ТОЛСТЫЕ ПЛЕНКИ, используемые в микроэлектронике твёрдые слои толщиной не менее Э—5 мкм. Эта граница является весьма условной, т. к. различие между Т. п. и гонкими плёнками определяется не столько толщиной, сколько технологией изготовления: Т. п. обычно получают из паст методом трафаретной печати (сеткографии) с последующей термообработкой (см. Толстоллёночиая технология). В состав паст для Т. п. входят функцион. материалы (порошки металле, стекла), определяющие электропроводность Т. п., а также органич. связующие в-ва. Функцион. материалы вводят в пасту в виде мелких ч-ц с макс, размером ие св. 5 мкм. Т. п. представляют собой гетерогенные иву л оря доменные системы, физ. (в частности, электрич.) св-ва к-рых сильно зависят от природы матрицы и наполнителя, распределения размеров и формы диспергированных ч-ц; поэтому теоретич. расчёт св-в Т. п. затруднителен.
По своему назначению Т. п. (и соответствующие пасты) подразделяются нв проводящие, реэистивные и изолирующие (диэлектрические). Проводящие Т. п. имеют поверхностное сопротивление 0,002—0,1 Ом/нв (ом на квадрат) в зависимости от состава пасты и толщины слоя. Помимо высокой проводимости проводящие Т. п. должны обладать хорошей адгезией с подложкой (обычно керамической), способностью к соединению посредством пайки, термокомпрессии или УЗ сверим; обеспечивать возможность нанесения тонких линий; быть технологически совместимыми с применяемыми резистивиыми и изолирующими пастами. Этим условиям удовлетворяют проводящие пасты на основе Pd — Au, Pt — Au, Pd — Ag, In. Реэистивные Т. п. имеют поверхностное сопротивление 10—Ю*' Ом/ив, темп-рный коэф. сопротивления ±(25—300)«Ю-* К"1 (в рабочем диапазоне темп-р от —55 до +125 "С). В качестве функцион. материалов для резистивных паст используют Au, Ag, Pt, а также оксиды и нитриды Та, Pd, Re и др. Доводка сопротивления Т. п. до номинала осуществляется путём лазерной подгонки (прорезания в резисторе щелей и пазов). Диэлектрические Т. п. используются для изоляции элементов ИС, а твкже в конденсаторах. Функцион. материалы — BaTiOj, стекло и др. Широкое использование Т. п. в совр. микроэлектронике для изготовления ИС малой и ср. степени интеграции обусловлено рядом преимуществ: простотой изготовления ИС; мвлой стоимостью и трудоёмкостью; непродолжительностью производств, цикла. Недостатки — большие размеры ИС, меньшая точность воспроизведения номинальных значений по сравнению с тонкими плёиквми. Для устранения этих недостатков разрабатываются новые трафаретные пасты, позволяющие осуществлять фотолитографии, обработку .
ТЕРМОПАРА, термочувствительный элемент в устройствах для измерения темп-ры, в различных аятоматизир. системах управления технологии, процессами; действие основано на эффекте Зеебека (см. Термоэлектрические явления). Состоит иэ двух последовательно соединённых пайкой или сваркой разнородных металлич. проводников или (реже) полупроводников (см. Термоэлемент). Если места соединений (контакты) электропроводящих элементов, образующих Т. (их часто называют термоэлектродами), находятся при разных темп-pax, то в цепи Т. возникает эдс (термоэдс), тем ббльшая, чем больше разность темп-р «горячего* и «холодного» контактов. В сочетании с электро-измерит. приборами (милливольтметром, потенциометром и др.) Т. образует термоэлектрич. термометр, шкала к-рого градуируется непосредственно К или градусах Цельсия. Измерит, прибор подключают либо к свободным концам термоэлектродов (рис., а), либо в разрыв одного из них (рис., б). При измерении темп-ры один иэ контактов Т. обязательно термостатируется (обычно при 273 К — с помощью тающего льда). Диапазон темп-р, измеряемых при помощи Т., зависит от материалов термоэлвктродов-Тан, напр., Т. с проводниками иэ золота (легированного железом) и меди или хромеля применяется для измерений темп-ры в диапазоне от 4 до 270 К, Т. иэ меди и константана — 70—800 К, хромеля н копеля — 220—900 К, хромеля и алюмеля — 220—1400 К, платинородия и платины— 250—1900 К, вольфрама и рения — 300—2800 К.
Эдс Т. с мвталлич. термоэлектродами обычно лежит в пределах 5—60 мВ; точность определения темп-ры составляет, как правило, нес к. К, а у нек-рых Т. достигает 0,01 К. Эдс Т с ПП термоэлектродами может достигать нвск. сотен мВ, однако такие Т. отличаются значит, нестабиль ность ю.
В зависимости от назначения Т. бывают: стационарные и переносные; с обыкновенной, вэрывобезопаской, влагонепроницаемой, герметичной оболочкой или без неё; в обыкновенном, вибротряскоустойчивом или ударопрочном исполнении.
ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ, проникновение микрочастицы сквозь потенциальный барьер в случае, когда ее полная энергия меньше высоты барьера. Т. э. — явление существенно квантовой природы, не имеющее аналога в классич. механике. Он интерпретируется иа основе неопределённости принципа (см. также Квантовая механика). Вследствие соотношения неопределенностей фиксация микрочастицы в пространств, области внутри барьера делает неопределённым её импульс. Поэтому имеется отличная от нуля вероятность обнаружить микрочастицу внутри запрещённой с точки эреиия классич. механики области. Соответственно появляется определенная вероятность прохождения ч-цы сквозь лотенц. барьер (ее туннелирования). Эта вероятность тем больше, чем меньше масса микрочастицы, чем уже лотенц. барьер и чем меньше разность между высотой потеиц. барьера и энергией ч-цы.
Т. э. лежит в основе мн. важных процессов в атомной и молекулярной физике, в физике атомного ядра, твёрдого тела и т. д. Примерами проявлений Т. э. могут служить аатоэлектрон на я эмиссия, явления в контактном слое на границе двух ПП (см. Контактные явления. Полупроводниковый переход). Т. э. лежит в основе работы туннельных диодов, туннельных транзисторов.
ТРИГГЕР (англ. trigger), спусковое устройство с двумя (бистабильный Т.), режа более (мультистабильные Т.) устойчивыми состояниями, в к-рых оно может находиться произвольно долго — до воздействия на него внеш. сигнала. Т. имеет два выхода: прямой (основной) и инверсный. Каждому состоянию-Т. соответствуют определённые сигналы на его выходах, отличающиеся своим уровнем: если на осн. выходе формируется сигнал высокого уровня, то на инверсном выходе—низкого, и наоборот. Наибольшее распространение получили электронные Т., выполненные на ЭВП, ПП приборах, ИС.
Перевод Т. из одного состояния в другое осуществляется обычно подачей внеш. управляющих сигналов либо поочерёдно на разныв входы (установочный, или раздельный, запуск), либо последовательно на один и тот же вход (счётный запуск). По характеру входных запускающих сигналов различают Т. с потенциальными, или статич., входами (прямым и инверсным) и с импульсными, или динамич. входами (также прямым и инверсным). Т. с потенц. входами реагируют на сигналы высокого уровня на прямом входе и низкого — на инверсном. Т. с динамич. входами переключаются от переладов (импульсов, изменения уровня) входных сигналов: положительного на прямом входе и отрицательного на инверсном. Т., собранные по симметричной схеме и обладающие равнозначными устойчивыми состояниями, наз. симметричными (рис.); существуют также несимметричные Т., напр. Т. Шмитта, к-рый переходит из одного состояния в другое по достижении входным сигналом нек-рого одного уровня (порога срабатывания), а в исходное состояние возвращается при уменьшении входного сигнала до нек-рого др. уровня. Важнейшие параметры Т.: быстродействие (макс, возможное число переключений в единицу времени); время срабатывания (время перехода из одного состояния в другое); уровни входных и выходных сигналов.
Т. является одним иэ наиболее универсальных элементов логич. и цифровых вычислит, устр-в, одному его состоянию можно присвоить значение «О», а другому — «1в и, следовательно, можно использовать Т. в качестве ячейки памяти для одноразрядного числа в двоичном счислении или как элемент информации, представленной в двоичном коде. Функцион. возможности и особенности работы Т. зависят от способа его запуска. Совр. Т., особенно используемые в логич. схемах ЭВМ, имеют неск типов входов: S — установка в «1»; R — установка в «О»; Т — счётный вход; V — разрешение записи информации; D — вход задержки; I и К — переключение соответственно из «О» в «1» и из «1» в «О» (от входов S и R отличаются допустимостью подачи «1» одновременно на оба входа); С — вход синхронизации. Обычно типы входов Т. отражаются в его названии. Наиболее распространены R5-, DV-, О- и IK-триггеры; как функционально и конструктивно законченные устр-ва в микроэлектроииом исполнении, они входят в состав большинства логич. ИС. Т. широко используются для построения регистров ЭВМ, счётчиков, формирователей импульсов, разл. переключателей.
ТРАНСФОРМАТОР (от лат. transformo—преобразую) электрический, статическое (не имеющее подвижных частей), эл.-магн. устройство, преобразующее перем. ток одного напряжения в перем. ток другого напряжения. В основе действия Т. лежит явление эл.-магн. индукции (собственно Т.) и лараметрич. эффект (ларатранс-форматоры). Т. содержит в качестве осн. элементов маг-нитолровод (сердечник) и расположенные на нём обмотки — первичную (ПО) и одну или неск. вторичных (ВО). Т. о., все обмотки Т. индуктивно связаны между собой. В ряде Т. вторичной обмоткой служит часть первич- ной обмотки, и наоборот; такие Т. иаэ. автотрансформаторами. Выводы ПО (вход Т.) подключают к источнику перем. напряжения, а выводы ВО (выход Т.) — к потребителю (нагрузке). Перем. ток в ПО приводит к появлению в магнитопроводе перем. магнитного потока, к-рый наводит в ВО эде взаимоиндукции. Отношение напряжений в первичной и вторичной обмотках равно отношению числа витков в них.
По функцион. признаку Т., используемые в радиотехнич. и радиоэлектронной аппаратуре (рис.), делятся на неск. оси. классов: силовые, или Т. питания (в т. ч. повышающие и понижающие евтевое напряжение, задающие напряжение в статич. преобразователях, усилительные и др.); импульсные, применяемые для преобразования импульсов электрич. тока или напряжения; измерительные (понижающие), предназначенные для измерения гл. обр. больших напряжений и токов; согласующие (в т. ч. межкесквдные, выходные и др.), служащие для согласования полных электрич. сопротивлений; радиочастот-н ы е, служащие для преобразования ВЧ напряжений. Импульсные Т. и Т. литания работают на частотах от 50 Гц до 2 МГц, радиочастотные Т. — на частотах до 300 МГц. Мощность Т. находится в диапазоне от сотых долей ВА до 6—10 кВА при выходных напряжениям от долей В до сотен кВ
Т. изготовляют с магнитолроводом из материалов с высокой маги, проницаемостью: электротехнич. стали (на частоты до 1 кГц), сплавов типа пермаллой (до 20 кГц), маг-ни то диэлектриков и ферритов (св. 20 кГц). Радиочастотные Т. иногда выполняют и без магнитопровода.
В радиоэлектронной аппаратуре наибольшее распространение получили герметизир. Т. (выполненные в пластмассовых корпусах либо покрытые лаками или компаундами); используются также Т. в бескорлусиом исполнении (напр., в блоках источников вторичного электролитания).
ТРАНСПОРТНАЯ СИСТЕМА предприятия электронной промышленности, комплекс техн. средств, предназнач. для погрузки, разгрузки, перемещения, распределения, установки и съёма материалов, заготовок, готовых изделий электронной техники и др. с целью обеспечения ритмичной работы осн. оборудования. Различают Г. с. межцеховые (для перемещения материалов и грузов между цехами н складами на территории предприятия), внутрицеховые (для перемещения заготовок и узлов обрабатываемых изделий между рабочими местами, участками, отделениями) и специализированные (для обслуживания одного или неск. технологич. агрегатов и являющиеся неотъемлемой частью этих агрегатов).
На предприятиях электронной лром-сти СССР основными являются внутрицеховые и слециализир. Т. с. — конвейеры, роторные линии, автоматич. манипуляторы и др. устр-ва Такие Т. с. по исполнению могут быть прямоточными или адресными. Прямоточная Т. с. передаёт изделия от одной рабочей позиции к другой в порядке выполнения технологич. операций; такие Т. с. относительно просты, обеспечивают жесткий ритм работы технологич. оборудования, определяемый продолжительностью самой длит, операции, что снижает производительность всего технологич. комплекса. Используются в лроиэ-ве типовых деталей и иа сборке массовых изделий, таких, как резисторы, конденсаторы, разъёмы. Адресная Т.е. может обслуживать технологич. оборудование независимо от очерёдности выполняемых технологич. операций; как правило, эти Т. с более сложны, однако они позволяют задействовать на продолжит, операциях неск. параллельно работающих технологич. установок, направляя очередное изделие каждый раз на свободную рабочую позицию. Применяется в произ-ве изделий с часто меняющейся номенклатурой, иалр. ИС, кинескопов. Адресная Т. с. способствует повышению производительности всего технологич. комплекса за счёт ускорения ритма его работы и, кроме того, сокращает число единиц используемого оборудования.
Управление Т. с. осуществляется вручную или автоматически. Прямоточные Т. с, как правило, функционируют в автоматич. режиме по жёстко заданной программе, заложенной в конструкции Т. с или задаваемой извне в устр-во управления. При ручном управлении режим работы прямоточной Т. с. задаётся либо диспетчером с пульта управ-ления, либо рабочими непосредственно со своего рабочего места. Управление адресными Т. с, особенно в миого-номенклатурном лроиз-ве, осуществляется при помощи встроенных в оборудование микропроцессоров или управляющей ЭВМ. От организации Т. с, её конструкции и чёткости функционирования во многом зависят ритмичность работы и производительность всего технологич. комплекса, технологич. дисциплина и в конечном счёте качество продукции.
ТРАНЗИСТОРНАЯ ЛОГИКА, совокупность способов
реализации логич. операций и др. преобразований дискретной информации посредством электронных устройств, выполненных в основном на биполярных или униполярных транзисторах. С кон. 60-х гг. устр-ва, реализующие Т. л., выполняются в виде цифровых интегральных схем (ЦИС).
В зависимости от способа включения транзисторов различают 3 подкласса ЦИС: I подкласс — ЦИС, реализованные на основе инверторов, в к-рых транзисторы включены по схеме с общим эмиттером; II подкласс — ЦИС, реализованные на основе переключателей тока, в к-рых переключающие транзисторы включены по схеме с общей базой; III подкласс — ЦИС на эмиттериых повторителях, в к-рых транзисторы включены по схеме с общим коллектором.
К I подклассу относятся ЦИС реэнсторно-транзис-торной логики (РТЛ), диодно-транзисторной логики (ДТЛ), транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ), транзисторно-транзисторной логики с диодами и транзисторами Шоттки (ТТЛШ) и интегральной инжекционной логики (И'Л).
ЦИС РТЛ не получили широкого распространения и радиоэлектронной аппаратуре из-за малого коэф. разветвления, низкой помехоустойчивости и невысокого быстродействия. ЦИС ДТЛ, имеющие высокую помехоустойчивость, применяются в технологич. автоматах с числовым программным управлением и в системах автоматики, не требующих высокого быстродействия. Наиболее широкое распространение получили ЦИС ТТЛ и ТТЛШ. Схемы И'Л относятся к разработкам кон. 70-х — нач. 80-х гг., на базе к-рых, как правило, реализуются ЦИС с ловыш. степенью интеграции, в т. ч. микропроцессорные комплекты интегральных схвм и ПП запоминающие устройства.
Ко II подклассу относятся ЦИС эмиггерно-связанной транзисторной логики (ЭСЛ), к-рые получили широкое распространение благодаря высокому быстродействию и повышенной нагрузочной способности.
ЦИС III подкласса на эмиттериых повторителях самостоятельно не применяются, а используются, как правило, в качестве выходных каскадов в ЦИС с ЭСЛ.
ТРАНЗИСТОР (от англ. transfer — переносить и резистор), электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) электрода, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрич. колебаний. Изобретён в 1948 амер. учёными У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. В СССР первые Т. былн разработаны в 1953 под рук. А. В. Красилова. Обычно выделяют два осн. класса Т.: полевые трензнсторы и биполярные транзисторы.
В полевых Т. (часто наз. униполярными) протекание тока через кристалл обусловлено носителями звряда только одного знака — электронами или дырквми. В биполярных Т. ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков. Т. классифицируется по типам и группам в зависимости от фиэ., эксплувтац. и др. параметров. В соответствии с макс, частотой генерирования различают низкочастотные (до Э мГц), высокочастотные (до 300 мГц) и сверхвысокочастотные (более 300 мГц) (см. СВЧ транзистор); по допустимой рассеиваемой мощности— маломощные (до 1,0 Вт) и мощные транзисторы (св. 1,0 Вт); по предельно допустимому напряжению (см. Высоковольтный транзистор); по шумовым ев-вам (см. Малошумящии транзистор); в соответствии с механизмом или условием переноса неосновных носителей звряда — дрейфовый транзистор, лавинный тремзис-тор, туннельный; с учётом области применения — Т. маломощные малошумящие (используются во входных цепях радиоэлектронных усилит, устр-в), импульсные, генераторные (в радиопередающих устр-вах), ключевые (в системах автоматич. регулирования), фото транзисторы (в устр-вах, преобразующих световые сигналы в электрические с одноврем. усилением последних). В качестве ПП материалов для изготовления Т. используют преим. кремний, германий и арсеиид галлия. В соответствии с техиологич. методами изготовления различают сплавные транзисторы, диффузионные транзисторы, конверсионные транзисторы, сплавно-диффузионные транзисторы, меза-транзисторы, элигаксиальные транзисторы, пленарные транзисторы, лланарно-эпитаксиальные транзисторы, ионно-легированные транзисторы и др. К осн. тежнологич. методам относятся: диффузия и ионное легирование—для получения р—-л-лереходов; нанесение металлов в вакууме— для получения омич. контактов и барьеров Шоттки; фото- и электронолитография — для создания электродов (см. Литография); раз л. методы получения диэлектрич. слоев на ПП для создания маскирующих покрытий и изоляции контактных площадок электродов ПП; хим., ионное и ллазмохим. травление; элитаксиальное выращивание слоев ПП (см. Элитаксия). Обычно изготовление Т. осуществляется формированием транзисторных структур на ПП пластине (на одной пластине размещается до 30 тыс. Т.). После разделения пластины на кристаллы (чипы) последние монтируют лайкой либо приклейкой в корпус или устанавливают непосредственно в устр-ва (гибридные ИС), приваривают проволочные выводы и затем герметизируют.
Маломощные кремниевые Т. представляют собой лланар-но-элитвксиальиые структуры с рабочей частотой до 6 ГГц. Козф. шума на частоте 1 ГГц— 1,5 дБ, на частоте 6 ГГц — 5 дБ. В диапазоне частот до 60 ГГц используют малошумя-щие полевые Т. на арсенидгаллиевых или гетероэпитаксиаль-ных структурах (Т. с высокой подвижностью вл-иов) с затвором на основе барьера Шоттки. Коэф. шума этих приборов достигает 0,3; 0,75 и 1 дБ hi частотах соответственно 4; 12 и 60 ГГц.
Мощные кремниевые Т. представляют собой л пан ар ныв, меза-лланарные или элитаксиальные структуры. Рабочий диапазон частот до 10 ГГц. В усилит, устр-вах KB диапазона частот (до 30 МГц) при напряжении источников литания 10—60 В и токах в иеск. десятков А их выходная ВЧ мощн. достигает 600 Вт. На частотах 1—5 ГГц кремниевые Т. имеют выходную мощн. 100—10 Вт в непрерывном режиме и значительно большие мощн. в импульсном. На частоте 10 ГГц макс, выходная мощн. 2 Вт. Высоковольтные ключевые Т. применяют при рабочих налряжвниях до 1,5—2 кВ и токах до неск. сотен А, при этом регулируемая мощн. составляет десятки кВт. Мощные Т. из CaAs используют в диапазоне частот 4—60 ГГц. Напряжение источника литания составляет 6—10 В. На частотах 4—14 ГГц выходная мощн. составляет 16—10 Вт для уэкололосных Т. с цвпями согласования и сложения мощн. неск. кристаллов, расположенных в одном корпусе. На частоте 30 ГГц макс, выходная мощн. 0,5 Вт, на частоте 60 ГГц — 0,1 Вт.
По сравнению с аппаратурой на радиолампах аналогичная по назначению аппаратура на ПП приборах, в т. ч. на Т., имеет в десятки и сотии раз меньшие размеры и массу, потребляет значительно меньшую электрич. мощн. и обладает более высокими надёжностью и долговечностью. Интенсивность отказов для Т. лежит пределах 10 — 10 ч . Площадь кристалла даже мощного Т. не превышает неск. мм', а размер электродов, напр. затвора полевого Т., составляет всего 0,2X50 мкм. Ограничения в применении Т. определяются допустимыми темп-рами (ок. 200° С для кристаллов Si и GaAs), а также чувствительностью к радиац. облучению.
Т. является оси. элементом совр. устр-в микроэлектроники. Дальнейшее развитие Т. в направлении увеличения рабочих частот связано с уменьшением времени взаимодействия управляющего или усиливаемого сигнала с потоком носителей заряда а ПП- Это может быть достигнуто дальнейшим уменьшением размеров электродов и увеличением скорости эл-нов в электрич. поле. Увеличенив выходной мощн. Т. достигается гл. обр. суммированием мощн. от неск. кристаллов. Ограничения выходной мощн. одного кристалла при низких частотах связаны с неоднородностью распределения тепловых и электрич. нагрузок по большому кристаллу, а при высоких частотах — с условием малости
кристалла по сравнению с длиной волны в ПП материале.
ТРАВЛЕНИЕ, растворение с последующим удалением части материала с поверхности твёрдых тел в технология, целях (для полирования, изменения формы, очистки от загрязнений и т. д.) и для выявления структуры материала (кристаллического). Соответственно различают технологич. и структурное Т.
В технологии электронного приборостроения используется гл. обр. технологич. Т. для обработки деталей ЭВП, подложек, ПП пластин, печатных плат и др. изделий из металла, ПП, стекла, пластмассы. По назначению технологич. Т. подразделяется на полирующее, локальное (или размерное) и селективное. Полирующее Т. применяют обычно для окончательной (финишной) доводки обрабатываемой поверхности; в результате устраняются дефекты, оставшиеся в приповерхностном слое после мехаиич. обработки изделия, поверхность изделия очищается от физических (пыль, волокна, следы абразива и органич. в-в, ч-цы стружки и т п.) и химических (окисные и сульфидные плёнки, окалина и пр.) загрязнений, для сглаживания микрорельефа и доведения толщины плоских деталей до заданной величины. Локальное Т. имеет целью удаление части в-ва с поверхности изделия на заданном участке (ограниченном, напр., краями маски) для получения определённого рисунка в маске или рельефе (напр., на поверхности ПП пластины при получении требуемой топологии ИС или электрич. схемы на печатной плвте) либо для придания отд. элементам изделия требуемых форм и размеров. Селективное Т. применяют в основном в пленарной технологии для создания требуемого рисунка ив ПП пластинах или многослойных структурах, а также в целях выявления структуры поверхности монокристаллов и характера структурных дефектов крист. материалов, обнаружения р—п-переходов и т. п.
В произ-ве ИЭТ распространены след. оси. способы Т.: кимич., электрохимич., ионно-плазменное, плазмохимиче-ское. Хим. Т. может проводиться в р-рах, парогазовой смеси и в расплавах, при этом обрабатываемый материал частично претерпевает хим изменения. Разновидностью хим. Т. - являются химико-механич. полирование, при к-ром продукты хим. реакций удаляются с обрабатываемой поверхности механич. способом, иапр. воздушным обдувом, и кимико-динвмич. полирование, при к-ром обрабатываемая деталь вращается в травителе, что способствует ускорению процессе обработки изделия. Наиболее распространенным травителем для ПП пластин из Si, Ge и соединений типа А В является смесь азотной и фтористоводородной кислот Электрохим. Т. осуществляется в системе внод — электролит — катод при пропускании электрич. тока. В этой системе анодом служит обрабатываемое изделие, а катодом — инертный по отношению к электролиту материал. В качестве трав и те л я при электрохим. Т. наиболее часто используется водный р-р хлорной кислоты. Хим. и электрохим. Т. позволяют получать качеств, поверхность монокрист. материалов. После хим. и электрохим. Т. необходима тщательная очистка обрабатываемой поверхности от продуктов реакций
Ионно-плазменное и плазмохимич. Т. — т. н. сухое травление— основаны на использовании компонентов низкотемп-рной газоразрядной плазмы — ионов, эл-нов, возбуждённых атомов и др. При ионно-плаэменном Т. в-во с обрабатываемой поверхности удаляется распылением в результате бомбардировки её ионами инертных газов с энергией 1—10 кэВ. Плазмохим. Т. происходит в среде низкотемп-рной плвзмы инертных газов (как правило, галогенсодержащих) с образованием летучих хим. соединений, к-рые удаляются из зоны обработки посредством принудит, вентиляции. По сравнению с хим. и электрохим. Т. сухое Т. обеспечивает более высокую разрешающую способность (для получения рельефной поверхности по заданной топологии с мин. боковым растравливанием); позволяет совмещать в единой технологич. установке последовательно выполняемые операции Т., удаления защитных масок и очистки поверхности подложки; легче поддаётся частичной и полной автоматизации. Кроме того, сухое Т. практически не загрязняет окружающую среду, т. к. использует значительно меньше, чем при обычном, жидкостном Т., рабочих газов и смесей.
ТОЧЕЧНЫИ ТРАНЗИСТОР, биполярный транзистор, в к-ром области эмиттера и коллектора расположены в одной плоскости под прижимными точечными контактами (между металлич. заострёнными проволочными электродами и поверхностью полупроводниковой пластины). Линейные размеры точечных контактов составляют неси, микрон, а расстояние между ними — порядка десятков микрон. В Т. т. переход неравновесных носителей заряда (дырок), инжектируемых эмиттером в базовую область, представляет собой дрейф зарядов в электрич. поле (создают напряжением порядка 1 В, приложенным между эмиттером и бвэой). При достаточной диффузионной длине дырок (порядка 10— см и более) значительная их часть «втягивается» в область коллектора под действием электрич. поля, создаваемого напряжением, приложенным между коллектором и базой (десятки В). При малых напряжениях на коллекторе (<5 В) Т. т. теряет работоспособность вследствие рекомбинации неосновных носителей заряда во всём объёме базы (в отличие от плоскостного транзисторе). Т. т. характеризуется дополнит, усилением по току вблизи коллекторного перехода, и-рое обусловлено увеличением концентрации эл-нов в базе вследствие захвата дырок электрич. полем коллектора (uZ>1) и как бы положительной обратной связью между цепями эмиттера и коллектора, к-рая при отсутствии во внеш. цепях токоограничивающих сопротивлений приводит к лавинному электрическому пробою.