ФОКУСИРОВКА ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ, управле ние движением заряженных частиц (электронов, ионов) по заданным траекториям Происхождение термина «Ф э ч » связано с решением задачи о прохождении траектории заряженных ч-ц через заданную точку пространства (фокус) в электронной оптике и ионной оптике ф. э ч. осущест вляется с помощью элвктрич и магн полей, создаваемых электростатическими линзами и магнитными линзами Мин размер фокусного пятна определяется аберрациями линз, влиянием пространств заряда и разбросом нач скоростей ч-ц Применительно к высокопервеансным потокам заря женных ч-ц в электронных пушках, ионных пушках и протяженных пролетных каналах ЭВП вместо термина «Ф з ч > обычно употребляют термин «формирование потока заря-женных частиц» Такое формирование осуществляется элвктрич и (или) магн полями (однородными, пространст вен но-пери о дич , реверсивными). Заряженные ч цы в протя женных и ограниченных в поперечном направлении потоках колеблются относительно своих равновесных траектории. Скорость изменения радиальной составляющей силы со стороны внеш фокусирующего электрич и (или) магн полей и поля пространств заряда, возвращающей частицу на равновесную траекторию, характеризует жесткость фокусировки. В электронных пушках под Ф з ч подразумевают достижение необходимой величины сходимости (компрессии) потока, равной отношению площади эмити рующей поверхности катода к площади поперечного сечения потока в заданной плоскости См также Формирование электронного пучка.
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПРИБОР, незапоминающии электронно-лучевой преобразователь электрических сигналов, предназначенный для быстрой выработки значений заданной функции двух независимых переменных представляемых виде непрерывных или импульсных электрич сигналов. В Ф. э.-л п (рис) электронный пучок, сформированный электронным прожектором, проходит через отклоняющую систему, состоящую из двух взаимно перпендикулярных пар отклоняющих пластин, на к-рые подаются напряжения UM и Uy (пропорциональные аргументам х и у), и направляется на тонкий металлич. функциональный экран с переменной по площади прозрачностью Ток, прошедший через функцион. экран, улавливается одним или иеск. коллекторами. Различие в прозрачности функцион. экрана достигается определённым расположением на нём множества мелких отверстий. Закон изменения прозрачности соответствует виду ф-ции z f(x,y) и пределам изменения аргу ментов с учётом сглаживания влияния дискретности структуры за счёт одноврем. перекрытия электронным пучком неск. отверстий. Т. о, ток коллектора / f((J„, U?) пропорционален ф-ции г f(x,y). Каждый тип Ф. э.-л п предназначен для реализации к -л. одной функцион зави-симости (напр., г х-у; z—(х—у) (х+у), г Vx'+y* z arcfg у х). Возможна также выработка значений непре рывной гладкой ф-ции двух переменных, задаваемой в табличной форме- Погрешность Ф з.-л. п обычно составляет ок. 1 % от макс значения ф-ции, широкополосность — до 20 МГц, См также Кодирующий электронно-лучевой прибор.
ФОТОЭЛЕМЕНТ, фотоэлектронный прибор, в к-ром в результате поглощения энергии падающего на него оптич. излучения генерируется эде (фотоэде) или электрич. ток (фототок).
Ф., действие к-рого основано на фотоэлектронной эмиссии (внеш. фотоэффекте), представляет собой электровакуумный прибор с двумя электродами — фото катодом и анодом (коллектором эл-нов), помещёнными в веку у мированный либо газонаполненный стеклянный баллон. Фотокатодом Ф. служит фоточувствит. слой, к-рый наносится либо непосредственно не участок стеклооболочки, либо на металлич. слой (подложку), предварительно осаждённый иа стекло, либо на поверхность металлич. пластинки, смонтированной внутри баллона; анод имеет вид металлич. кольца или сетки (рис. 1). Световой поток, падающий на фотокатод, вызывает фотоэлектронную эмиссию с поверхности катода; при замыкании цепн Ф. в ней протекает фототок, пропорциональный световому потоку (рис. 2, а). Для улучшения временного разрешения и увели* чения пика импульсов фототока катод и анод Ф. обычно располагают плоскопараллельно с зазором 0,3—Э мм, а их выводы выполняют в виде отрезка коаксиальной или по л основой линии, согласованной по волновому сопротивлению с нагрузкой. 8 газонаполненных Ф. в результате ионизации газа и возникновения несамостоят. лавинного разряда фототок усиливается (напр., коэф. усиления при заполнении Аг составляет 6—8).
Наибольшее распространение среди Ф. с внеш. фотоэффектом получили вакуумные Ф. (ВФ) с сурьмяно-цеэиевым, многощелочным и кислородно-серебряно-цеэие-вым фотокатодами. Применение газонаполненных Ф. ограничено из-за недостаточной стабильности приборов и нелинейности их световой характеристики — зависимости фототека от падающего светового потока.
Ф., действие к-рого основано на внутр. фотоэффекте, представляет собой полупроводниковый прибор с выпрямляющим ПП переходом (электрон но-дырочным л ере ходом, изотипным гетеропереходом или контактом металл— полупроводник). При поглощении оптич. излучения в таком Ф. (рис. 2, б) увеличивается число свободных носителей внутри ПП, к-рые пространственно разделяются электрич. полем перехода (контакта). Избыток носителей заряда, возникающий по обе стороны от потенциального барьера, создаёт в полупроводниковом Ф. (ПФ) разность потенциалов, т. е. фотоэдс. При замыкании внеш. цепи ПФ через нагрузку начинает протекать электрич. ток. 8 качестве материала для ПФ наиболее часто используются Se, GaAs, CdS, Ge и Si.
Ф. обычно служат приёмниками оптического излучения, в т.ч. приёмниками видимого света (ПФ в этом случае нередко отождествляют с фотодиодами); ПФ используют также для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрич. энергию — в солнечных батареях, фотоэлентрич. генераторах.
Основные параметры и характеристики Ф. Световая (интегральная) чувствительность (5) — отношение фототока к вызывающему его световому потоку при номинальном анодном напряжении (у ВФ) или при корот-козамкнутых выводах (у ПФ). Для определения S используют, как правило, калиброванные источники света (напр., лампу накаливания с воспроизводимым значением цветовой темп-ры нити, обычно равным 2860 К). Так, у ВФ S составляет 30—150 мкА/лм, у селеновых Ф.— 600—700 мкА/лм, у германиевых-i-3-104 мкА/лм. Спектральная чувствительность (5д) — величина, определяющая диапазон длин волн оптич. излучения, в к-ром возможно использование данного Ф. У ВФ этот диапазон находится в области спектра 115—1200 нм (в зависимости от чувствительности фотока-тода и коэф. спектрального пропускания материала входного окна); у кремниевых Ф. составляет 400—1100 нм, у германиевых — 500—2000 им. Вольт-амперная характеристика— зависимость фототока от напряжения на Ф при пост, значении светового потока; позволяет определить оптим. рабочий режим Ф. У ВФ рабочий режим выбирается в области насыщения (область, в к-рой фототок практически не меняется с ростом напряжения); такой режим обычно устанавливается при напряжениях 50—100 В. У ПФ (напр., кремниевого, освещаемого лампой накаливания) значения фототока могут достигать при оптим. нагрузке (в расчёте на 1 см2 освещаемой поверхности) неск. десятков мА, а фотоэдс — неск. сотен мВ. Темновой ток (для ВФ) — ток в отсутствие освещения; определяется термоэмиссией фотокатода и токами утечки, лежит в
пределах 10 —10 А. Кпд, или коэф. преобразования
солнечного излучения (для ПФ, используемых в качестве преобразователей энергии),— отношение электрич. мощности, развиваемой Ф. в номинальной нагрузке, к падающей световой мощности; кпд лучших образцов Ф. достигает 15—18%.
Ф. широко применяются в автоматике и телемеханике, фотометрии, измерит, технике, метрологии, при оптич., астрофиэ., космич. исследованиях, в кино- и фототехнике, факсимильной связи и т. д.; перспективно использование ПФ в системах энергоснабжения космич. аппаратов, морской и речной навигац. аппаратуре, устр-вах питанив радиостанций и др.
ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ (ФЭУ). фото-электронный прибор, действие к-рого основвно иа вторичной электронной эмиссии, предназначен для усиления слабых фототоков. Состоит из фотокатода, эмитирующего поток эл-нов под действием оптич. излучения (фототок), электронно-оптической системы входа (входной камеры), создающей электрич. поле, фокусирующее или собирающее эл-ны с фотокатода на вход умножит, системы, динодиой умможмтельной системы, обеспечивающей умножение эл-нов в результате вторичной электронной эмиссии, и анода — коллектора вторичных эл-нов (рис.). ФЭУ впервые предложен и разработан сов. физиком Л. А. Кубецким в 1930—34.
8 ФЭУ используются те же фотокатоды, что и в фотоэлементах с внеш. фотоэффектом. Обычно их выполняют из ПЛ материалов на основе соединений типов а'в и А 8 (С» Sb, GaAs и др.). Наиболее распространены ФЭУ с полупрозрачным фотокатодом, нанесенным нв виутр торцевую поверхность стеклянного баллона-
Электроино-оптич. система входа в ФЭУ обеспечивает попадание всех фотоэл-нов иа динод с макс, равномерностью сбора с разл. участков фотокатода и изохронностью траекторий фотоэл-нов. Кроме электростатич. фокусировки иногда применяется магн. фокусировка и фокусировка в скрещенных электрич. и магн. полях.
Конструкции умножит, систем ФЭУ весьма разнообразны. Наиболее широко используются ФЭУ, в к-рых усиление электронного потока осуществляется при помощи системы дискретных динодов — электродов корытообразной, коробчатой, торроидальной или жалюзийной формы с линейным либо (реже) круговым расположением, обладающих коэф вторичной эмиссии а>1. Усиленный во много раз (от 10 до 10*) фототок, снимаемый с внода, получается в таких ФЭУ в результате умножения эл-нов последовательно на каждом из отд. динодов. Питание ФЭУ подаётся через делитель напряжений, распределяющий напряжение между электродами. Существуют также ФЭУ с умножит. системой, представляющей собой непрерывный (од* ноканальный) динод, в виде трубки (канала) с активным (а>1) слоем на её внутр. поверхности, обладающим распределённым электрич. сопротивлением, либо многоканальный, выполненный на основе т. н- микроканаль-иой пластины (см. Каналовый электронный умножитель). Для изготовления дискретных динодов обычно используют сурьмяно-щелочные слои, нанесенные на металлич. подложку, а также сплввы на основе Си и А| (напр., СиВе, CuAlMg) и ПП соединения элементов 111 и V групп периодич. системы, проактивировенные спец. образом с целью получения больших о. Каналы непрерывных динодов изготовляют, как правило, из стекла с высоким содержанием РЬ.
Осн. параметры ФЭУ: световая анодная чувствительность (отношение анодного фототока к вызывающему его световому потоку при номинальных потенциалах электродов) составляет 1—10* А/лм; спектральная чувствительность находится обычно в диапазоне 105—1200 нм (чувствительность в УФ области спектра определяется характеристиками входного окна ФЭУ, в ближней ИК области — красной границей фотоэффекта); усиление динодной системы лежит, как правило, в пределах 10J—10s, темновой ток (ток в анодной цепи в отсутствие светового потока) не превышает 10~—10~10 А.
ФЭУ широко используются для регистрации слабых излучений (вплоть до уровня одиночных квантов), т. к. обладают большим усилением при низком уровне собств. шумов, а также для изучения кратковрем. процессов. Наибольшее применение ФЭУ получили в ядерной физике в качестве элементов сцинтилляц. счётчика. Кроме того, ФЭУ применяются в оптич. аппаратуре, устр-вах телевиэ. и лазерной техники и др.
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ, метрические явления (изменение электропроводности, эмиссия электронов, возникновение эдс и др.), происходящие в веществе при воздействии на него эл.-магн. излучения, в частности света. Ф. я. возникают в тех случаях, когда энергия гЫ поглощённого в-вом кванта эл.-магн. излучения (фотона) затрачивается на квантовый переход зл-на в состояние с большей энергией. Характер протекающих Ф. я. зависит от соотношения между энергией фотонов и характерными энергиями в-ва (энергией возбуждения атомов или молекул, энергией их ионизации, работой выхода электронов и т. п.). Напр., если в твёрдом теле (металле, полупроводнике) или жидкости энергия поглощённого фотона достаточна для преодоления эл-иами поверхностного потенц. барьера, то возникает фотоэлектронная эмиссия (внешний фотоэффект); в газах при достаточно высоких значениях гни возможна ионизация (явление фотоионизации). При меньших значениях гни в неметаллич. твёрдом теле (ПП, диэлектрике) поглощение энергии эл.-магн. излучения приводит к появлению неравновесных носителей заряда (эл-нов проводимости и дырок), что проявляется в изменении электропроводности тела, возникновении в нем эдс (внутренний фотоэффект). С внутр. фотоэффектом в кристаллах связаны фотодиэлектрический эффект (изменение диэлектрич. проницаемости под действием света), фотоакустические явления (генерация акустич. волн в кристалле под действием оптич. излучения), фото-улругость и др. эффекты.
Особенно разнообразны Ф. я., связанные с внутр. фотоэффектом в ПП. Характер движения неравновесных носителей заряда в ПП зависит от разл. факторов: наличия и пространств, распределения внутр. и внеш. электрич. и магн. полей, градиентов концентрации равновесных и неравновесных носителей, анизотропии уд. электропроводности и др. Разл. сочетания этих факторов могут приводить к таким Ф. я., как фотовольтаич. эффект, явление фотопроводимости. Фотовольтаический эффект — возникновение эдс (фотоэдс) между электродами освещенного кристалла, обусловленное пространств, разделением возбуждённых пар носителей заряда. В однородных ПП такое разделение может быть связано с различием коэффициентов диффузии эл-нов и дырок (см. Дембера эффект), с действием на носители внеш. магн. поля (фотом аг-нитиый эффект) или с диффузией возбуждённых светом носителей под углом к главным кристаллографич. осям в кристаллах с анизотропной электропроводностью (фотопьезоэлектрический эффект в одноосно деформированных кубич. кристаллах или поперечный эффект Демберв в кристаллам низкой симметрии). В неоднородных в-вак (напр., содержащих электронно-дырочный переход, гетеропереход, контакт металл — полупроводник) пространств, разделение пар происходит в электрич. поле, создаваемом неоднородностью (вентильный фотоэффект). Фотопроводимость — изменение электропроводности ПП под воздействием эл.-магн. излучения, обусловленное увеличением концентрации эл-нов в зоне проводимости и (или) дырок в валентном зоне (концентрационная фотопроводимость) либо связанное с изменением подвижности носителей заряда.
Если в однородном ПП существенны процессы, протекающие до выравнивания энергий носителем заряда и крист. решётки, то возможны также фотовольтаич. эффекты, не связанные с межзонным возбуждением носителей и их пространств, разделением. К таким эффектам относятся: фототермомагнитный эффект, возникающий из-за различия в характере взаимодействия с внеш. маги, полем носителей заряда, «разогретых» падающим эл.-магн. излучением, и «холодных» носителей; фотогальванический эффект, обусловленный асимметрией в распределении возбужденных носителей заряда по импульсу или асимметрией их рассеяния.
Ф. я. используется в фотоэлектронных у множителях, вакуумных, газонаполненных и ПП фотоэлементах, фото-резисторах, фотодиодах, фототранзисторах и др. фотоэлектронных приборах и устр-вах.
ФОТОХРОМИЗМ (от фото... и греч. chroma — цвет, краска), способность вещества обратимо приобретать или изменять окраску (спектры пропускания и поглощения) под действием оптич. (УФ, видимого и ИК) излучения. Явление Ф- может сопровождаться обратимыми изменениями и др. св-в (напр., показателя преломления, электрич. проводимости).
При фотохром ном процессе в-во, поглощая оптич. излучение, переходит из исходного состояния в т. н. фото-индуцир. состояние, характеризуемое иным спектром поглощения света и определенным временем жизни. Обратный переход совершается самопроизвольно за счёт внутр. энергии и может значительно ускоряться под действием света или при нагревании.
Ф. присущ очень большому числу органич. и неорганич. в-в. В основе Ф. органич. в-в лежит ряд фотофиз. процессов и многочисл. фотохим. реакции, к-рые сопровождаются либо перестройкой валентных связей, либо изменением конфигураций молекул. Ф. неорганич. в-в обусловлен обратимыми процессами фотопереноса эл-нов, приводящими к изменению валентности ионов металлов, возникновению центров окраски, а также обратимыми реакциями фотодиссоциации соединений и др.
На основе органич. и неорганич. фотохромных в-в создан широкий класс фотохромных материалов (ФМ), применяемых для регистрации изображений, записи и обработки оптич. информации. В зависимости от области применения ФМ изготовляют в виде жидких р-ров, полимерных плёнок, тонких аморфных и поликрист слоев на гибкой и жёсткой подложке, силикатных и полимерных стёкол, монокристаллов.
Наибольшее распространение получили полимерные ФМ нв основе оргвнич. соединений (напр., спиропиранов), фото- хромные силикатные стёкла, содержащие микрокристаллы галогеиидов серебра (AgBr, AgCI и Др.), активированные кристаллы галогеиидов щелочных металлов (напр., NaCI, КО), солей и оксидов щёлочноземельных металлов с добавками (напр., CaF_> La, Се). Широкое применение этих ФМ в электронике основано на их высокой разрешающей способности (теоретически мин. разрушаемый элемент может иметь размер порядка размера молекулы или элементарной ячейки кристалла, т. е. менее одного нм), возможности получения изображения непосредственно под действием света, т. е. без проявителя и в реальном масштабе времени (время записи ограничивается длительностью элементарных фотопроцессов и может быть менее 10~* с), возможности менять в широких пределах время хранения записанной информации (от 10~* с до неск. мес и двже лет), возможности перезаписывать и исправлять изображение с помощью светового или теплового воздействия.
ФМ находят применение в системах скоростной обработки оптич. и электрич. сигналов, в качестве элементов оперативной памяти ЭВМ (где быстродействие и многократность использования ФМ особенно важны), в голографии (где особенно существенно высокое разрешение ФМ), в оптоэлектронике и мн. др. Особый интерес представляет применение ФМ в лазерных системах, обеспечивающих запись и обработку оптич. информации в мощных потоках излучения в реальном масштабе времени.
ФОТОРЕЗИСТОР (от фото, и резистор), полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внеш. излучения. Ф. относятся к фото-электрич. приёмникам излучения, их принцип действия основан на внутр. фотоэффекте в ПП. Основу Ф. составляет слой (или плёнка) ПП материала на подложке (или без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством к-рых Ф. подключается к электрич. цепи. Фоторезистив-ный слой получается, напр., прессованием порошка или распылением водно-спиртовой суспензии ПП материала непосредственно на поверхности подложки, хим. осаждением, эпитвксией, напылением (плёнок). Полученные таким образом слои (плёнки) подвергают обжигу. В зависимости от назначения Ф. могут быть одно- и много элементные (мозаичные), с охлаждением и без, открытые и герметизированные, выполненные в виде отд. изделия или в составе ИС. Для расширения функцион. возможностей Ф. дополняют фильтрами, линзами, растрами.
ФОТОРЕЗИСТ, резист, чувствительный к оптич. излучению видимой или УФ области. Наибольшее распространение получили органич. Ф., представляющие собой р-р в органич. растворителе либо светочувствит. полимера, либо неполимерного светочувствит. соединения и плёнкообразующего полимера. Толщина светочувствит. слоя, сформированного из Ф. в процессе фотолитографии (см. Литография), обычно составляет 0,5—2,5 мкм. Из негативных распространены Ф. нв основе сеисибилизир. поливинилового спирта, поливинилциннамата, поливинилдиаллилфта-лата, циклополиизопрена или полиэпоксибутадиена с би-сарилазидами. Изготовление позитивных Ф. основано иа использовании о-диазокетонов в композиции с феноль-иыми и др. смолами.
Область спектральной чувствительности большинства Ф охватывает диапазон 350—450 нм; необходимая экспозиция составляет 50—500 мДж/см^; показатель изменения относит, стойкости Ф. в проявляющей среде после экспонирования обычно лежит в пределах 10—101. Разрешающая способность Ф- составляет от иеск. сотен до неск. тыс. мм , причём позитивные Ф. имеют, как правило, более высокую разрешающую способность, чем негативные. Критерий мик-родефектиости для лучших Ф. 0,05—1,0 см . Ф. стойки в разбавленных кислотах и кратковременно устойчивы в сильных неокис л яющих кислотах. Ряд Ф. устойчив в щелочных р-рах, нек-рые — в условиях ионной бомбардировки и плазмохим. газофвзиого травления в неокислит, среде. Ф., как правило, нестойки в присутствии окислителей, что используется для их удаления.
По сравнению с др. резистами Ф. наиболее широко применяются в микроэлектронике при создании интегральных схем, запоминающих устройств и т. д. Перспективно применение Ф., чувствительных к коротковолновому УФ излучению (Х<[300 н), что позволит формировать в слое Ф. изображения с размерами элементов менее 1 мкм.
ФОТОПОВТОРИТЕЛЬ, установка для изготовления фотошаблонов путём многократного проецирования (мультиплицирования) изображения фотооригинала в уменьшенном масштабе на фотопластину — основу фотошаблона. В состав Ф входят оптико-механич. устр-во (репродукц. фотокамера) и устр-во управления, размещаемое обычно в отд. блоке или стойке (рис. 1). Фотооригинал, подлежащий репродуцированию, размещается иа манипуляторе и фиксируется в строго определенном положении (рис. 2). Фотопластина (основа будущего фотошаблона) укрепляется нв координатном столе и перемещается вместе с ним. Периодически в определённых положениях (позициях) на фотопластииу проецируется изображение фотооригинала. Время депонирования (выдержка) и координаты каждой позиции (положение стола) задаются автоматически системой управления в соответствии с программой мультиплицирования, вводимой оператором с пульта устр-ва управления. По окончании экспонирования изображение на фотопластине проявляют и фиксируют — получается готовый фотошаблон. Наиболее совершенные Ф. оснащены системой ввтоматич. фокусировки изображения.
Осн. параметры Ф.: совмещаемость комплекта фотошаблонов (точность расположения изображений по всему полю фотошаблона оценивается по г н базовым меткам) и разрешающая способность (способность оптич системы Ф. создавать раздельные изображения двух близко расположенных элементов фотооригинала). Применяемые в произ-ве ПП приборов и И С Ф. обеспечивают изготовление фотошаблонов на пластинах размером 150Х X •50 мм и более, с размерами модуля (одного изображения фотооригинала) до 20X20 мм и мин. размерами элементов до 0,5 мкм; расхождение фотооригиналов ив разных фотошаблонах не превышает 0,5—1 мкм.
ФОТОДИОД (от фото... и диод), полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости, возникающей при воздействии иа него оптич. излучения; используется для преобразования оптич. излучения в электрич. сигнал. Действие Ф- основано на поглощении света вблизи области полупроводникового перехода, в результате чего генерируются новые носители заряда (электрон но-дырочные пары). Эффективное поглощение света происходит на границе раздела областей с противоположными типами проводимости одного и того же ПП, вблизи контакта двух разл. ПП (Ф. с гетеропереходом) или металла и ПП (поверхностно-барьерный Ф., или Ф. с барьером Шоттки). Наиболее распространённым типом Ф. является р—i—п-диод, к-ром толщина высокоомной -области выбирается такой, чтобы обеспечивать оптим. чувствительность и быстродействие прибора. Для детектирования оптич. излучения с размером светового пятна в неск. мкм, про модулированного ВЧ сигналами, используются также точечно-контактные Ф. (рис.).
Различают 2 режима работы Ф.: фотодиодный, когда во внеш. цепи содержится источник питания, создающий на ПП переходе обратное смещение, и фото-вольтаичвский (вентильный), когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме возникающие под действием излучения избыточные носители заряда приводят к возрастанию обратного тока Ф. на величину фототока. Фототок в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от величины обратного напряжения. В вентильном режиме Ф. используется как фотоэлемент (для получения фогоэдс).
При больших обратных смещениях в результате ударной ионизации в Ф. происходит лавинное умножение носителей заряда. Такой лавинный Ф. является фотодетектором с внутр. усилением тока.
Осн. параметры Ф.: порог чувствительности (величина мин. сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот) достигает 10~ Вт/Гц ; темно-вой ток, как правило, не выше 10 А; спектральная чувствительность (отношение фототока к потоку падающего монохроматич. излучения) обычно составляет 0,5—I А/Вт; область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3—15 мкм; инерционность (время установления фототока) достигает 10— с.
Ф. широко применяются в устр-вах оптоэлектроники, автоматики, вычислит, и измерит, техники и др.