СВЧ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, класс интегральных схем, выполняющих функции генерирования, усиления и преобразования эл.-магн. колебаний в диапазоне СВЧ, СВЧ ИС являются разновидностью аналоговых ИС; в ряде случаев СВЧ ИС выполняют специфич. ф-ции, характерные для элементов лриёмо-лередающей СВЧ аппаратуры, в т. ч. такие виды преобразования СВЧ сигналов, как детек-тироввние, модуляция, изменение фазы, преобразование частоты, деление и суммирование мощности.
В отличие от др. классов ИС, степень интеграции СВЧ ИС невелика — не свыше неск. десятков элементов нв подложку (или кристалл), но кол-во раэл. типов элементов, используемых в одной СВЧ ИС, обычно больше, а требования к точности их изготовления выше. Кроме того, связь между электрич. параметрами СВЧ ИС и параметрами её элементов, как правило, оказывается более сложной, чем в ИС др. классов. Поэтому при проектировании СВЧ ИС широко используют ЭВМ (см. Автоматизация проектирования изделий электронной техники).
Конструктивно СВЧ ИС отличаются от ИС др. классов тем, что в СВЧ ИС используются линии передачи. В основном это линии с двумерной (плоскостной) конфигурвцией электродов. Чаще всего линиями передачи служат микро-полосковые линии, представляющие собой систему из узкого и широкого метвллич. электродов, расположенных на противоположных сторонах тонкой (десятые доли мм) изолирующей подложки. Кроме микрополосковых линий в СВЧ ИС применяют и др. типы двухпроводных линий, напр. компланарные волноводы, у к-рых и узкий (сигнальный), и широкий (заземлённый) проводники лежат в одной плоскости на поверхности изолирующей подложки. Волновое сопротивление входных и выходных линий передачи СВЧ ИС обычно равно 50 Ом. Все проводники линий передачи выполняют по тонкоплёночной (реже толстоплеиочной) технологии.
В зависимости от соотношения между линейными размерами элементов СВЧ ИС и рабочей длиной волны >, различают элементы с сосредоточенными и распределенными параметрами. Первые из них имеют размеры, пренебрежимо малые по сравнению с /. (менее 0,1 >.); к ним относятся ПП диоды, транзисторы, а в области сравнительно больших а — катушки индуктивности, конденсаторы и резисторы невысоких номиналов. Чаще всего такие элементы изготовляют на подложке СВЧ ИС по тонкоплёночной технологии. Катушки индуктивности и резисторы выполняют лреим. в виде меандров или плоских спиралей, конденсаторы — в виде гребёнок, встроенных одна в другую, или трехслойной структуры металл — диэлектрик — металл. В гибридных СВЧ ИС (СВЧ ГИС) используются также малогабаритные керамич. конденсаторы. Линейные размеры элементов с распределёнными параметрами сравнимы с >.. Обычно их строят на отрезках линий передачи длиной порядка 0,25 А, имеющих раэл. значения волнового сопротивления. Использование элементов с распределёнными параметрами характерно только для СВЧ ИС. Для уменьшения рабочей длины волны и, следовательно, уменьшения размеров СВЧ ИС в качестве подложек используют диэлектрики с высоким значением относит, диэлектрич. проницаемости (обычно св. 10; в СВЧ ГИС применяют диэлектрич. резонаторы с диэлектрич. проницаемостью до неск. сотен). Для элементов, обеспечивающих однонаправленное распространение эл.-маги. волны, в качестве подложек используют ферриты (в цирку ля торах и вентилях); для изготовления уэкополосных электрич. фильтров и высокодобротных резонаторов в ниж. части диапазона СВЧ (до 2 ГГц) применяют подложки из пьеэоэлектриков (в устр-вах, работающих на поверхностных акустических волнах).
Активными элементами СВЧ ИС служат: в ниж. части диапазона СВЧ — кремниевые и германиевые транзисторы (полевые и биполярные), на частотах св. 6 ГГц — лреим. полевые транзисторы с барьером Шоттки на основе CaAs. В СВЧ ГИС, применяемых в генераторах и мощных усилителях, часто используют лавинно-пролётные диоды. Из др. активных элементов СВЧ ИС применяются также р—i—л-ди-оды, Шоттки-диоды, варакторные диоды, диоды с накоплением заряда. В СВЧ ГИС ПП элементы изготовляются в бес корпус ном исполнении (напр., приборы с балочными или шариковыми объёмными выводами) или в спец. керамич. держателях. При этом особое внимание уделяется воспроизводимости входных и выходных полных сопротивлений и уменьшению паразитных влияний выводов элементов. Существенного уменьшения паразитных параметров добиваются в монолитных СВЧ ИС. Как правило, монолитные СВЧ ИС изготовляются на основе CaAs; роль диэлектрич. подложки в них выполняет CaAs, легированный Сг (уд. сопротивление подложки 10"—10е Ом -см), а активные элементы формируются в легированных донорами эпитаксиальных слоях или ионно-пегированных участках подложки. Использование доноров (а не акцепторов) для легирования областей активных элементов обусловлено высокими подвижностью и скоростью дрейфа эл-нов в ПП соединениях типа А В , что важно для обеспечения высокой рабочей частоты этих элементов. Для монолитных СВЧ ИС с рабочей частотой до 6 ГГц перспективны структуры типа «кремний на сапфире».
СВЧ ИС имеют те же преимущества перед устр-вами на дискретных компонентах, что и другие ИС. К специфич достоинствам СВЧ ИС Относится возможность создания сверх широкополосных (многооктавных) устр-в, работающих в диапазоне вплоть до сантиметровых волн, и широкополосных устр-в, работающих в KB части СВЧ диапазона. Расширение полосы частот достигается эа счёт уменьшения кол-ва оеактивных паразитных элементов, а также эа счёт применения элементов с сосредоточенными параметрами. Эти преимущества особенно сильно проявляются у монолитных СВЧ ИС.
Общий недостаток СВЧ ИС — трудность создания уэко-полосных устр-в из-за низкой добротности резонаторов, высоких потерь в тонкоплёночных линиях передачи и пассивных элементах.
Наибольшее распространение получили СВЧ ИС широкополосных усилителей, смесителей, переключателей приём — передача, фазовращателей, умножителей частоты, маломощных генераторов для гетеродинов, ферритовых интегральных устр-в (циркуляторов, вентилей), а также пассивные СВЧ ИС в микрополосковом исполнении, содержащие и элементы с сосредоточенными параметрами. Последние используются в качестве широкополосных многополюсников (фильтров, направленных ответвите лей и т. п.). В составе радиоэлектронных СВЧ систем отд. СВЧ ИС монтируются в общий корпус, имеющий герметичные разъёмы, согласованные по волновому сопротивлению с входными и выходными линиями передачи. Известны и сложные СВЧ ГИС, представляющие собой целое приёмопередающее устр-во.
СХЕМОТЕХНИКА, научно-техническое направление, охватывающее проблемы синтеза схем электронных устройств радиотехники, связи, автоматики, вычислит, техники и др. в целях оптимального выполнения ими заданных функций. Синтез схем электронных устр-в заключается в разработке их структуры исходя из назначения каждого устр-ва в отдельности с учетом специфики его функционирования в составе нек-рой техн. системы. Разработка структуры электронного устр-ва основана на выборе системы элементов (электровакуумных и ПП приборов, ИС, резисторов, конденсаторов, коммутац. элементов и т. п.), определении требуемых функциональных связей между ними и установлении оптим. режима их работы, а также эксплуатац. допусков на них, чтобы обеспечить требуемую надёжность устр-ва в целом (в течение заданного промежутка времени). При разработке структуры электронных устр-в, как правило, опираются на существующую элементную базу; однако, если существующие элементы по своим характеристикам не подходят для проектируемой аппаратуры, приходится создавать новые элементы (часто в сочетании с новой технологией), параметры к-рых соответствуют требованиям, предъявляемым к разрабатываемому устр-ву (напр., по устойчивости к механич., климатич. или радиац. воздействиям окружающей среды). Т. к. на работу электронных устр-в в реальных условиях существенное влияние оказывают окружающая среда (напр., влажность, колебания темп-ры, загазованность воздуха) и раэл. помехи (напр., радиоактивные излучения, нестабильность источников питания, пром. радиопомехи), то в сложные, многоэлементные устр-ва (напр., микропроцессоры, ЭВМ) вводят дополнит, средства, обеспечивающие устойчивую работу этнх электронных устр-в при внешних мешающих воздействиях и позволяющие контролировать исправность аппаратуры (см. Встроенный контроль).
Синтез схем электронных устр-в, выполненных на основе ИС (в т. ч. БИС и СБИС), получил название микросхемотехники, к-рая охватывает вопросы проектирования как собственно топологии ИС, так и функциональных связей между нимн в пределах данного устр-ва.
Теоретич. базой С. (в т. ч. микросхемотехники) служат теория электрич. цепей, электродинамика, теория автоматов, матем. моделирование и др. По мере увеличения числа ф-ций, выполняемых электронными устройствами, и, соответственно, усложнения их схем всё более широкое применение находят методы автоматич. проектирования с использованием ЭВМ (в частности, на ЭВМ моделируют как схемы устр-в, так и режимы их работы в раэл. условиях, рвссчитыввют оптим. значения параметров их элементов, на основе чего подбирают нужную элементную базу, определяют характеристики межэлементных связей). С развитием микроэлектроники, разработкой БИС и СБИС, к-рые представляют собой по существу уже не отд. узлы (блоки), а целые системы, ми. задачи С. решаются на основе системного подхода, характерного для системотехники.
СПЕКТР (от лат. spectrum — представление, образ) сигнала, совокупность гармонических колебании (гармоник), на к-рые может быть разложен или из к-рых может быть синтезирован сложный сигнал (электрический, оптический, акустический и т. д.). С. может быть дискретным (С. пе-риодич. Сигналов) и непрерывным (С. кепериодич. сигналов). В дискретном С. (напр., в С. периодич. последовательности импульсов) каждая гармоника характеризуется определённой амплитудой и, следовательно, энергией. Чем больше сигнал отличается от гармонического, тем богаче его С, т. е. тем большее число гармоник содержится в разложении. Непрерывный С. (напр., С. шумового сигнала) состоит из бесконечного числа гармонич. составляющих со сколь угодно близкими частотами. Поскольку на всю область частот, занимаемую С, приходится конечная энергия, то на каждую гармонич. составляющую непрерывного С приходится бесконечно малая энергия. Поэтому характеристикой интенсивности разл. составляющих такого С. является спектральная плотность — энергия, приходящаяся на единичный интервал частот (или длин волн) в той или иной области С.
В электронике знание С. позволяет сформулировать требования к полосе пропускания электронных устр-е, а также требования к равномерности их амплитудной и линейности фазовой характеристики а полосе пропускания. С. электрич. сигналов наблюдают с помощью анализаторов спект-р а, принцип действия к-рых состоит в выделении (с использованием уэкополосных электрич. фильтров) отд. гармонич. составляющих исследуемого сигнала; на экране электроннолучевого прибора (или др. устр-ва индикации) по оси ординат отображается напряжение, ток или мощность, а по оси абсцисс — частота.
Силовой полупроводниковый диод,
полупроводниковый диод, допустимый прямой ток к-рого не менее 10 А; предназначен гл. обр. для выпрямления переменного тока. С. п. д. работают при напряжениях от неск десятков В до нес к. кВ, ср. мощность рассеяния превышает 10 Вт (в ряде диодов мощность рассеяния достигает неск. кВт). С. п. д. наэ. также мощным ПП диодом. Действие такого диода основано иа использовании се-в электронно-дырочного перехода (р—n-перехода) или контакта металл — полупроводник (см. Выпрямительный полупроводниковый диод). Основу С. п д. составляет кристалл полупроводнике (Се, Si, CaAs и др.), определяющий манс. рабочую темп-ру прибора: для Ge — 70 С, Si — 200 °С, CaAs — 250 С и более, SiC — до 500 С. Чаще всего для изготовления мощных диодов применяют Si с электропроводностью n-типа. Наиболее распространены С. п. д. с п —п—р—р г-структурой, изготовляемой методом диффузии примесей или эпитаксии — диффузии ; для , обеспечения механнч. прочности ПП структура соединяется с термокомпенсаторами. Чтобы исключить возможность возникновения поверхностного пробоя, по периметру ПП кристалла (после формирования в нём р—n-перехода) делается фаска, заполняемая компаундом. Для защиты от внеш. воздействий (мвквнич., климатич. и т. д.), обеспечения теплоотвбда от ПП кристалле и удобстве монтажа выпрямит, элементы С. п. д. размещают в герметичном корпусе (обычно штыревой или таблеточной конструкции). Контакты между выпрямит, элементами и деталями корпуса в С. п. д. штыревой конструкции могут быть как паяными (сплавными), так и прижимными , в диодах таблеточной конструкции — только прижимными . Применяются также С- п. д. в корпусах с плоским основанием . Для отвода тепла С. п. д. снабжают охлаждающими устр-вами (охладителями). Наиболее распространены воздушный и жидкостный (преим. водяной) способы охлаждения; реже применяется охлаждение испарением (см. Охлаждение электронных приборов). Воздушные охладители представляют собой конструкции с сильно развитой поверхностью, в ком л лент к-рых входят токопро-водящие шины и крепёжные детали; изготовляются обычно из стандартных прессованных алюминиевых профилей раэл. сечения . Пример водяного охладителя для С. п. д. штыревого исполнения представлен на рнс. 6.
В зависимости от способности выдерживать перегрузки по обратному току С- п. д. подразделяют иа выпрямительные, лавинные выпрямительные и павинные с контролируемым пробоем, или стабилитроны. В выпрямительных С- п. д. недопустимы обратные напряжения, приводящие к лавинному пробою их р—n-перехода (см. Пробой полупроводниковых приборов). Лавинный выпрямительный С. п. д. способен работать в течение ограниченного промежутка времени в режиме пробоя перехода (выдерживает кратковрем. импульсные перегрузки). В стабилитронах режим пробоя соответствует рабочему участку вольт-амперной характеристики прибора.
В зависимости от направления токв различают С. п. д. прямой и обратной полярности. В диодах прямой полярности при протекании прямого тока потенциал основания корпуса положителен по отношению к наружному осн. выводу. В противном случае полярность диода принято считать обратной.
С. п. д. широко применяются в высоковольтных преобразовательных устр-вах (в т ч выпрямителях тока) на транспорте, в раэл. пром. установках и т. д.
СЧЕТНО-КОММУТАТОРНЫИ ПРИБбР, многозлект-родный газоразрядный прибор с холодным катодом, предназначенный для счета нмпульсов и коммутации электрич. цепей. Применяется в системах автоматики и устр-вах измерит, техники. Содержит совокупность большого числа анодов, расположенных вокруг металлич. экрана с кольцевой щелью, внутри которого находится катод. Система электродов С.-к. п. размещена в стеклянном баллоне, наполненном инертным газом с примесью водорода. Аноды, катод и экран имеют выводы на ножку прибора. В цепь каждого аиода С.-к. п. подключается коммутируемый элемент, напр. обмотка эл.-магн. реле. При подаче питающего напряжения между одним из анодов и катодом возникает газовый разряд, что эквивалентно резкому уменьшению сопротивления в цепи соответствующего коммутируемого элемента. Благодаря наличию экрана, к-рый обеспечивает образование сжатой формы разряда, через прибор удаётся пропустить ток, достаточный для срабатывания реле (поскольку ток идёт только на один анод, остальные реле не срабатывают). При подаче входного импульса схема управления обеспечивает перенос разряда на следующий анод, при этом срабатывает новое реле и обесточивается ранее включенное. Т. о., во время работы С.-к. п. разряд переходит от анода к аноду н последовательно срабатывают реле. Предельная частота счета (коммутации) достигает неск. кГц. Для упрощения схемы управления аноды (все или часть) объединяют в группы. Направленный перенос разряда в С.-к. п. осуществляется за счёт диффузионно-дрейфового движения свободных ч-ц и обеспечивается подачей многофазных управляющих импульсов на аноды прибора. Для коммутации включенных в цепь С.-к. п. эл.-магн. реле достаточно 3—4 сдвинутых по фазе импульсов. См. также Декатрон.
СУПЕРОРТИКОН (от супер... и ортнкон), высокочувствительный передающий электронно-лучевой прибор с накоплением заряда, переносом изображения с фотокатода не двухстороннюю мишень, со считыванием изображения с мишени медленными электронами и последующим усилением видеосигнала с помощью вторично-электронного умножителя (ВЭУ). В С. оптическое изображение проецируется на сплошной фотокатод (рис.), где преобразуется в подобное ему распределение плотностей фототоков (электронное изображение), к-ро« с помощью системы ускоряющих электродов и фокусирующей катушки, создающей практически однородное продольное мвгн. поле, переносится на мишень прибора. Мишень С. состоит из тонкой (0,2—3,0 мкм) полупроводящей плёнки и мелкоструктурной сетки, расстояние между к-рыми составляет ок. 100 мкм. Фотоэлектроны, выбивая с плёнки вторичные электроны, образуют на ней подобное изображению на фотокатоде распределение зарядов и потенциалов, накапливающихся в течение времени кадра. Б. ч. вторичных эл-нов обладает малыми скоростями и, попадая в поле между плёнкой и сеткой, возвращается в зависимости от скорости и угла вылета на раэл. участки пленки — происходит ~первраспределеннв вторичных эл-нов на плёнке; др. часть вторичных эл-нов оседает на сетке. В результате на мишени С*, возникает потенциальный рельеф, соответствующий распределению освещённости объекта. Потенциальный рельеф, накопленный на плёнке, считываете* коммутирующим электронным лучом, к-рый формируется электронным прожектором, фокусируется на мишени системой электродов и фокусирующей катушкой и перемещается по мишени по строкам и кадру двумя парами отклоняющих катушек, создающих близкие к однородным поперечные магн. поля. Часть эл-нов луча, твм большая, чем больше накопленный на данном элементе плёнки заряд, оседает на мишени, нейтрализует этот заряд; другая же часть отражается, образуя обратный луч, состоящий из рассеянных эл-нов (отражённых от заряженных участков мишени) и эл-нов, зеркально отражённых от незаряженных участков. Весь обратный луч и каждая его составляющая промодулированы зарядами иа плёнке, а следовательно, несут сигналы изображения. В С. на вход ВЭУ попадают все эл-ны обратного луча (система разделения отсутствует). Токи обратного луча, несущне сигнал и усиленные ВЭУ в 10'—10* раз (в зависимости от числа каскадов усиления), снимаются с коллектора.
Осн. принципы построения С. (включая двухстороннюю Полупроводящую мишень) предложены в 1938 и описаны в 1945 сов. учёным Г. В. Брауде. Первый С разработан в 1946 в США А. Роуэом, П. Веймером и X. Лоу. До 70-х гг. С.— одна из наиболее распространенных передающих телевиэ- трубок. Нек-рые С. (предназначенные для высококачеств. передач из телестудий) обеспечивают отношение сигнал-шум до 100 и выше при освещённости фотокатода 0,1—1,0 лк. Другие, наиболее высокочувствит. С, работоспособны почти в полной темноте (при освещённости фотокатода 10 '—10 в лк). Осн. недостатки С.
по сравнению с ЭЛП др. классов — большие габаритные размеры, масса, мощность источников питания; по сравнению с др. ЭЛП класса С- (нэоконом и антииэоконом) — высокий уровень шумов, узкий динамич. диапазон, малая контрастная чувствительность. С развитием цветного телевидения С. практически вытеснены внднконамн (гл. обр. плюмбнконами, сатнконамн).
СУПЕРКРЕМНИКОН (от супер... и крем никои), передающий электронно-лучевой прибор (разновидность суперви-дикона) с кремниевой мишенью, имеющей д и одно-мозаичную структуру. В С. оптич. изображение преобразуется фотокатодом в поток фотоэлектронов, ускоряемых до 3—10 кВ н фокусируемых на мишени прибора. При бомбардировке фотоэлектронами поверхности мишени в Si происходит генерация электронно-дырочных пар, что обеспечивает усиление сигнала мишени в 800—2000 раз в зависимости от величины ускоряющего напряжения. Видеосигнал считывается с диодно-моэаичной мишени сканирующим электронным лучом, как в кремниконе. С- отличается высокой чувствительностью и малой инерционностью, устойчив к внвш. воздействиям (климвтич., механич. и др.). Диапазон рабочих освещённостей С. с использованием автоматич. регулировки усиления мишени путем изменения ускоряющего напряжения лежит в пределах 1 • 10~ — 1 пк.
С. широко применяются в системах космич., пром. и науч. телевидения; в вещат. телевидении не получили распространения из-за высоких питающих напряжений и значительных габаритных размеров.
СУПЕРВИДИКОН (от супер... и виднкон), передающий электронно-лучевой прибор с накоплением заряда, переносом изображения с фотоквтода на мишень и коммутацией (считыванием изображения с мишени) медленными эл-нами. Впервые описан в нач. 60-х гг. 20 в. (Б. Гетце, США). Отличается высокими светотехн. параметрами — весьма малой инерционностью и высокой чувствительностью. Конструктивно состоит из трёх оси. узлов: секции переноса электронного изображения, узла мишени и секции считывания (рис.). Секция переноса изображения обычно представляет собой двух- нли трёхэлектродную систему с электростатич. фокусировкой: сферич. полупрозрачный фотокатод, подфокусирующий электрод и ускоряющий электрод в виде цилиндрич. анода с диафрагмой. Иногда в С- используют двухэлектродные системы переноса изображения с эл.-магн. фокусировкой. В качестве входного окна С. используется плоско-вогнутая волоконно-оптич. планшайба (ВОП). Коэф. преобразования электронного изображения в секции переноса лежит в диапазоне 0,64—1,0.
Узел мишени, определяющий выходные параметры С, позволяет не только накапливать электрич- заряд, ио и усиливать его в 100—2000 раз практически без внесения дополнит шумов. Наиболее широкое применение получили мишени с вторично-электронной проводимостью (ВЭП) и диодно-мозаичные (ДМ) кремниевые мишени. В зависимости от типа используемой мишени С. делятся на секоны (ВЭП мишень) и суперкремниконы (ДМ мишень). Конструкция секции считывания С. полностью аналогична конструкции электронно-оптич. системы видикона.
По принципу действия С. близок к видикону. На фотокатод трубки проецируется световое изображение наблюдаемого объекта. Фотоэлектроны, эмитируемые с фотокатода под действием падающего света, ускоряются в секции переносе до 5—10 кэВ и фокусируются на мишени. В результате процессов, происходящих в объёме мишени под воздействием электронной бомбардировки, на коммутируемой поверхности мишени образуется потенциальный рельеф, соответствующий распределению освещённости в изображении объекта на фотокатоде. Полученное электронное изображение считывается электронным лучом. В С. используется, как правило, многощелочной фотокатод с максимумом спектральной чувствительности в области 440—500 нм. Темновой ток обычно не превышает неск. иА. Наличие на входе С. ВОП обеспечивает простое и надёжное сочленение его с усилителем яркости изображения, что увеличивает чувствительность прибора в 80—100 раз. С. находят широкое применение в системах космич., пром. и науч. телевидения.
СТОЯЧИЕ ВОЛНЫ, колебания (эл.-магн., упругие и т. д.) в среде (однородной или с периодич. структурой), линии передачи, резонаторе, к-рые можно рассматривать как результат интерференции двух бегущих волн с одинаковыми амплитудами и длинами волн, распространяющимися во взаимно противоположных направлениях. Амплитуде А колебаний С. в. в данной точке определяется разностью фаз Д<р бегущих волн. Точки, где А=0(Д<т/ л), наз. узлами Св., точки с макс, значением А (\у=0)—пучностями. В отличие от бегущей волны в С. в. не происходит переноса энергии; она колеблется лишь в пределах, ограниченных соседними узлом и пучностью. Чисто С. в. могут устанавливаться только в отсутствие затухания в среде и при полном отражении от границ. В частности, • линии передачи режим С. в. нмеет место, когда нагрузка полностью отражает поступающую к ней эл.-магн. энергию. При неполном отражении в линии устанавливается режим, при к-ром результирующее возмущение можно представить как сумму стоячей и бегущей волн; степень приближения к режиму С. в. в этом случае характеризуется коэффициентом стоячей волны, численно равным отношению амплитуд напряженностеи электрич. (или магн.) поля в точках линии, соответствующих пучностям и узлам стоячей волны.
СТЕКЛООБРАЗНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК, полу-проводниковое с тек по, аморфный полупроводниковый материал, получаемый переохлаждением расплава. По хим. составу С. п. делятся на элементарные, х а ль ко- генидные, оксидные, оксихалькогенидные, ПП стёкла нв основе соединений элементов II, IV и V групп периодич. системы (соединений типа А В Cj), органохалькогенид-ные (см. табл.). В отличие от крист. полупроводников С. п. характеризуются слабой зависимостью электрич. св-в от кол-ва примесей и низкой подвижностью носителей заряда р [напр., для халькогенидных С. п. р<0,1 cmj/(B-c), дпя оксидных iK.1,0 см /(В-с)]. С. п. представляет собой неупорядоченную систему преим. с ковалентной связью мвжду атомами. В С. п. е зависимости от нх состава и темп-ры действуют три механизма электропроводности, обусловленной термич. или оптич. возбуждением: 1) перенос носителей заряда по делокализ. состояниям в зоне проводимости и в валентной зоне; 2) прыжкоаая проводимость, обусловленная перемещениями носителей заряда между локалиэ. состояниями в «хвостах» зон, существование к-рых связано с отсутствием дальнего порядка в стеклообразном в-ве; 3) прыжки носителей заряда между локалиэ. состояниями, расположенными вблизи уровня Ферми. Если к С. п. приложить электрич. поле, то инжектированные под действием этого поля эл-ны и дырки будут захватываться присутствующими в С. п. положительно и отрицательно заряженными ловушками носителей заряда. Заполнение ловушек приводит к резкому увеличению времени жизни инжектир. носителей; оно становится достаточным для прохождения носителей скюэь всю толщу образца. При определённой напряженности электрич. поля, наэ- критической (пороговой), увеличение времени ^киэни носителей вызывает увеличение тока и уменьшение напряжения, т. е. пережод С. п. из высокоомного в низко-снмное проводящее состояние — его переключение. В халь-когенидных С. п. и стеклах типе А В Сэ электропроводность увеличивается с повышением содержания тяжёлых элементов, в оксидных — с увеличением концентрации оксидов переходного элемента е разных степенях окисление. С. п. обладают высокой радиац. стойкостью. Так, электрич. св-еа оксидных ванадиевых стёкол практически не изменяются под воздействием у-иэлучения дозой до 10" рад и нейтронного излучения до 4-Ю1 нейтронов .-см*.
Наиболее широко в электронике используются х а л ь-когенидные С. п.— бескислородные ПП стёкла, получаемые сплавлением халькогенов с элементами 111, IV, V и др. групп периодич. системы. Такие С. п., как правило, тверды, хрупки, не взаимодействуют с воздухом, водой, кислотами-неокислителями, растворяются в щелочах. Под действием электрич. поля при увеличении его напряженности выше определённой, наэ. пороговой, халькогенидные С. п. переходят из высокоомного состояния в низкоомное. Обратный переход при снятии электрич. поля в раз л. халькогенид-нык С- п. происходит по-разному: структурно-стабильные С. п. (такие стёкла можно нагреть до расплавленного состояния и затем медленно охладить до стеклообразного) при напряжённости ниже пороговой непосредственно возвращаются из ниэкоомного в высокоомное состояние (пороговое переключение); в структурно-обратимых С. п. (такие стёкла кристаллизуются при нагревании, после расплавления их можно снова закалить до стеклообразного состояния) после снятия поля низкоомное состояние сохраняется вследствие образования в стекле крист. нитей, а высокоомное состояние их возвращают, пропуская через образец электрич. ток, к-рый расплавляет эти нити и восстанавливает исходное однородное стеклообразное состояние (переключение с памятью). Халькогенидные С. п. обладают внутр. фотоэффектом с обычной для большинства ПП инерционностью; фотопроводимость существенно зависит от интенсивности излучения, его спектрального сос-тввв, напряжённости электрич. поля в образце, темп-ры образца. Спектральное распределение фотопроводимости для большинства халькогенидных С. п. характеризуется максимумом в определённом интервале длин волн. Спектральная характеристика фотопроводимости обычно монотонно меняется с изменением состава, благодаря чему можно получать халькогенидные С. п., фоточувствительные в ближней ИК, видимой, УФ и рентгеновской областях спектра. Область пропускания оптич. излучения составляет 0,4—20 мкм; фотоэде может достигать 0,5—0,7 В. Халькогенидные С. п. обнаруживают и термоэлектрические явления; при темп-pax, близких к нормальной, термоэде составляет 0,7—2,0 мВ/К, энергия активации термозде лежит в пределах 0,21—1 эВ; проводимость, фиксируемая по
термоэде, относится, как правило, к дырочной. Получают халькогенидные С. п. в запаянных ампулах с последующими закалкой или медленным охлаждением. Применяются для изготовления пороговых переключателей и элементов памяти ИС репрограммируемых пост. ЗУ, используемых в системах электрич. записи и обработки информации, в качестве фоточувствит. среды для оптич. (в т. ч. голо-графич.) записи информации; на основе халькогенидных С. п. изготовляют мишени видиконов и рентгеновидиконов, фото-, электроно- и рентгенорезисты; в ИК технике они служат для приготовления оптич. стекла, световодов, в акустооптике — УЗ линий задержки, ИК модуляторов, дефлекторов, оптич. корреляторов; в радивцноиностойких датчиках темп-ры и давления.