РАДИОКЕРАМИКА, керамический материал, используемый в радиоэлектронной аппаратуре. В отличие от электрокерамики, применяется при сравнительно небольших напряжениях (до нес к. сотен В) и высоких частотах. В зависимости от назначения и электрич. св-в Р. делят на установочную и конденсаторную. Установочная Р. характеризуется след. параметрами: р< 12; тдЛ^Г0,002 при f 1 МГц и t— 20 °С; последний параметр мало зависит от темп-ры и частоты, что позволяет отнести такую Р. к ВЧ диэлектрич. материалам, хотя её можно применять и на низких частотах. Конденсаторная Р. изготовляется высокочастотном (?:>12, .дЛ^. 0,0006 при f=20 С и f=
I МГц) и низкочастотной (е>900, tgft=0,002—0,025 при г 20 С и f 1 кГц).
Для изготовления изделий из Р. (фнэико-хим. св-ва нек-рых из них представлены в табл.) наиболее широко применяются стеатитовая Р. — для каркасов катушек индуктивности, клемм, плат, осей перем. конденсаторов; форстеритовая Р. — для оснований плёночных резисторов, подложек гибридных ИС, стержней проволочных резисторов, внутриламповых изоляторов (на основе форстери-товой Р. обычно получают металлокерамич. спаи); глинозёмистая Р. — для подложек гибридных ИС и микромодулей, корпусов ИС, оснований плёночных резисторов1, деталей радиоламп; бериллиевая Р. (отличается высокой теплопроводностью, легко металлизируется и герметизируется) — для оснований и корпусов ИС, в т. ч. гибридных, корпусов электронных СВЧ приборов и ламп с высокой выходной мощностью; прозрачная корундовая Р. («по-ликор») — для плат микросхем и колб натриевых ламп высокого давления; конденсаторная Р. — для раз л. типов конденсаторов.
ПРОЦЕССОР (англ. processor, от process — обрабатывать), совокупность устройств ЭВМ, выполняющих функции по преобразованию информации. В зависимости от назначения различают: центральные П., функционально-ориентированные и проблемно-ориентированные П.
Центральный П., обычно наз. просто П., является ядром ЭВМ. Помимо преобразования информации в ходе выполнения заданной программы он управляет всем вычислит процессом и координирует действия др. устр-в ЭВМ. В состав П. входят: центр, устр-во управления, арифметико-логич. устр-во, устр-во управления оперативной памятью, иногда также собственно оперативная память и каналы ввода — вывода, независимо от того, выполнены они как отд. устр-ва или частично используют оборудование осн. устр-в.
Центр, устр-во управления определяет последовательность выборки команд и информации из оперативной памяти, осуществляет дешифрацию команд и вырабатывает управляющие сигналы, координирует работу устр-в ЭВМ, обрабатывает сигналы прерывания программ, обеспег чивает защиту памяти, контролирует и диагностирует работу всего П. В арифметико-логич. устр-ве осуществляются арифметич. и логич. преобразования информации. Устр-во управления оперативной памятью обеспечивает обмен информацией между оперативным запоминающим устр-вом и др. устр-вами П. Для согласования скорости работы оперативной памяти со скоростью работы арифметико-логич. устр-ва используется буферная память — сверхоперативное запоминающее устр-во небольшой ёмкости, но с более высоким, чем у оперативной памяти, быстродействием. Важнейшей характеристикой П. является его производительность — ср. число команд, выполняемых в ед. времени; определяется прежде всего быстродействием элементов и структурой П.
К функционально-ориентированным П. относятся П. ввода — вывода данных, баз данных, сервисный П. и т. д. П. ввода — вывода обеспечивает связь центр. П. с периферийными устр-вами и выполняет ф-ции по преобразованию вводимой и выводимой информации. Осн. характеристикой П. ввода — вывода является пропускная способность — кол-во передаваемой информации в байтах в ед. времени. П. баз данных выполняет ф-цию управления и преобразования больших массивов информации, хранящейся во внеш. памяти ЭВМ. Сервисный П. выполняет роль пульта управления ЭВМ. Проблемно-ориентированные П. предназна-
чены для повышения (относительно центр. П.) скорости обработки нек-рык классов задач (решение дифференц. уравнений, задач теории поля и т. д.) или отд. процедур операц. системы. Как правило, проблемно-ориентир. П. являются дополнит, специализир. П., к-рые подсоединяются к осн. ЭВМ как внеш. устр-во через интерфейс канала ввода — вывода или непосредственно в качестве одного из операц. ресурсов.
Элементная база П., её конструктивно- техно логич., логич. и фиэ. параметры существенно определяют техиико-экономнч. и эксплуатац. характеристики ЭВМ в целом. ЭВМ первых трех поколений использовали в качестве элементной базы лампы, дискретные ПП приборы и ИС ср. степени интеграции Дальнейшее совершенствование и переход к последующим поколениям ЭВМ связаны с широким применением микропроцессоров.
ПРЕЦЕССИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ (от поэднелат. ргаесеню — движение впереди, предшествование), вращат. движение постоянного по величине вектора намагниченности I среды, при к-ром он описывает конич. поверхность вокруг равновесного положения (оси прецессии), определяемого внеш. пост. магн. полем и внутр. полями этой среды. П. н. возникает вследствие гиромагн. св-в элементарных маги, моментов атомов в-ва- Понятие П. н. используется при классич. рассмотрении дииамич. магн. восприимчивости магнитоупорядочениых сред. В таких в-вах постоянство вектора } по величине обычно поддерживается с большой степенью точности благодаря сильному обменному взаимодействию, что и позволяет рассматривать движвнив 1 как прецессию. Собственная П, н. обусловлена моментом силы JX.H , где Не—эффективное пост. магн. поле, в к-ром происходит П. и. В общем случае конус П. н. обладает эллиптичностью, что связано с влиянием поля кристаллографич. анизотропии и размагничивающих полей. Без учёта затухания в изотропной бесконечной среде или в сферич. образце конус П. н. является круговым. Учёт затухания П и. приводит к движению конца вектора по скручивающейся спирали (рис.). Собств. частота однородной П. н. определяется величиной и ориентацией внеш. пост. магн. поля, кристаллографич. анизотропии среды и формой образца. При наложении перем. магн. поля Н на постоянное Ни возможна вынужденная П. н. Механизм возбуждения вынужденной П. н. может быть линейным и параметрическим. Линейное возбуждение осуществляется компонентами Н^ перем. маги, поля, перпендикулярными к Н>- При балансе поглощённой и рассеиваемой мощности устанавливается вынужденная регулярная П. н. с частотой возбуждающего поля. Её поляризация и эллиптичность помимо указанных выше факторов определяется также поляризацией и частотой поля Н. При совпадении частоты возбуждающего поля с частотой собств. П. н. имеет место ферромагнитный резонанс. Параметрич. возбуждение возможно полем Нц, параллельным Ни при условии, что собств. П. н. является эллиптической, т. к. при этом проекция J на направление Н. является перем. величиной.
С П. н. связан целый ряд явлении в магнитоупорядочениых средах, широко используемых в технике СВЧ (возбуждение спиновых волн, разнообразные нелинейные
явления И Др.).
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КВАНТОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, квантовый усилитель зл.-магн. колебаний оптич. диапазона длин волн, в к-ром активной средой служит крист. полупроводник. Различают П. к. у. с электронной нли оптической накачкой (рис., а), в к-рых активная среда, выполненная на основе ПП гетероструктуры либо ПП монокристалла, возбуждается электронным или оптич. пучком, и инжекционные квантовые усилители (рис., б), в к-рых накачка осуществляется в результате пропускания инжекционного тока в ПП структуре с электронно-дырочным переходом (р—п-переходом). По конструкции и технологии изготовления П. к. у. аналогичны полупроводниковым лазерам соответствующих типов, с той лишь разницей, что в П. к. у. устранена обратная связь по излучению, напр. за счёт просветления входной и выходной граней кристалла. К гл. достоинствам П. к. у. относятся малая инерционность (-^10 с), миниатюрность (~~500Х 200 мкм~), высокий коэф. усиления ("~ 10*), малая потребляемая мощность ( -^ 100 мВт). Его чувствительность ограничивается уровнем собств. спонтанных шумов, определяемых по формуле: \РШ 2xhv\v, где hv — энергия кванта излучения, \х — спектральная полоса усиления, к — безразмерный коэф., зависящий от волноводных св-в усиливающей среды. Высокая чувствительность реализуется в П. к. у. при уэкополосном входном сигнале и спектральной селекции спонтанных шумов на выходе усилителя. Напр., ДРШ—2,4*10~ ' Вт при hv—1,5 зВ, \v 10n Гц и к—2. Из П. к. у. наиболее перспективны инжекц. квантовые усилители ввиду простоты их конструкции и устр-в электрич. питания. Они применяются в системах высокоинформативной волоконно-оптич. связи, оптич. гетеродинирования и др., перспективны для использования в волоконно-оптнч. интерферометрич. датчиках. При практич. использовании инжекциоиных квантовых усилителей возникают трудности эффективного ввода усиливаемого сигнала в активную область нз-эа её малых размеров.
ПОДЛОЖКА, конструктивная основа (напр., в виде пластины прямоугольной, овальной илн иной формы) для механически непрочных устройств. В электронике П. используют гл. обр. для создания плёночных ИС, тонкопленочных резисторов и конденсаторов, запоминающих элементов на тонких магн. плёнках, полосковых линий, фотошаблонов, нек-рых криоэлектронных приборов, печатных схем и т. д. Изготовляют П. из диэлектрнч. материалов (ситаллов, стекла, сапфира, керамики, слюды, стеклотекстолита и др.; иногда применяют металлнч. П., покрытые стеклоэмалью), ПП материалов (Si, Се, GaAs, AlP, ZnS, CdSe и др.), металлов (напр., бери л лиевой и медно-бери л лиевой бронзы). Пленки и плёночные элементы микросхем наносят на П. методами тонкопленочной нли толстопленочной технологии. Т. к. св-ва тонких плёнок в значит, мере зависят от физ. и хим. св-в П. и состояния её ловерхности (напр., дизлектрич. пленки особенно чувствительны к дефектам приповерхностного слоя; адгезия пленки к П. зввисит от чистоты её ловерхности; шероховатость поверхности П. заметно сказывается иа качестве резнстнвных плёнок, их уд. электрнч. сопротивлении), то рабочую поверхность П. перед нанесением на неё плёнок подвергают спец. обработке (полированию, очистке, травлению, легированию и т. п.). Осн. геометрии, параметры П.: размеры рабочей поверхности, толщина, прогиб, плоско параллельность поверхностей.