Электроника

ЛАКИ (от ием. Lack), растворы плёнкообразующих веществ (обычно полимеров или олигомероа) в органич. растворителях или в воде. Нанесённые тонким слоем из р-ра на металлич., деревянную или иную поверхность Л. после высыхания образуют прочные и твёрдые однородные плёнки, хорошо сцепленные с поверхностью, на к-рую они нанесены.
В электронном приборостроении Л. используют для защиты ИЭТ от вредного влияния атмосферы (атмосферо-стойкие алкидные, полиуретановые, перхлорироааиные и др.), воды (водостойкие эпоксидные, полиаинипхло-рндные, полиуретвноаые), разл. химически агрессивных сред (химстойкие феноло-формальдегидные, кремний-органич. и др.), темп-ры (термостойкие глифталеаые, пентафталевые, кремнийоргвнич. Л. с добавлением 15% алюминиевый пудры а качестве наполнителя).
Большую группу Л. составляют электротехн., в основном электроизоляционные, Л. (пропиточные, покровные, клеящие), а также полупроводящие и магн. Л- Пропиточные Л. (напр., эпоксидные, полиэфирные, силиконовые, поли* имидные) используют для пропитки бумаги и ткани при изготовлении слоистых материалов для печатных плат и подложек, лакоткани для изоляции проводов и обмоток дросселей и трансформаторов. Покровные Л. (напр., эпоксидные, полиимидные, кремнийоргаиические, полиуре-таноаые) применяют для создания защитного покрытия на печатных платах и др. элементах электронных устр-e для защиты р—п-переходов. Защитные покрытия из алкидно-меламинных и силиконо-алкидных смоп используют перед    монтажом    деталей    не    печатной    плате,    когда
необходима устойчивость к действию припоя (в течение 10—20 с прн темп-ре 200 JC). Клеящие Л. (напр., полиуретановые, эпоксидные) применяют для склеи-евния твердых диэлектрич. и фольги р. мвтериалоа, металлич. листов в пакетах трансформаторов. Полупроводящие Л. (уд. поверхность электрич. сопротивления 10*—101 Ом/ка) с наполнителем а виде сажи или графита используют а произ-ве лакосажевых резисторов. Магнитный Л., содержащий до 40% "у-^егОз, наносят на осноау магн. лент. Л. используют также для получения плёнок поляроидов и светофильтров и др. Перспективно применение Л. на основе мономеров и о ли гомеров. В качестве Л. всё шире используют порошковые лакокрасочные материалы, их пигментир. формы — порошковые краски, аодораз-бваляемые и аоднодисперсионные краски.

ЛЮМИНОФОРЫ (от лат. lumen, род. падеж luminis— свет и грвч. phor6s — несущий), вещества, способные светиться (люминесцировать) под действием различного рода возбуждений (см. Люминесценция).
По типу возбуждения различают: фотолюминофоры, возбуждаемые оптическим (а т. ч. УФ и ИК) излучением; катодолюминофоры — электронным пучком с низкой (10—10/ эВ), средней (102—101 эВ) или высокой (>104 эВ) энергией эл-нов; электролюминофоры — постоянным или переменным электрич. полем (~10г В/см); ре н тге н о л ю м и нофоры — мягким или жёстким рентгеновским излучением, а также гамма-излучением; радикалолюминофоры — ускоренными ионами или радикалами; хемолюминофоры — энергией, выделяющейся при хим. реакциях, и др.
В технологии электронного приборостроения преим. используют Л. в виде твёрдых неорганических (поли- и монокристаллических) в-в, получивших назв    криста лл офосфоры. Реже применяют органич. Л. (о р г а н о л ю м и-нофоры) в твердом, жидком и газообразном состояниях.
Кристаллофосфоры изготовляют на основе оксидных, сульфидных, галогенидных, силикатных, фосфатных и др. соединений металлов I—IV гр. периодич. системы, в объёме к-рых распределены специально вводимые примеси (активаторы, сенсибилизаторы, тушители) d- и f-элементов или комплексных групп, определяющие в основном спектраль-но-кинетич. характеристики Л.
Обозначение Л. указывает состав осн. в-ва (основания) и активирующей примеси, напр.: ZnS  Ад обозначает Л. с основанием ZnS, активированный Ад. Если основание смешанное, то перечисляют сначала назв. оснований, а затем активаторов (напр., ZnS, CdS-Cu, Со). Иеорганич. Л. синтезируют обычно в виде мелкодисперсных, однородных по составу порошков. Зёрна иек-рых видов катодолюмино-форов, спектральный состав излучения к-рых является ф-цией энергии возбуждения, имеют сложную структуру: внутренняя (керн) и внешняя (оболочка) части зёрен различаются по хим. составу. В т. н. барьерных Л. оболочка не содержит активатора и не люминесцирует; в зериисто-плёночных Л. инертным является керн зерна, окружённый люминесцирующей оболочкой. В сложных гетерогенных и композиц. катодолюминофорах наложены друг нв друга три слоя, различающиеся спектром, интенсивностью и длительностью свечения при возбуждении рвэноэнергетич. электронными пучками. Спектр и коэф. отражения Л. можно изменять путём формирования на его поверхности окрешен-ных пористых (пигментированные Л.) или сплошных (Л. «с  микрофильтрами») слоев.
Оргвнолюминофоры (большая их часть) люминесцируют в р-рах (флуоресцеин, родамин) или твёрдом состоянии (пластич. массы; антрацен, стильбен и др. органич. кристаллы). Оргвнич. Л. могут обладать ярким свечением и очень высоким быстродействием; цвет люминесценции может быть подобран для любой части видимой области спектра.
К осн. характеристикам Л. относятся: спектральный состав излучения, определяемый длиной волны основного и побочного максимумов и их полушириной; цвет и координаты цветности излучения; время возбуждения и длительность послесвечения; световая отдача и энергетич. выход. В ИЭТ преим. используют Л. с максимумом излучения в области 0,25—3 мкм, длительностью послесвечения от 50 не до неск. мин и более, энергетич. выходом 0,05—0,30 Вт/Вт, световой отдачей 10—100 лм/Вт. Ширина спектральных линий (полос) излучения отд. Л. меняется от сотен нм (для органолюми-нофоров) до десятых долей нм (для кристаллофосфоров, активированных редкоземельными элементами).
Л. широко применяют в ЭЛП (для формирования люминесцентных экранов), в люминесцентных лампах, рвал, рода индикаторах, лазерах, сцинтилляционных счётчиках, а твкже в устр-вах рентгеноскопии, люминесцентного анализа, при изготовлении люминесцирующих красок и т. д. Так, в люминесцентных осветительных лампах пркменяют смеси кристаллофосфоров, напр. смеси MgW04 и (ZnBe)2Si04-Mn, или однокомпонентные Л., напр. галофосфат кальция, активированный So и Мп. Состав Л. подбирается твк, чтобы их свечение имело спектральное распределение, близкое к распределению дневного света. Для цветных кинескопов разработвны катодолюминофоры, дающие три осн. цвета свечения: синий (ZnS*Ад), зелёный (ZnSe-Ag), красный [Zni(P04)2*Mn]. Для рентгеноскопии применяют ZnS, CdS-Ag и CaW04, дающие свечение в области макс, чувствительности глаза и позволяющие максимально использовать чувствительность рентгеновской плёнки. При создании светящихся индикаторов, табло, панелей получили распространение злектролюминофоры на основе ZnS-Си. В качестве активных элементов жидкостных лазеров используют многие органич. Л. (красители цианинового, полиметинового рядов и др.). Крист. органич. Л. применяют в качестве сцинтилляторов для регистрации гамма-лучей и быстрых ч-ц.

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ (от лат. lumen, род. падеж lumi-nis — свет и-еKent — суффикс, означающий слабое действие), оптическое излучение, возбуждаемое в веществе за счёт какого-либо вида энергии, представляющее собой избыток над тепловым излучением и продолжающееся после окончания возбуждения в течение времени, значительно превышающего период световых колебаний. Излучение Л. лежит в ИК, видимом и ближнем УФ диапазонах. Понятие «Л.» применимо лишь при неэначит. (слабых) отклонениях состояния в-ва от равновесного. Л. с достаточно высокой интенсивностью возможна при любой темп-ре, в частности комнатной, когда тепловое излучение ничтожно. Поэтому Л. часто называют также холодным свечением. Л., возбуждаемая светом, отличается от рвзл. видов рассеяния тем, что при ней между поглощением и испусканием происходят промежуточные процессы, длительность к-рых больше периода световой волны. В результате этого при Л. нарушается корреляция между фазами колебаний поглощённого и излучённого света.
Начало систематич. иауч. исследования Л. относится ко 2-й пол. 19 в. (франц. физики А. С. и А. Э. Беккерели, англ. учёный У. Крукс, нем. физик В. Рентген и др.). Большой вклвд в изучение Л. и её практич. использование внесла сов. школа физиков, созданная С. И. Вавиловым, Механизм элементарного акта Л. в типичном случае описывается тремя последоват. квантовыми переходами (рис.): поглощение энергии с переходом эл-на (атома, молекулы) из основного (равновесного) состояния f в возбуждённое состояние 3; безызлучат. переход в метастабильное состояние 2; излучат, переход из состояния 2 в основное состояние 1. Существует также множество др. схем квантовых переходов, вызывающих Л. Так, первоначальный «заброс» эл-иов может идти не на уровень 3, а на систему близко расположенных уровней или в их сплошную полосу; возможен квк исключение излучат, переход сразу с уровня 3 на уровень 1 (резонансная Л.); често излучат, переход идёт с уровня 2 не на равновесный уровень 1, а на промежуточный уровень f и далее дополняется ещё одним безызлучат. переходом Г—*- 1. Уровень 2 может принадлежать как тому же атому (молекуле), к-рый поглотил энергию возбуждения, так и др. атомам. В простейшем случае энергия возбуждения остаётся в том же атоме (этот вид Л. характерен для атомов и молекул в парах и р-рах, а также для примесных атомов в кристаллах). Если заключит, актом передачи энергии является рекомбинация (напр., эл-нов и ионов или эл-нов и дырок), то сопровождающая этот процесс Л. наз. рекомбинационной. При любых схемах Л. уровень 2 лежит ниже уровня 3, поэтому энергия излучения \?м,п, соответствующая переходу 2—? 1, не превышает энергию возбуждения \?лоя&, соответствующую переходу f—? 3. Часть энергии возбуждения переходит в тепловые колебвния среды. Частота генерируемого кванта Л. v= ^MJf)/h, где h — постоянная Планка.
В-ва, способные к Л., наз. люминофорами. Для эффективного протекания Л. необходимо, чтобы энергетич. спектр в-ва носил дискретный характер, а вероятность излучат, переходов превосходила вероятность безызлучательных. Повышение вероятности безызлучат. переходов влечёт за собой тушение Л. Этв вероятность возрастает, напр., при повышении темп-ры (темп-риое тушение), концентрации возбуждённых молекул (концентрац. тушение) или не к-рых видов примесей (примесное тушение).
Существует множество видов Л., различающихся способом возбуждения. В электронике наибольшее значение имеют электролюминесценция (возбуждение элект-рич. полем), катодолюминесценци я (электронным лучком) и фотолюминесценция (оптмч. излучением). Электро- и катодолюминесценцию порошковых и плёночных люминофоров (напр., на основе ZnS, активизированного Си, Ад, Мп), электролюминесценцию ПП монокристаллов (GaAs, GaP, GaAIAs, GaAiP и др.), газов (Ne, He, Аг) и их смесей используют в кинескопах чёрно-белого и цветного телевидения» электронно-оптич. преобразователях, разнообразных цифровых индикаторах и дисплеях, светодиодах и др. Фотолюминесценция нашла применение в люминесцентных лампах (напр., с люминофором на основе галофосфата кальция), сцинтилляционных счётчиках ядерных ч-ц (антрацен, стильбеи) и т. д. Из др. видов Л. известны также рентгено-, ионо-, альфа-, трибо-, хеми-, кандо- и биолюминесценция, в к-рых возбуждение осуществляется соответственно рентгеновскими лучами, ускоренными ионами, п-частицами, механич. деформациями, хим. реакциями, рекомбинацией радикалов на поверхности биол. объектов.
Осн. фиэ. характеристики Л.: вид и параметры возбуждающего воздействия (напр., энергия эл-нов при катодолюминесценци и); спектральное распределение интенсивности Л. (спектр Л.); энергетич. выход (отношение Д?м„/ Д?шоа6); квантовый выход [отношение числа излучённых квантов к числу ч-ц (эл-нов, ионов и т. п.), использованных при возбуждении]; постоянные времени релаксации при включении и выключении возбуждения.

ЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ ЛАМПА, газоразрядный источник света низкого давления, в к-ром УФ излучение обычно дугового разряде преобразуется с помощью люминофора в более длинноволновое (видимое) излучение. Наиболее распространены ртутные Л. л., содержащие иек-рое (дозированное) кол-во Нд, испаряющейся при зажигании разряда, а также инертный газ (напр., Аг), способствующий улучшению условий возбуждения атомов Нд. Такие Л. л. представляют собой стеклянную колбу (преим. цилиндрич. формы) с герметично вмонтированными на торцвх вольфрамовыми электродами. На внутр. поверхность колбы наносится люминофор. При подключении Л. л. к источнику перем. тока между электродами лампы возникает электрич. разряд (ток составляет десятые доли А), возбуждающий свечение атомов Нд. Давление ртутных паров в Л. л. зависит от темп-ры стенок лампы и составляет при нормальной рабочей темп-ре 40 °С обычно 0.13—1,3 Па (10~—10~2 мм рт. ст.). Такое низкое давление обеспечивает интенсивное излучение разряда в УФ облвсти спектре (преим. с длиной волны X, рввной 184,9 и 253,7 нм), к-рое и возбуждает свечение люминофорного слоя лампы. Л. л. отличаются высокой световой отдачей (до 85 лм/Вт), большим сроком службы (до 15—18 тыс. ч), благоприятным для глаза спектром излучения, низкой темп-рой поверхности колбы (ок. 40 °С); мощи, таких ламп 4—200 Вт. К осн. недостаткам Л. л. следует отнести их относит громоздкость, необходимость в пускорегулирующем устр-ве, чувствительность к темп-ре окружающей среды (диапазон рабочих темп-р Л. л. 5— 50 °С), Л. л. широко применяют гл. обр. для освещения помещений обществ, и жилых зданий, пром. предприятий.

ЛУЧЕВОЙ ТЕТРОД, электронная лампа с электронным потоком в форме ленточного, слегка расходящегося луча (рис.); разновидность тетрода. Благодаря увеличению плотности пространств, заряда вблизи анода создаётся небольшой потенц. барьер, отражающий эмитируемые анодом вторичные эл-ны, что позволяет без введения в конструкцию Л. т. третьей (защитной) сетки (как у пентодов) устранить вредное влияние динагронного эффекта. Для фокусировки электронного потока в Л. т. используют спец. электроды, т. н. лучеобраэующие пластины (см. также /Тучевая лампа). Сетки Л. т. выполняют с одинаковым швгом витков и располагают в лампе так, что витки экранирующей сетки находятся квк бы в «тени» витков управляющей сетки; это позволяет уменьшить ток экранирующей сетки в неск. раз по сравнению с обычными тетродами. Л. т. разработан во 2-й пол. 30-х гг. 20 в.; широко применяется для усиления мощности НЧ и генерирования ВЧ (до 1 ГГц) колебаний в выходных каскадах радиопередающих устр-в.

ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ, электронные устройства, реализующие простейшие логич. операции (функции) над входными сигналами согласно правилам алгебры логики и выдающие сигналы, соответствующие значениям реализуемых функций. Такими операциями являются, напр., логич. сложение — дизъюнкция («ИЛИ»), умножение — конъюнкция («И»), отрицание — инвертирование («НЕ»). Информац. сигналами служат дискретные значения (уровни) электрич. напряжения или тока; при т. н. положит, логике более низкий уровень обозначают «0», а более высокий — «1», при отрицат. логике — наоборот. Л. э. различают а основном по функцион. назначению, способу представления информации, схемотехн. решению и используемым электронным приборам.
Конструктивно Л. э. могут быть выполнены на дискретных компонентах или а аиде ИС (ПП, гибридных, плёночных и др.). В ЭВМ третьего поколения (напр., ЕС ЭВМ, СМ ЭВМ) наиболее широко применяются системы Л. э. транзисторно-транзисторной и эмиттерно-саяэанной транзисторной логики (см. Транзисторная логика), реализованные в виде ПП ИС малой и ср. степени интеграции, содержащих от неск. десятков до неси, сотен Л. э. Большие интегральные схемы, на к-рых строятся ЭВМ четвёртого поколения, содержат до 10*—101 Л. э. С развитием микроэлектроники непрерывно растёт плотность компоновки Л. э. в ИС, а энергия переключения Л. э снижается, и эта тенденция позволяет рассчитывать в недалеком будущем на создание функцион. устр-в большой сложности в одном кристалле СБИС (напр.. процессоров высокопроизводит. ЭВМ), содержащих св. 10 П. э. Независимо от фиэ. принципов построения Л. э. обладают рядом общих св-в: сильной нелинейной зависимостью амплитуды выходного сигнала от входного, к-рая обеспечивает формирование (квантование по уровню) сигнала с нек-рыми стабильными значениями фронта, задержек т уровней при прохождении по цепочке Л. э.; высокой помехоустойчивостью, обусловленной тем, что входные сигналы с амплитудой меньше порога квантования, распространяясь по цепочке Л. э., стремятся к ниж. уровню («0»), а сигналы с амплитудой больше порога квантова--ия — к верх, уровню («1»); совместимостью по входным и выходным сигналам, что позволяет Л. э. работать друг на друга в любых логич. цепях; сохранением работоспособ--ости при значит, допусках на внеш. и внутр. параметры Л~э.
Л. э. составляют основу элементной базы цифровых автоматов (в т. ч. ЭВМ); совокупность Л. э., обеспечивающих построение любых заданных ф-ций, образует систему элементов данного автомата (ЭВМ).

ЛИТОГРАФИЯ (от греч. Ifthos — камень и grapho — пишу, рисую) а электронике, способ формирования заданного рельефа (рисунка) а слое металла, диэлектрика или полупроводника а процессе изготовления интегральных схем и др. электронных приборов. Процесс Л. осуществляется с использованием реэистоа (Р), чувствительных к излучению (УФ, рентгеновскому и др.) или к потоку заряженных ч-ц (эл-ноа, ноноа) и обладающих устойчивостью (резистентностью) к травителям. Для получения на обрабатываемой поверхности (подложке) необходимого рельефа её покрывают слоем Р, а к-ром путём локального экспонирования создают «окна» заданной конфигурации для доступа травите лей к расположенному ниже технологич. слою (напр., диоксида кремния, алюминия, хрома, стёкол ФСС и БСС). В целом процесс формирования рельефного изображения включает след. последоват. технологич. операции, общие для всех видов Л. 1) Жим. и термич. обработка поверхности подложки (рис. 1, а) для её очистки и улучшения адгезии. 2) Нанесение на поверхность подложки слоя Р (как правило, толщиной 0,3—2,0 мкм, рис. 1, б). Наиболее распространённый метод нанесения — центрифугирование Для получения слоя, равномерного по толщине, более перспективен метод пульверизации (распыление наносимого а-аа с помощью газового потока). 3) Первая термообработка Р (сушка) с целью удаления избытка растворителей и улучшения адгезии слоя к подложке. Получили распространение разл. виды сушки: обычная (термическая), ИК излучением, термо-компрессией и СВЧ излучением. 4) Локальное экспонирование слоя Р (рис. 1, а). Существует неск. способов экспонирования: контактный и проекционный (с применением спец. шаблонов — пластин с рисунком, в заданных местах прозрачных для экспонирующего излучения), а также с помощью сканирующего электронного (ионного) луча, управляемого ЭВМ. 5) Проявление Р (переводит скрытое изображение, полученное а результате экспонирования, в видимое, рельефное, рис. 1, г). Обычно для проявления позитивных Р, чувствительных к оптич. излучению, используют разбавленные р-ры щелочей, для остальных Р—смеси органич. растворителей. В случае позитивных Р на подложке остаются неэкспонир. участки плёнки, а экспонированные смываются проявителем, в случае негативных — наоборот. 6) Вторая термообработка (задублиаание) для повышения стойкости оставшейся части Р (защитной маски) при последующем травлении подложки. 7) Избират. травление технологич. слоев (рис. I, д). Проводится либо с помощью жидких трааителей (обычно кислотного типа), либо «сухим» способом (с помощью ионных или плазменных процессов, см. Плазменное травление). Для воспроизведения изображения с высокой точностью или с размерами его элементов меньше 1 мкм предпочтительны, как правило, «сухие» способы травления. Удаление ненужной после трааления маски Р (также проводится либо с помощью жидких растворителей, либо «сухим» способом в кислородной плазме, рис. 1, е).
Л. широко применяют в электронном приборостроении при изготовлении ПП приборов, интегральных схем, запоминающих устройств, прецизионных фотошаблонов и т. д. Л. может представлять собой как одностадийный процесс (напр., при проиэ-ве фотошаблонов), так и многостадийный (при создании ИС, схем ЗУ на ЦМД и др.). В последнем случае он многократно повторяется на раэл. технологич. слоях с целью получения защитных масок для последующих операций диффузии, ионного легирования, напыления и т. д. (см. Пленарная технология), в связи с чем предъявляются жёсткие требования к точности передачи рисунка а каждом слое и соамещаемости отд. слоев между собдй.
Для получения рисунка на плёнках металла иногда применяют взрывную Л. (рис. 2). В этом случае плёнка напылённого металла должна иметь разрывы между проявленными и непрояаленными участками, а Р — подтравленный край («обратный» клин), что могут обеспечить гл. обр. позитивные Р.
Осн. характеристики литографич. процесса: разрешающая способность, т. е. способность раздельно воспроизводить мелкие элементы рисунка (обычно оценивается по мин. ширине воспроизводимой линии) и производительность (в технологич. процессах с высокой разрешающей способностью преим. ограничивается длительностью экспонирования). Разрешающая способность определяется гл. обр. способом экспонирования, длиной аолны воздействующего излучения и параметрами Р. Теоретич. предел разрешающей способности, согласно критерию Рэлея,— величина, равная половине длины аолны экспонирующего излучения. Однако из-за неидеальности оптич., электронно-оптич. и др. систем экспонирования, неплоскостности подложек и шаблонов и др. фактороа практически достигаемая разрешающая способность Л. значительно ниже теоретической.
В зависимости от вида воздействующего на Р излучения различают оптич. Л., электронолитографию, рентгенолито-графию и ионолитографию, осуществляемые соответственно с использованием фоторезиста, электронорезиста, рент-генореэиста и ионорезиста. Оптическая Л., или фотолитография (ФЛ) (обычно используется излучение с длимой аолны A.= 0,36—0,45 мкм) — наиболее рас прост ране н-мый а микроэлектронике вид Л. Посредством ФЛ аоэ-ямзжио воспроизведение рисунков с размерами элементов от 1,0—2,0 мкм и более. Экспонирование фоторезиста производится через фотошаблон. Различают «контактную и проекционную ФЛ. В первом случае фотошаблон плотно прижат к слою фоторезиста (рис. X а), во втором — изображение фотошаблона проецируется на поверхность фоторезиста (рис. 3, б). Простота контактного способа обеспечила ему широкое распространение а технологии микроэлектроники. Его существ, недостатки—ограничение разрешающей способности из-за явлений дифракции и возможность повреждения при контакте как фотошаблона, так и пленки фоторезиста. Проекц. способ имеет более высокую разрешающую способность, но требует достаточно сложного оборудования. При этом срок службы фотошаблона возрастает • неск. десятков раз. В качестве источников экспонирующего излучения а ФЛ применяются ртутные лампы высокого и сверхвысокого давлений.
Фотолитография с использованием глубокого УФ излучения (УФФ) (>.=0,20—0,30 мкм) отличается от ФЛ более высокой разрешающей способностью за счёт меньшей длины аолны экспонирующего излучения— возможно воспроизведение элементов с размерами 0,5—О,В мкм и менее. УФФ также может быть контактной и проекционной. При этом фотошаблоны по конструкции аналогичны фотошаблонам для ФЛ (за исключением того, •по а качестве прозрачного материала применяется не стек-no, а кварц, пропускающий излучение а данной области спектра). Обычные фоторезисты а УФФ практически неприменимы — разработаны спец. материалы, чуаствит. к глубокому УФ излучению. Источниками излучения могут служить ртутно-ксеноновые, дейтериеаые и др. лампы, а также лазеры с подходящей длиной аолны. УФФ — перспективный вид Л.
Электронолитография (ЭЛ) обладает наиб, высокой разрешающей способностью. Позволяет воспроизводить элементы рисунков с размерами менее 1 мкм. В качестве экспонирующего излучения используется сфокусир. пучок ускоренных эл-нов с энергией Ш—30 кэВ. Т. к. деброй-леаская длина волны эл-нов составляет доли А (>.дЬ<0,1 нм), эффекты дифракции, ограничивающие разрешающую способность в ФЛ, в ЭЛ пренебрежимо малы. Наибольшее практич. значение приобрела сканирующая ЭЛ. К её достоинствам относятся возможность получения узких линий (порядка 0,2—0,3 мкм), отсутствие спец. шаблонов для создания требуемой топологии ИС и большая глубина резкости пучка эл-нов, что позволяет получать четкое изображение на профилир. поверхностях. Экспонирование электронорезиста проводится на электронно-лучевых установках (рис. 4) по программе, заложенной в память ЭВМ. Созданы электронно-лучевые установки с изменяющейся геометрией пучка эл-нов, обеспечивающие более быстрое и качественное экспонирование. Для определения и корректировки местоположения луча и столика с подложкой используются устр-ва аатоматич. совмещения (электронно-лучевые системы, лазерные интерферометры и др.), обеспечивающие при применении спец. реперных знаков точность совмещения 0,1 мкм. Разрешающая способность в ЭЛ частично может ограничиваться эффектами отражения эл иоа от подложки и рассеяния их в слое электронорезиста, что необходимо учитывать при составлении программы экспонирования для ЭВМ. Помимо воспроизведения рисунков ИС, схем ЗУ на ЦМД и т. п. с размерами элементов менее 1 мкм ЭЛ применяют также для получения рисунков с размерами более 2 мкм (прецизионные фотошаблоны, промежуточные фотооригиналы, используемые а дальнейшем а ФЛ).
Проекц. ЭЛ более производительна, чем сканирующая, но по разрешающей способности уступает последней. Кроме того, шаблоны для проекц ЭЛ конструктивно сложны и трудоёмки при изготовлении.
Рентгенолитография (РЛ) ().=*0,2—S нм) — также один из наиболее аысокораэрешающих методов Л. Возможно получение рисунков с размерами элементов 0,1 мкм и менее. В РЛ отсутствуют явления рассеяния зл-ноа а слое Р и отражения их от подложки, поэтому тонкие линии можно получать а сравнительно толстых слоях Р, что важно с точки зрения уменьшения их микродефектности (см. Рентгено-резист). Установка РЛ включает: собственно установку экспонирования рентгеновским излучением, рентгеношаб-лон и систему совмещения рентгеношаблонв с подложкой.
Источниками рентгеновского излучения могут служить спец мишени, дающие при бомбардировке их пучком эл-нов мягкое характеристич. излучение (электронно-лучевые источники), ионизир. ч-цы плазмы, возбуждаемые лазером, электрич. искрой и т. д. (плазменные источники), и синхротроны. Наиболее распространены электронно-лучевые   источники   (рис.  5).   Длина  волны   экспонирующего излучения эаансит от материала мишени и возбуждаемой серии рентгеновского спектра (энергии эл-ноа), напр., >.(MoL)=-0,541 им, X(CuL>—1,33 нм. Для РЛ характерен бесконтактный способ экспонирования — между рентгеношаблоном и подложкой всегда создаётся зазор толщиной от 10 до 100 мим, обусловленный хрупкостью применяемых рентгеношаблоноа. Технология изготовления рентгеношаблона весьма трудоемка. В качестве пропускающей рентгеновское излучение осноаы рентгеношаблона (мембраны), на к-рую наносится рисунок (маска), применяются Si, S1O2, Si*NJt ряд др. неорганич. соединений и полимерные материалы: поли ими д, лавсан и др. Толщина мембраны 3—15 мим. Для обеспечения механич. прочности мембрана либо закрепляется на более толстых участках кремния, отделяющих один модуль от другого (рёбра жёсткости), либо натягивается на кольцо (а случае органич. осноаы). Поглощающим материалом маски обычно служит золото толщиной 0,2—0,5 мим. Конструкция рентгеношаблона должна предусматривать возможность его автоматнч. совмещения с подложкой, что представляет серьёзную техн. задачу. При этом для повышения производительности экспонирования для каждого источника рентгеновского излучения должна быть подобрана оптим. пара: рентге-ношаблон — рент гено резне т.
Иоиолитография (ИЛ) — перспективный вид Л., осуществляющий перенос изображения с помощью пучка ионов лёгких элементов (напр., Не , О , Н , Аг и др.), не получивший пока широкого распространения. Исследованы возможности экспонирования а ИЛ управляемым с помощью ЭВМ острофокусир. ионным пучком и широким ионным пучком с применением спец. шаблона. Первый способ (рис. 6) обладает всеми преимуществами сканирующей ЭЛ и даёт возможность получать в слое ионорезиста рисунки с размерами элементов менее 0,1 мкм; второй является более производительным, но уступает первому по разрешающей способности, величина к-рой достигает а этом случае лишь 0,5 мкм. Осн. трудности ИЛ с применением шаблонов — создание последних и проблемы совмещения Шаблоны, применяемые а ИЛ, могут быть типа открытого трафарета (без несущей основы — мембраны), по конструкции аналогичные электроношаблонам для проекц. ЭЛ, либо с тонкой аморфной мембраной, аналогичные шаблонам в РЛ. Однако ао втором случае шаблоны ещё более трудоёмки в изготовлении, поскольку мембрана а ИЛ должна быть значительно тоньше, чем в РЛ, из-за сильного поглощения ею энергии ионов.

ЛИНИЯ ПЕРЕДАЧИ, устройство для направленной передачи эл.-магн. энергии или электрич. сигналов от одного объекта к другому. В электротехнике и телефонной связи Л. п. выполняют в виде системы проводов, подвешенных на опоре, либо в виде кабелей (силовых, телефонных). В технике СВЧ и оптике применяют Л. п. двух типов: открытые (однопроводные, неэкранироаанные двух- и многопровод-ные, полосковые линии, диэлектрич. волноводы, а также зеркальные и линзовые Л. п.) (рнс. 1) и закрытые (экранированные двух- и многопроводные Л. п., коаксиальные линии, металлич. волноводы и др.) (рис. 2). При длинах волн )., значительно превышающих длину I Л. п., электрич. процессы в линии описываются законом Ома. По мере уменьшения /. (практически начиная с >-<^В/) станоаится заметным запаздывание сигнала вдоль Л- п. При А<С81 Л. п. представляют как систему с распределёнными параметрами, к-рые характеризуются значениями индуктивности, ёмкости, активного сопротивления и проводимости между проводниками в расчёте на единицу длины. Проводные Л п. с распределёнными параметрами получили назв. длинных линий; мгновенные значения силы тока и напряжения в длинной линии математически связаны между собой г. н. телеграфными уравнениями, получаемыми из Максвелла уравнений. Наиболее широко в диапазоне СВЧ используются коаксиальные Л. п. (при А.^1 см), волноводы (1 мм > -^0,3 м), а также зеркальные Л. п. (напр., в радиорелейных линиях связи сантиметрового диапазона). В устр-вах малой мощности применяют полосковые и щелевые Л. п., к-рые позволяют создавать более компактные и дешевые радиотехн. устр-аа (см., напр., СВЧ интегральная схема). В миллиметровом и оптич. диапазонах используют диэлектрич. волноводы (см. Волоконно-оптический кабель. Волоконно-оптическая линия связи) и линзовые Л. п. (а оптике такие Л  п. наэ. оптическими системами).
Осн. характеристики Л. п.: рабочий диапазон частот, макс, допустимая мощность (средняя и импульсная), волновое сопротивление. Рабочий диапазон частот Л. п. выбирается обычно таким, чтобы а ней распространялся с малым ко эф. затухания волн и малой дисперсией (см. Дисперсия волн) только один тип волны. Макс, допустимая мощность определяется в основном тепловыми потерями и эффективностью теплоотвода при передаче непрерывных сигналов и пробивной напряжённостью поля при передаче импульсных (напр., для воздуха при нормальном атм. давлении пробивная напряженность ^гЭО кВ см). С целью увеличения допустимой мощности непрерывных сигналов проводники полируют, покрывают серебром или (а ряде случаев) золотом. Для увеличения допустимой импульсной мощности повышают давление газа а Л. п. до (S—6) • 10 Па. Повышению допустимой мощности способствует также увеличение сечения Л. п. (напр., в т. н. саерхразмерных волноводах). Однако такое увеличение может привести к распространению высших типов волн наряду с основным. Для эффективного подавления всех типов воли, кроме одного, стенки волноводов покрывают изнутри тонким слоем диэлектрика. При создании раэл. устр-а, содержащих Л. п., закрытые линии можно располагать сколь угодно близко друг от друга, тогда как открытые должны отстоять настолько, чтобы сигнал а одной Л. п. не наводил помехи а другой. Большинство Л. п. однородны вдоль направления распространения волны. Структура поля для волн, бегущих а однородных Л. п., обладает тем св-аом, что а отсутствие потерь асе компоненты электрич. и магн. полей, перпендикулярные оси линии, либо синфаэны, либо противофаэны; компоненты, параллельные оси (если они отличны от нуля), сдвинуты по фазе относительно поперечных на if2. Это св-ао полей а Л. п. используют при создании устр-а, содержащих ферритоаые элементы (вентили, фильтры и т. п.), для к-рых требуется поле с круговой поляризацией.

ЛИНЗОВЫЙ РАСТР (от лат. rastrum — грабли), оптиче--кая система, состоящая из большого числа одиночных линз идентичными параметрами, определённым образом расположенных на к.-л. поверхности, и служащая для структурного преобразования направленного пучка света. Поверхность Л. р. может быть плоской, конич., сферич. и др. формы. По характеру распределения линз различают регулярные Л-р., в к-рых линзы расположены в определённом порядке, и нерегулярные.
Наиболее распространёнными являются Л. р. из термо-реактивныж полимерных материалов. При изготовлении такого Л. р. в матрице из твердого материала (напр., нержавеющей стали) выдавливают калиброванные углубления со сферич. поверхностью, в к-рые заливают исходный полимерный материал. После полимеризации полученная совокупность линз (т.и. реплика) наклеивается на стеклянную подложку (рис. а). Л. р. изготовляют также звпрессо-аыванием одиночных стеклянных микролинэ а полимерную плёнку (рис. б).
Выделяют топографический Л. р., к-рый представляет собой матрицу идентичных голограмм, каждая из к-рых выполняет ф-ции оптич. линзы или системы линз (см. Голография).
Л. р. используют а запоминающих топографических устройствах, а качестве конденсора (вместе с матрицами инжек-ционных лазеров или саетодиодов), а качестве мультипликатора  Изображения И   Др.

ЛИНЗА (нем. Linse, от лат. lens — чечевица), прозрачное тело, ограниченное двумя поверхностями, преломляющими саетоаые лучи; способна формировать оптич. изображения предметов, светящихся собственным или отражённым светом. Различают собирающие (положительные) и рассеивающие (отрицательные) Л. (рис.) Л. для видимого света изготовляют а основном из оптических (с высокими однородностью и оптич. прозрачностью) или органич. стёкол; для УФ излучения — из кварца, флюорита, фторида лития и др., для ИК излучения — из кремния, германия, флюорита, фторида лития и др.
Л   является одним из осн. элементов оптических систем.