РЕНТГЕНОВСКАЯ ТРУБКА, электровакуумный прибор, предназначенный для получения рентгеновского излучения. Возбуждение рентгеновского излучения в Р. т. осуществляется в результате бомбардировки твердотельной мишени пучком ускоренных эл-нов. Осн. элементами Р. т. являются катод, анод (несущий мишень или сам выполняющий функции мишени) и вакуумно-плотная оболочка (баллон). Эмиттированные катодом эл-ны ускоряются большой разностью потенциалов (десятки — сотни кВ), приложенной между катодом и анодом, и при ударе о мишень резко тормозятся. При торможении кинетич. энергия эл-нов частично (от 0,1 до 5% в зависимости от величины ускоряющего напряжения и материала мишени) преобразуете я* в энергию рентгеновского излучения; остальная доля кинетич. энергии эл-нов переходит в тепло, к-рое отводится от анода с помощью системы охлаждения. Участок поверхности мишени, на к-ром тормозятся эл-ны, наз. фокусным пятном Р. т
В большинстве типов Р. т. используются вольфрамовые прямонакальные катоды в виде плоской, винтовой или V-образной спирали (свободные зл-ны возникают за счёт термоэлектронной эмиссии катода, нагреваемого от самостоят, источника, см. Термоэлектронный катод). Для фокусировки эл-нов спираль размещают в углублении фокусирующего электрода. В импульсных Р. т., предназнач. для генерирования очень коротких (0,01—1,0 мке) вспышек рентгеновского излучения, применяют холодные катоды (острийные или лезвенные) из вольфрама и нек-рых др. материалов, работающие в режиме автоэлектроиной или взрывной электронной эмиссии. В зтом случае фокусирующий электрод обычно не используют.
В Р. т получили распространение массивные (толстые) и т. н. прострельные аноды (рис. 1). Массивный анод состоит из мишени толщиной 0,02—3 мм и медного цилиндра (тела анода); прост рель ный анод — из тонкослойной (толщиной неск. мкм) мишени и слабо поглощающей рентгеновское излучение подложки. В Р. т. с массивным анодом электронный пучок и рабочий пучок излучения (используемая часть общего потока генерируемого рентгеновского излучения) располагаются по одну, а в Р. т с прост-рельным анодом — по разные стороны мишени Материал для мишени выбирается в зависимости от назначения Р. т Для получения интенсивного тормозного излучения мишень изготовляют из металлов с большим ат. номером: W, Re и др. Если используют характеристич. излучение Р т., то мишень выполняют из материала, обеспечивающего требуемую длину волны характеристич линий (для этих целей применяют Сг, Fe, Си и др. металлы). Для повышения интенсивности рентгеновского излучения приходится увеличивать электрич. мощность, подводимую к аноду Р. т., что связано с опасностью его плавления, поэтому в нек-рых Р. т. применяют вращающиеся (с частотой 50—150 оборот/с) аноды, способные рассеивать в 5—30 раз ббльшую мощность, чем неподвижные аноды при прочих равных условиях.
Вакуумно-плотная оболочка Р т., как правило, состоит из диэлектрич. баллона (стеклянного или керамического) и металлич. корпуса, в к-рый впаяно одно или неск бериллиевых окон для выпуска пучков рентгеновского излучения. В ряде случаев оболочка Р. т. состоит только из баллона, а выпуск излучения осуществляется непосредственно через его стенку
По способу получения свободных эл-нов Р. т подразделяются на ионные и электронные. Исторически первыми появились ионные Р. т. с холодным катодом (1895). Давление газа внутри такой трубки составляет ок 0,1 Па. При работе ионной Р. т. в между электродном промежутке вследствие ионизации газа образуются положит, ионы, к-рые движутся к катоду и выбивают из него эл-ны. Освободившиеся эл-ны ускоряются в направлении мишени и тормозятся на ней. Ионные Р. т были вытеснены более совершенными высоковакуумными (давление 10 —10~ Па) электронными Р т. с накалённым катодом. Наиболее удачные обраэцы таких приборов, явившиеся прообразом совр Р т., созданы амер. физиком У. Купи джем в 1913.
РЕНТГЕНОВСКАЯ БЕТАТРОННАЯ КАМЕРА,
электровакуумный прибор для получения рентгеновского излучения путём бомбардировки мишени потоком электронов, ускоренных вихревым электрич. полем. Р. б. к. представляет собой баллон из стекла или керамики тороидальной формы, внутри к-рого по круговой орбите ускоряются эл-ны. Для первичного формирования электронного пучка в камере установлена трёх электродная электронная пушка (инжектор). Ускоренные эл-ны путём резкого изменения магн. или электрич. поля в бетатроне (см. Ускорители заряженных частиц) направляются на мишень — тонкую пластинку, выполненную на основе хим. элемента с большим атомным номером (W, Мо), расположенную у внутр. или наружной стенки камеры (в нек-рых типах Р. б. к. предусмотрено спец. окно для вывода ускоренных эл-нов наружу). Впервые принцип бетатронного ускорения для получения рентгеновских лучей был предложен амер. изобретателем Дж. Слепяном в 1922. Первые пром. образцы отпаянных Р. б. к. в СССР были созданы в 1956.
Диапазон энергии ускоренных эл-иов в Р. б. к. 3—100 /ИэВ, соответственно диаметр прибора имеет размеры от 0,15 до 1 м. Мощность рентгеновского излучения (в зависимости от энергии эл-нов и конструкции Р. б. к.) лежит в пределах от десятка миллирентген до неск. тысяч рентген в минуту.
Р. б. к. находят применение в медицине для лучевой рентгенотерапии, в металлургии для дефектоскопии, в геологии для активац. анализа и др.
РЕНТГЕНОВИДИКОН [от рентгеновское излучение) и видикои], передающий электронно-лучевой прибор (по принципу действия аналогичный видикону), чувствительный к рентгеновскому излучению. Фото про водящий слой мишени в Р. обычно выполняют иэ Se или РЬО. Поскольку рентгеновское излучение ие фокусируется, размеры входного окна Р определяют размеры исследуемого объекта и являются одним из осн. параметров прибора. К важным рентгенотехнич. параметрам Р. относятся: рабочий диапазон жёсткости излучения, контрастная чувствительность (отношение размера наименьшего наблюдаемого дефекта в направлении просвечивания к общей толщине объекта в зтом направлении), соответствующая этой чувствительности интенсивность излучения и разрешающая способность.
Р. классифицируют в зависимости от диаметра входного окна и диапазона жёсткости рентгеновского излучения. Разработаны Р. с диаметром входного окна 19,9 и 150 мм на рабочий диапазон жёсткости излучения 50—200 кВ с контрастной чувствительностью 0,5—1,5%. Разрешающая способность Р. достигает 1200 телевиз. линий при диаметре изображения 90 мм. Разработка и совершенствование Р.— перспективное направление для рентгеновской пром. дефектоскопии. Как средство выявления скрытых дефектов объектов, Р. имеет ряд преимуществ перед фотоплёнкой: возможность наблюдения в движении, с увеличением, на большом расстоянии от объекта и т. д.
РЕЛЯТИВИСТСКАЯ ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, раздел электроники, посвященный использованию релятивистских электронных пучков (РЭП) и (или) спе цифич. релятивистских эффектов для усиления, генериро вания и преобразования эл.-магн. колебании (волн). Релятивистские эффекты проявляются, как правило, при скоростях эл-нов v, соизмеримых со скоростью света с, т. е при достаточно высоких значениях ускоряющего потенциала U (eU^&o. где с — энергия покоя эл-нов); однако роль этих эффектов может быть определяющей и в устр-вах со слаборелятивистскими (у <ёСс ) электронными пучками, напр. в мазерах на циклотронном резонансе (МЦР) По скольку повышение U является наиболее действенным с по собом увеличения мощности электронных пучков, то Р в э представляет собой прежде всего область электроники больших мощностей.
В Р. в. э. используются те же виды синхронизма электронов и волн, что и в нерелятивистской классич электронике. Однако особенности кинематики и динамики ре л я тивистского эл-на приводят к радикальным различиям между законами, определяющими работу релятивистских и соответствующих нерелятивистских приборов, а также создают возможность реализации высокоэффективных релятивистских приборов, не имеющих близких нерелятивистских аналогов. К числу важнейших эффектов, используемых в Р. в. 1., относятся следующие. 1) для компактного группирования электронов требуются всё большие по сравнению с длиной волны >. пространств, масштабы. Это означает, что при переходе от нерелятивистских энергий к релятивистским существенно перестраиваются подобия законы генераторов и усилителей. Такая перестройка приводит, в частности, к сужению полосы синхронизма эл-нов с волной и тем самым облегчает проблему селекции мод в мощных релятивистских генераторах с пространственно развитыми электродинамическими системами.
2) При тормозном излучении эл-нов с ростом их энергии максимум спектральной интенсивности излучения смещается в область частот, существенно превосходящих частоты, представленные в неравномерном (напр., осциллятор-ном) движении ч-ц. Это открызает возможность для продвижения рабочих частот ее этветствующих генераторов (МЦР, скаттронов и др.) в более коротковолновые диапазоны.
3) Поскольку поперечная масса эл-нов в Y Раз меньше продольной, то в отсутствие статич поля, к-рое ограничивало бы их поперечное движение, группирование эл-нов под действием ВЧ модулирующего поля развивается в поперечном направлении гораздо быстрее, чем в продольном Этот эффект используется в секционированных приборах с поперечным отклонением эл-нов — гироконах, оптич. клистронах
4) В потоке эл-нов, движущихся по винтовым траекториям в однородном магнитостатич поле, наряду с про~ дольным (относительно магнитоств 'ич. поля) группированием, обусловленным неоднородностью ВЧ поля, имеет место принципиально иной вид инерционного группирования— орбитальное, обусловленное релятивистской зависимостью циклотронной частоты от энергии зл-нов. Этот вид группирования лежит в основе действия МЦР, среди к-рых наиболее перспективны: при слабо- и умвренно-реля-тивистских энергиях — гиротроны (в них доминирует орбитальное группирование); при ультрарелятивистских энергиях — МЦР с соизмеримыми эффективностями продольного и орбитального группирований.
Для практич реализации мощных релятивистских приборов требуются прежде всего источники интенсивных РЭП с достаточно малой дисперсией параметров, а также элект-родинамич. системы с достаточными селективностью и электрич. прочностью Принципиально релятивистские эффекты начали использоваться в ВЧ электронике с кон. 50-х гг. 20 в Первыми генераторами такого рода были гиротроны. Достигнутая к сер. ВО-х гг непрерывная мощность гиротронов составляет неск. сотен кВт при У.^.2 мм и превышает 1 кВт при >.-~1 мм, мощность в импульсах длительностью 10 —10 с составляет 100 кВт при Х-—0,7 мм и превышает 1 МВт при ).^-Э мм Возможность создания релятивистских электронных ВЧ генераторов повыш. мощности возникла в кон- 60-х гг. благодаря появлению сильноточных электронных ускорителей. Для генерации используются пучки эл-нов с энергиями 0,5—2 МэВ и токами 1—100 кА Из приборов Р в 1 наибольшее распространение получили на относительно длинных волнах (/^3 мм) — генераторы, действие к-рых основано на использовании индуцированного черенковского излучения (релятивистские магнетроны, ЛОВ, оротроны и т п.), нв относительно коротких волнах {k$Z3 мм) — генераторы, работающие на основе тормозного излучения и рассеяния волн (релятивистские убитроны, МЦР, скаттроны и т п.). В кон 70-х гг в СССР США и др странах появились ВЧ генераторы, использующие в качестве инжекторов эл-нов линейные ускорители повыш. мощности с тактовой частотой, позволяющей реализовать синхронизм между импульсами тока и эл.-магн. импульсом, последовательно отражающимися от зеркал открытого резонатора. Такого рода устр-ва, в к-рых используется релятивистский Доплера эффект при индуцированном излучении осциллирующих ультрарелятивистских (с y— '0 ) эл-нов, генерируют когерентные эл.-магн. колебания в оптическом («лазерном») диапазоне и поэтому получили назв. лазеров на свободных электронах.
РЕЛЕ (франц. relais, от relayег — сменять, заменять), устройство для автоматич. переключения электрич. цепей, к-рое при воздействии на него внеш. управляющего сигнала скачком изменяет состояние электрич. цепи. В соответствии с физ. природой явлений, используемых в Р., их разделяют на электрические (с дальнейшим подразделением на Р. тока, напряжения, мощности, частоты электрич. колебаний), механические (Р. перемещения, скорости, давления и др.), мат., оптич., хим., тепловые, а также эл.-магн., магнитоэлектрич. и т. д. По назначению различают Р. защиты, контроля, управления, сигнализации и др.
Р. содержит, как правило, воспринимающий орган, служащий для восприятия управляющего сигнала, исполнительный орган, непосредственно осуществляющий воздействие на управляемый объект, и промежуточный орган, перерабатывающий и передающий воздействия от воспринимающего органа к исполнительному (конструктивно эти органы могут быть объединены друг с другом). В качестве исполнит, органа применяют электрич. контакты (к о н т'а к т н ые Р.) либо магнитонасыщенные элементы (магн. усилители), ПП приборы (транзисторы, тиристоры) и др., резко изменяющие свое сопротивление, ёмкость или индуктивность в результате внеш. воздействия и не требующие для управления электрич. цепями механич перемещений (бесконтактные Р.).
Широко распространены нейтральные электромагнитные Р., действие к-рых основано на явлении эл.-магн индукции. Такие Р. срабатывают в результате взаимодействия ферромагн. якоря с магн. полем обмотки, по к рои течёт управляющий ток. При определенной величине тока в обмотке Р. якорь притягивается к сердечнику, производя переключение контактов в управляемой цепи. Поляризованное эл.-магн. Р отличается от нейтрального наличием дополнит, пост, магнита, а также зависимостью направления перемещения якоря от полярности управляющего тока.
С сер. 80-х гг. всё большее применение находят бесконтактные электронные Р., выполненные в видв электронной схемы с двумя состояниями устойчивого равновесия, проходное сопротивление к-рых изменяется при воздействии управляющего сигнала от долей Ом до сотен кОм В качестве активных элементов в таких схемах обычно используют электронные лампы, транзисторы и тиристоры. Электронные Р. надежны в работе, обладают высокой чувствительностью, мало инерционны (их быстродействие до стигает нвск. не). Получили распространение также фотоэлектронные Р., действие к-рых основано на использо вании фотоэлектрических явлений. Воспринимающим органом в них обычно служит фотоэлектрич. преобразователь (фотоэлемент, фоторезистор или фотодиод), к-рыи может быть конструктивно объединён с усилителем (напр., фотоэлектронным умножителем). Управление выходной электрич. цепью осуществляется элементом со ступенчатой (релейной) характеристикой (спусковым устр-вом на электрон ных лампах, ПП приборах и др.).
Р. широко применяют в устр-вах автоматики, телемеханики, энергетики, измерит, техники, в аппаратуре свя зи, вычислит, машинах и т. Д.
РЕЛАКСАЦИОННЫЙ ГЕНЕРАТОР (импульсный генератор), источник электрич. негармонич. колебаний, обычно с широким спектром. Осн. элементы Р. г. — реактивный накопитель энергии (емкостный или индуктивный) и нелинейный элемент с вольт-амперной характеристикой, имеющей падающий участок, благодаря чему такой элемент приобретает гистерезисные св-ва (см. Гисгерезисные явления). Наличие этих св-в обусловливает чередование двух осн. стадий работы Р. г. — стадии запасания в накопителе энергии от питающего источника пост, тока (напряжения) и стадии релаксации, когда накопитель освобождается от значит, части энергии (она рассеивается в нелинейном элементе и активных элементах Р. г., напр. в резисторах). Соизмеримость максимально запасённой и отдаваемой накопителем энергии — характерная отличит особенность Р. г. В качестве нелинейного элемента в Р. г. применяют газоразрядные приборы (тиратроны, неоновые лампы), электронные лампы, транзисторы, тиристоры, туннельные диоды и др. либо усилит, каскад (транзисторный, ламповый) с положит, обратной связью.
К числу наиболее распространённых Р. г. относятся мультивибраторы, блокинг-генереторы, фантастроны. Для Р. г. типичны автоколебат. режимы работы, при к-рых период релаксац. колебаний определяется параметрами Р. г. Из-за невысокой стабильности частоты (а следовательно, и периода) колебаний Р. г. такие генераторы часто синхронизируют от внеш. источника стабильных колебаний. Используется также ждущий режим работы, при к-ром Р. г. срабатывает в результате воздействия сигнала извне. Р. г. применяют в устр-вах импульсной техники, в частности в телевиз., радиолокац., радиоизмерит. аппаратуре.
РЕЛАКСАЦИОННЫЕ КОЛЕБАНИЯ, колебания, резко отличающиеся по форме от гармонических, возникающие в нелинейных системах, в к-рых существенную роль играют диссипативные силы: внеш. или внутр. трение — в ме-хаиич. системах, активное сопротивление — в электрических.
В электронных устр-вах Р. к. возникают в тех случаях, когда имеются условия для периодич. скопления и последующего рассасывания объёмных (или поверхностных) зарядов, причём скорость одного из этих процессов существенно выше, чем скорость другого. Примеры Р. к. в электронных устр-вах: периодич. исчезновение и образование виртуального катода в пространстве между электродами ЭВП вследствие накопления в этом пространстве эл-нов и последующей нейтрализации их объёмного заряда ионами остаточных газов; колебания, связанные с периодич. образованием и исчезновением электрических доменов сильного поля в диодах Ганна, возникновением бегущих страт в газоразрядных приборах, быстрым формированием и медленным рассасыванием лавинной плазмы в нек-рых режимах работы ЛавиннО-ПрОлёТнЫХ ДИОДОВ.
РЕКОМБИНАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА (от лат.re — приставка, здесь означающая возобновление, повтор-ность действия, и ср.-век. лат. combinatio — соединение), 1) рекомбинация электронов и дырок — исчезновение пары электрон проводимости — дырка в результате их прямого столкновения или пос ледова т. захвата (сначала эл-на, потом — дырки, и наоборот) локальными (рекомбинациоиными) уровнями энергии в запрещённой зоне полупроводника. Избыток энергии при Р. н. з. может выделиться в виде кванта эл.-магн. излучения (излучательиая рекомбинация); при безызлучательной рекомбинации энергия и квазиимпульс эл-на и дырки могут быть переданы колебаниям крист. решётки (фоиоиам) или третьей частице— эл-ну или дырке (Оже-рекомбинация, или ударнвя рекомбинация). Р. н. з. может происходить как в объёме ПП, так и на его поверхности.
При прямом столкновении эл-на и дырки эл-н из зоны проводимости переходит в валентную зону, заполняя в ней вакантное состояние — дырку (рекомбинация зона — зона, или межзонная рекомбинация).
При Р. н. з. с участием рекомбинац. уровней примесей и др. дефектов крист. решётки (см. Ловушки носителей заряда) процесс является двухступенчатым: эл-и захватывается рекомбинац. уровнем, затем переходит в валентную зону. Важным частным случаем Р. н. з. через локальные уровни является рекомбинация экситонов.
В реальных ПП разл. процессы Р. н. з. сосуществуют, но обычно преобладает один из них. Излучат, рекомбинация зона—зона наблюдается в узкоэонных ПП (GaAs, InSb) и является причиной излучения света в светодиодах и ПП лазерах, а также люминесценции. В широкозониых ПП (Si, Ge) доминируют процессы бе зы злу чат. Р. н. з. (в основном фононной) через рекомбинац. центры.
Процесс Р. н. з. определяется эффективным сечением захвата эл-нов и дырок (величина, обратная произведению концентреции носителей заряда данного типа на ср. путь, проходимый носителями заряда от момента его генерации до момента захвата), а также концентрацией рекомбинац. ловушек и их положением в запрещённой зоне. Вероятность Р. н. з. в 1 с определяется равенством W=SnVT, где S — ффективное сечение захвата, п — концентрация эл-нов, VT — тепловая скорость дырок. Полное число актов Р. н. з. в 1 см равно г—SVT пр=апр, где р — концентрация дырок, a SVt — коэф. Р. н. з. Темп Р. н. з. R определяется как разность между числом актов Р. н. з. и числом актов дт тепловой генерации носителей заряда (gT=unn pn): R=a
и(пр—п.|р„).
Процессы Р. н. з. совместно с процессами генерации носителей заряда определяют изменение концентрации зл-нов и дырок в ПП. Эти изменения описываются уравнениями непрерывности. В случае, когда существ, роль играют процессы поверхностной Р. н. з., в уравнения добавляются члены, описывающие процессы диффузии ч-ц к поверхности, и члены, отвечающие поверхностной Р. н. з. Из уравнений непрерывности можно получить значения времени жизни электронно-дырочных пар в ПП. Однако оказывается, что время жизни не является характеристикой ПП материала, поскольку зависит от концентрации неравновесных носителей заряда.
РЕЗОНАТОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, резонатор, способный накапливать энергию поверхностных акустических волн (ПАВ). Состоит из звукопровода, на поверхности к-рого расположены два отражателя поверхностных акустических волн и один (одно-входовый Р. на ПАВ) или два (двухвходовый Р. иа ПАВ) встречно-штыревых преобразователя . Принцип действия Р. на ПАВ основан на многократном отражении ПАВ, возбуждённой входным встречно-штыревым преобразователем, и на образовании между отражателями стоячей акустич. волны. Эта волна принимается входным (в случае одновходового Р. на ПАВ) или выходным (в случае двух-входового Р. на ПАВ) встречно-штыревым преобразователем. Использование третьего встречио-штыревого преобразователя, параллельно к-рому включена электрич. нагрузка, „позволяет осуществлять в небольших пределах ( — 0,5%) плавную частотную перестройку Р. на ПАВ вследствие зависимости скорости распространения ПАВ под встреч ио-штыревым преобразователем от степени шунтирования его электрич. нагрузкой.
Осн. параметре Р. на ПАВ — добротность (достигает десятков тыс.), рабочая частота (30 МГц — 1 ГГц); долговременная стабильность и термостабильность приближаются к соответствующим параметрам объёмных кварцевых резонаторов.
Выделяют многосекционные Р. на ПАВ, в к-рых связь между отд. секциями осуществляется разл. путями: использованием широкоапертурных встречно-штыревых преобразователей или многопо л основы х ответвителей; изменением траектории распространения ПАВ. Многосекционные Р. на ПАВ обладают лучшими параметрами по сравнению с Односекционными Р. на ПАВ.
Р. на ПАВ применяют в качестве узкополосных электрич. фильтров (напр., в радиоприёмных устр-вах), а также вводят в контур электрич. генераторов для стабилизации их частоты.
РЕЗОНАНСНАЯ ЧАСТОТА (fp), частота установившихся вынужденных гармонич. колебаний в линейной колебательной системе, соответствующая установлению таких фазовых соотношений между гармонич внеш. силой и вынужденными колебаниями, при к-рых вся энергия, подводимая к системе от источника, полностью поглощается в ней, не отрвжаясь, компенсируя потери энергии на диссипативных элементах системы. При этом наблюдается явление резкого увеличения амплитуды колебаний в колебат. системе, получившее назв. резонанса. В колебательном контуре Р ч. соответствует равенство нулю мнимой части либо входного сопротивления (последоват. резонанс), либо входной проводимости (параллельный резонанс). При этом мощность, поступающая от внеш. источника в систему, равна мощности, к-рая поглощается в системе на её активном сопротивлении. В системах со мн. степенями свободы (п-^2) число Р. ч. равно числу собств. частот этой системы. По величине Р. ч. может совпадать или не совпадать с собств. частотой f , если последняя определена без учета реальных потерь в колебат системе. В частности, эти частоты совпадают при последоват. резонансе в колебат. контуре, а также при параллельном резонансе в случае равенства активных сопротивлений в параллельных реактивных ветвях. В более сложных случаях относит, разность (fp—f )/f составляет величину порядка 1 Q~, где Q — добротность колебат. системы. Р. ч. всегда не совпадает с f , если последняя определена с учётом потерь системе.
Э. А. Гельвмч
РЕЗОНАТОР, колебательная система, способная накапливать энергию колебаний или волн той или иной физ. природы (механич., эл.-магн. и др.) при воздействии внеш. силы определённой частоты. Существуют Р.- акустические, поддерживающие упругие колебания, возбуждаемые механич. силами,— камертон, мембрана, полость (резонатор Гельмгольца) и т д., электромагнитные, поддерживающие электрич. (эл.-магн.) или упругие колебания, возбуждаемые эл.-магн. полем,— колебательный контур, резонатор на отрезке линии, объёмный резонатор, гиромагнитный резонатор, пьезоэлектрический резонатор, магнитострикционный Р. и др. Каждый Р характеризуется спектром собств. частот колебаний в нём Собств. частоты эл.-магн. Р. и структуру соответствующих им полей, к-рые в совокупности наэ. видами колебаний (модами колебаний), можно определить из решения Максвелла уравнений с учётом граничных условий на образующих Р. поверхностях и диэлектрич. и магн. св-в заполняющих или образующих его материалов Спектру собств. частот Р. соответствует спектр резонансных частот, к-рые несколько отличаются от собственных.
Под действием гармонич. внеш. силы в Р. возбуждаются также гармонич. вынужденные колебания той же частоты, что и частота вынуждающей силы. При этом Р. сильнее
всего откликается иа такое воздействие, частота к-рого совпадает с одной из резонансных частот Р. (явление резонанса). Амплитуда вынужденных колебаний при резонансе в Q раз (Q — добротность Р.) превышает амплитуду воздействующего сигнала. Под действием несинусоидальной внеш. силы в Р. возбуждаются колебания сложной формы, представляющие собой сумму вынужденных колебаний таких резонансных частот, к-рые совпадают или близки к частотам соответствующих гармоник воздействующего сигнала.
Важнейшая характеристика Р.— его частотная избирательность. Для каждого вида колебаний она количественно оценивается шириной резонансной кривой P.: \f=fp/Q, где fp — резонансная частота. Частотная избирательность Р. определяет амплитуду вынужденных колебаний в Р. и, следовательно, величину запасаемой в нём энергии. Для Р., используемых совместно с электронными приборами, важным параметром является волновое сопротивление Р., к-рое характеризует эффективность взаимодействия носителей заряда с эл.-магн. полем в Р. Обычно волновое сопротивление Р. 20—130 Ом. Диапазон рабочих частот эл.-магн. Р., применяемых в радиоэлектронике, 10—10 J Гц при величинах добротности 10—10 в зависимости от типа Р.