результате интенсивного испарения электролита водного р-ра кислот или щелочей под воздействием электрич. разряда между электродами, один из к-рых (обычно катод) находится в электролите, а другой (анод, т. е. анодируемое изделие) — над ним вне электролита. Плаэменно-злектролитнч. А. применяют для получения диэлектрика в высоковольтных и прецизионных конденсаторах, создания антикоррозионных покрытий, при подгонке в номинал керметиых резисторов и т. д.
АНИЗОТРОПИЯ (от греч. anisos — неравный и tropos — направление), зависимость физ. свойств (механич., оптич., магн., электрич. и др.) вещества от направления. Естественная А. — характерная особенность кристаллов. Неанизотропны лишь немногие св-ва кристаллов, напр. плотность и уд. теплоемкость. А. св-в кристаллов тесно связана с их симметрией и проявляется тем сильнее, чем ниже симметрия кристалла. Причина А. кристалла — упорядоченное расположение в них ч-ц, при к-ром расстояние между соседними ч-цами и силы связи между ними различны в раэл. направлениях. А. нек-рых жидкостей, особенно жидких кристаллов, объясняетсв асимметрией и определённой ориентацией молекул.
Поликрист. материалы в целом изотропны. А. св-в в них проявляется под действием упругих напряжений, электрич. и маги полей, теплоаых воздействий и др. Так, при действии на поликрист ферро- и ферримаги. материал направленных механич. напряжений, при его термин, обработке ниже точки Кюри присутствии магн. поля или терм о-механич. обработке возникает магнитная текстура. Искусственная оптическая А. может возникнуть в изотропных средах под действием электрич. поля (Поккельса эффект, Керра эффект), магн. поля (Фарддея эффект), поля упругих сил (фотоупругость) и др.
На использовании анизотропных св-в в-в основано применение поляроидов, элементов памяти на ЦМД, индикаторов на жидких кристаллах и др.
Лиг Шасиольсмая М. П Очерни о свойствах кристаллов. М., 1976, Кнтталъ Ч Введение фимку твердого тала, [пер. с англ), м., 197В Сиротин Ю И Шаскольская М. П , Основы кристаллофизики, 7 над М 1979
АНОД (от греч anodos— движение вверх, восхождение) электрод электронного или электротехн. прибора илн устройства (напр., электровакуумного прибора, гвльванич. элемента, электролитич. ваины), характеризующийся тем, что движение электронов во внеш. цепи направлено от него. В электронных приборах А. соединяется с положит полюсом источника электрич. тока.
Конструктивные особенности и материал А. определяются спецификой его работы в приборе. В электронных лампах и газоразрядных приборах А. (рис.) служит коллектором (приёмником) эл-нов. Его изготовляют из Ni, Mo, Си, графита и др. материалов; при этом А. придают форму, затрудняющую попадание эл-иов (как первичных, так и вторичных) на др электроды. Для уменьшения вторичной электронной эмиссии с А. на его внутр. (обращенную к катоду) поверхность обычно наносят антиэмиссионные покрытия Мощность, выделяемая на А., отводится посредством теплоизлучения, теплопроводности (по элементам крепления), конвекции воздухе (в случаях, когда внод является частью вакуумно-плотной оболочки прибора), а также путём применения систем охлаждения (см. Охлаждение электронных приборов). Для увеличения излучат, способности внеш. поверхность А. покрывают спец. материалами, нередко обладающими к тому же геттерирующими св-вами (напр., производят титанирование или циркони* рование А ).
В рентгеновских трубках А. выполняет ф-ции мишени, при бомбардировке к-рой пучком ускоренных эл-нов возбуждается рентгеновское излучение. Энергия эл-нов на А. преобразуется в рентгеновское излучение (1—'5%), тепло (ок 90%); остальная часть энергии расходуется на образование вторичных эл-нов. Жёсткость возбуждаемого рентгеновского излучения пропорциональна ат. номеру хим. элемента (материала А.). А. рентгеновской трубки изготовляют из тугоплавкого или обладающего большой теплопроводностью металла (напр., W, Мо, Си, Аи, Ад); в большинстве случаев А. охлаждается в процессе работы проточной водой
В электронно-лучевых приборах и электровакуумных СВЧ приборах О-типа А. входит в соствв электронно-оптической системы и служит для создания необходимой конфигурации электрич. поля, обеспечивающего получение заданного тока и формы электронного пучка (о форме А. см. в ст Электронная пушка). В магие-тронного типа приборах А. называют положит, электрод, выполняющий одновременно ф-ции замедляющей системы и коллектора.
АНАЛОГОВАЯ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ МАШИНА (АВМ), вычислительное устройство для воспроизведения (моделирования) определённых зависимостей (соотношений) между непрерывно изменяющимися физ. величинами (машинными переменными) — аналогами соответствующих исходных переменных решаемой задачи. Наиболее распространены электронные АВМ, в к-рых машинными переменными служат электрич. напряжения и токи, а искомые соотношения моделируются физ. процессами, протекающими в электрич. цепях.
Основу совр. электронных АВМ составляют решающие устройства. Простейшее решающее устр-во представляет собой модель одной определённой матем. операции, напр. суммирования, умножения, интегрирования- Важнейшим типом решающего устр-ва является решающий усилитель.
Для моделирования к.-л. матем. соотношений либо определённого класса матем. зависимостей (напр., систем обыкновенных дифференц. уравнений) решающие устр-ва соединяют между собой в определенной последовательности в соответствии со структурной схемой реализуемой модели. Соединённые между собой простейшие решающие устр-ва определённого типа образуют типовой блок, наз. операционным аналоговым устройством или структурной моделью прямой аналогии. В зависимости от типа решающих устр-в и схемы их соединения типовые блоки выполняют линейные матем. операции — суммирование, интегрирование, умножение на пост, величину и др. (линейные блоки) или нелинейные — умножение (перемножение), деление и т. п. (нелинейные блоки).
Набор решаемой задачи на АВМ (установка исходных соотношений) осуществляется путём соединений входных и выходных гнёзд отд. типовых блоков либо вручную с помощью коммутац. проводников на спец. наборной панели, либо автоматически посредством электронных элементов связи (релейных устр-в, электронных ключей). Помимо типовых блоков и системы набора задач в состав АВМ входят устр-ва управления и контроля, устр-ва отображения и (или) регистрации аналоговой информации, блоки стабилизир. электропитания и др. Типовые блоки и большинство др. устр-в электронных АВМ выполняются в виде интегральных схем, гибридных интегральных схем или микросборок.
АВМ применяются гл. обр. для решения дифференц. уравнений, описывающих электрич., тепловые, гидравлич., магн. и др. системы, процессы массо- и теплообмена и т. д., а также для исследования систем автоматич. регулирования и как устр-ва управления технологич. процессами. Эти задачи решаются на АВМ быстрее, чем на цифровых вычислительных машинах (ЦВМ), но с большей погрешностью, обусловленной неидеальностью работы отд. решающих устр-в, неточностью установки нач. условий и др. факторами. АВМ позволяют также решать задачи в ускоренном и реальном масштабах времени; имеют сравнительно невысокую стоимость. В совокупности с ЦВМ образуют гибридные вычислит, системы, сочетающие достоинства аналогового и цифрового способов обработки информации.
АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, аморфные вещества, обладающие свойствами полупроводников. Различают ковалентные А. п. — аморфные Ge, Si, Те (a-Ge, a-Si, ^a-Te), ПП соединения типов А В (GaAs, GaP) и А1 В1 (CdS, CdSe); ПП стёкла — халькогенидные (As4nSr,o, GeSe? и др.) и оксидные (V2Ob — BijOi — PjOs н др.), а также си ль но легированные ПП (Si:H, Si:F и др.).
А. л. относятся к классу неупорядоченных систем. Особенности электрофиз. се-в А. п. связаны с их энергетич. спектром эл-нов. Разупорядочениость структуры А. п. (наличие только ближнего порядка) приводит к резмытию краёв разрешённых зон и появлению энергетич. уровней, локализованных состояний, в диапазоне энергий, к-рый в идеальном кристалле соответствует запрещённой зоне. Механизм электропроводности А. п. определяется положением Ферми уровня в области локализованных состояний. При низких темп-pax преобладает прыжковая проводимость, при более высоких — проводимость, обусловленная тепловым забросом эл-нов в область делокализованных состояний. А. п. отличаются от кристаллических низкой подвижностью носителей заряда (4000 см2/В - с в крист. Ge и 0,15 смг/В*с в a-Ge) и малой чувствительностью к легированию (для заметного изменения проводимости требуется концентрация примесей порядка Ю2Г> см-3).
Получают А. п. в условиях, затрудняющих процесс кристаллизации (низкие темл-ры, высокая скорость охлаждения, мощное ионизир. излучение, легирование Н, F, CI, инертными газами). Напр., стёкла изготовляют охлаждением респлава или испарением в вакууме, a-Ge и a-Si — катодным распылением, их газообразных соединений (GeH*, SiH4).
А. п. обладают рядом уникальных св-в, определяющих их практич. применение. А. п. могут переходить из вы-сокоомного состояния в ниэкоомное под действием элект-рич. поля (эффект злектрич. переключения), что позволяет использовать их в качестве пороговых переключателей элементов памяти. Халькогенидные стёкла прозрачны для ИК области спектра и обладают фотопроводимостью, характеризуемой максимумом в определённом интервале длин волн, поэтому их применяют как фоточувствит. среду для оптич. записи информации (в т. ч. голографической) и как материал для световодов и мишеней видиконов. Гидрогенизир. a-Si, в к-ром созданы р — п-переходы, используется в солнечных батареях.
АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, активное акустозлектронное устройство, предназначенное для усиления акустических волн. Принцип действия А. у. осн. на явлении усиления акустич. воли дрейфующими носителями заряда в твёрдых телах (см. Акустозлектронное взаимодействие). Акустич. волны, подлежащие усилению, возбуждаются в А. у. с помощью электроакустического преобразователя.
Различают А. у. объёмных и поверхностных акустич. волн. В А. у. объёмных акустических воли взаимодействие этих волн с дрейфующими носителями заряда и их усиление происходят в объёме пьезопол у проводника, выполненного обычно в виде пластины. Для возникновения дрейфа носителей заряда пластине к её торцевым поверхностям прикладывают определённое электрич. напряжение (т. н. дрейфовое напряжение). Для получения усиления акустич. волны св. 10 дБ требуется достаточно высокое дрейфовое напряжение, к-рое при непрерывном режиме работы А. у. вызывает значит, его нагревание, и, следовательно, его разрушение, что обусловливает использование таких усилителей только импульсном режиме. При работе А. у. в импульсном режиме дрейфовое напряжение подаётся в виде импульсов, длительность к-рых равна времени распространения акустич. волны в зв у копров оде (пьезопол у проводнике) или незначительно превышает его; при этом осуществляется также синхронизация импульсов напряжения с импульсами усиливаемого сигнала. Применение таких А. у. ограничивает импульсный режим их работы.
Среди А. у. поверхностных акустических волн (А. у. ПАВ) наибольшее распростренение получили усилители, выполненные на основе слоистых структур, состоящих из пьезоэлектрика (в к-ром распространяется ПАВ)
и ПП (в к-ром происходит дрейф носителей заряда), разделённых воздушным зазором (рис., а) или тонкой плёнкой диэлектрика (монолитный А. у., рис., б). В таких А. у. взаимодействие ПАВ с дрейфующими носителями заряда происходит в той области ПП кристалла, в к-рую проникает сопровождающее ПАВ перем. электрич. поле. Слоистые структуры позволяют использовать в качестве среды для распространения ПАВ пьезозлектрики с достаточно большим коэф. электромеханической связи (напр., LiNbOi), а для дрейфа носителей заряда — ПП со значит, подвижностью носителей заряда и требуемой проводимостью (напр., InSb). Применение А. у. нв основе слоистых структур обеспечивает эффективное непрерывное усиление ПАВ, а также подавление паразитных сигналов, обусловленных отражением ПАВ от торцов кристалла и от преобразователей. В таких А. у. коэф. усиления достигает 30—60 дБ/см при коэф. шума ~ 10 дБ в частотном диапазоне от 100 до 500 МГц (с полосой пропускания ~ 5—20%).