ЛАКИ (от ием. Lack), растворы плёнкообразующих веществ (обычно полимеров или олигомероа) в органич. растворителях или в воде. Нанесённые тонким слоем из р-ра на металлич., деревянную или иную поверхность Л. после высыхания образуют прочные и твёрдые однородные плёнки, хорошо сцепленные с поверхностью, на к-рую они нанесены.
В электронном приборостроении Л. используют для защиты ИЭТ от вредного влияния атмосферы (атмосферо-стойкие алкидные, полиуретановые, перхлорироааиные и др.), воды (водостойкие эпоксидные, полиаинипхло-рндные, полиуретвноаые), разл. химически агрессивных сред (химстойкие феноло-формальдегидные, кремний-органич. и др.), темп-ры (термостойкие глифталеаые, пентафталевые, кремнийоргвнич. Л. с добавлением 15% алюминиевый пудры а качестве наполнителя).
Большую группу Л. составляют электротехн., в основном электроизоляционные, Л. (пропиточные, покровные, клеящие), а также полупроводящие и магн. Л- Пропиточные Л. (напр., эпоксидные, полиэфирные, силиконовые, поли* имидные) используют для пропитки бумаги и ткани при изготовлении слоистых материалов для печатных плат и подложек, лакоткани для изоляции проводов и обмоток дросселей и трансформаторов. Покровные Л. (напр., эпоксидные, полиимидные, кремнийоргаиические, полиуре-таноаые) применяют для создания защитного покрытия на печатных платах и др. элементах электронных устр-e для защиты р—п-переходов. Защитные покрытия из алкидно-меламинных и силиконо-алкидных смоп используют перед монтажом деталей не печатной плате, когда
необходима устойчивость к действию припоя (в течение 10—20 с прн темп-ре 200 JC). Клеящие Л. (напр., полиуретановые, эпоксидные) применяют для склеи-евния твердых диэлектрич. и фольги р. мвтериалоа, металлич. листов в пакетах трансформаторов. Полупроводящие Л. (уд. поверхность электрич. сопротивления 10*—101 Ом/ка) с наполнителем а виде сажи или графита используют а произ-ве лакосажевых резисторов. Магнитный Л., содержащий до 40% "у-^егОз, наносят на осноау магн. лент. Л. используют также для получения плёнок поляроидов и светофильтров и др. Перспективно применение Л. на основе мономеров и о ли гомеров. В качестве Л. всё шире используют порошковые лакокрасочные материалы, их пигментир. формы — порошковые краски, аодораз-бваляемые и аоднодисперсионные краски.
КРИОГЕННЫЕ ТЕМПЕРАТУРЫ, температуры ниже 120 К (согласно рекомендации, принятой в 1971 13-м конгрессом Междунар. ин-та холода). К. т., лежащие в диапазоне 80—0,3 К, принято называть низкими температурами, ниже 0,3 К — сверхнизкими температурами.
Для поддержания К. т. в заданном объёме обычно используют сжиженные газы (криоагенты): кислород (темп-ра кипения 90 К), воздух (%80 К), азот (77,4 К), неон (21,1 К), водород (20,4 К), гелий (4,2 К) и др. Откачивая испаряющийся газ нэ герметиэир. объёма, можно уменьшить давление над жидкостью и тем самым понизить темп-ру её кипения Таким путём удаётся перекрыть диапазон К. т. от 120 К до 0,3 К. К. т. порядка 1 К удаётся получить рткачкой паров сверхтекучего 4Не, порядка 0,3 К — откачкой паров лёгкого изотопа 'Не. Для получения сверхнизких темп-р используют такие процессы, . как растворение Не в 4Не, аднабатич. размагничивание парамагн. солей, ядерное размагничивание.
Для измерения К. т. используют зависимость к.-л. стабильной характеристики в-ва (эпектрич. сопротивление, термоэдс, упругости паров, магн. восприимчивости и др.) от твмп-ры. В электронике рабочими термометрами обычно служат термометры сопротивления и термопары.
К т широко используются в физике, медицине и биологии, электротехнике и др. областях науки и техники.К. т. являются рабочими темп-рами всех криоэлектрои-ных приборов. В приёмно-усилительных криоэлектрон-ных системах с помощью К. т. удаётся существенно понизить уровень аппаратурных шумов.
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ МДП-ТРАНЗИСТОРЫ, два МДП-транзистора, изготовленных в одном кристалле полупроводника, один из к-рых имеет канал с проводимостью л-типа, а другой—р-типа. Отличит, особенностью К. МДП-т является противоположная полярность питающих и управляющих напряжений каждого транзистора, что обеспечивает в статич. режиме сочетание высокого быстродействия (сравнимого с быстродействием МДП-транзистора) и предельно малого потребляемого от источника питания тока. По конструктивно-технологич. особенностям К. МДП-т. являются Пленарными транзисторами. При изготовлении такиж транзисторов в исходной ПП пластине, напр. с проводимостью п-типа, создают МДП-тренэистор с проводимостью канала р-типа, в также область с проводимостью р-типа и более низким уровнем легирования («карман»). Второй МДП-транзистор с проводимостью канвла п-типа создают в этом «кармане». Вокруг каждого МДП-транзистора или группы транзисторов формируют т. н. охранные области с тем же типом проводимости, что и ПП область, в к-рой созданы эти транзисторы, но с более высоким уровнем легирования (рис. 1). Использование охранных областей позволяет устранить утечки тока и паразитные сввэи между МДП-транэисторами.
Наибольшее применение К. МДП-т. нашли в инверторах. Комплементарный инвертор (рис. 2) представляет собой два МДП-транэистора с иидуцир каналами, работающих в режиме обогащения Входом такого инвертора является объединённый затвор двух МДП-транзисторов, а выходом— объединённые стоки При подаче сигнала любой полярности на вход комплементарного инвертора один из МДП транзисторов всегда закрыт, что обусловливает мин. величину тока, потребляемого от источника питания (равен току нагрузки). К. МДП-т используют также для создания ПП запоминающих устр-в, электронных часов, калькуляторов и др.
СВЧ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, класс интегральных схем, выполняющих функции генерирования, усиления и преобразования эл.-магн. колебаний в диапазоне СВЧ, СВЧ ИС являются разновидностью аналоговых ИС; в ряде случаев СВЧ ИС выполняют специфич. ф-ции, характерные для элементов лриёмо-лередающей СВЧ аппаратуры, в т. ч. такие виды преобразования СВЧ сигналов, как детек-тироввние, модуляция, изменение фазы, преобразование частоты, деление и суммирование мощности.
В отличие от др. классов ИС, степень интеграции СВЧ ИС невелика — не свыше неск. десятков элементов нв подложку (или кристалл), но кол-во раэл. типов элементов, используемых в одной СВЧ ИС, обычно больше, а требования к точности их изготовления выше. Кроме того, связь между электрич. параметрами СВЧ ИС и параметрами её элементов, как правило, оказывается более сложной, чем в ИС др. классов. Поэтому при проектировании СВЧ ИС широко используют ЭВМ (см. Автоматизация проектирования изделий электронной техники).
Конструктивно СВЧ ИС отличаются от ИС др. классов тем, что в СВЧ ИС используются линии передачи. В основном это линии с двумерной (плоскостной) конфигурвцией электродов. Чаще всего линиями передачи служат микро-полосковые линии, представляющие собой систему из узкого и широкого метвллич. электродов, расположенных на противоположных сторонах тонкой (десятые доли мм) изолирующей подложки. Кроме микрополосковых линий в СВЧ ИС применяют и др. типы двухпроводных линий, напр. компланарные волноводы, у к-рых и узкий (сигнальный), и широкий (заземлённый) проводники лежат в одной плоскости на поверхности изолирующей подложки. Волновое сопротивление входных и выходных линий передачи СВЧ ИС обычно равно 50 Ом. Все проводники линий передачи выполняют по тонкоплёночной (реже толстоплеиочной) технологии.
В зависимости от соотношения между линейными размерами элементов СВЧ ИС и рабочей длиной волны >, различают элементы с сосредоточенными и распределенными параметрами. Первые из них имеют размеры, пренебрежимо малые по сравнению с /. (менее 0,1 >.); к ним относятся ПП диоды, транзисторы, а в области сравнительно больших а — катушки индуктивности, конденсаторы и резисторы невысоких номиналов. Чаще всего такие элементы изготовляют на подложке СВЧ ИС по тонкоплёночной технологии. Катушки индуктивности и резисторы выполняют лреим. в виде меандров или плоских спиралей, конденсаторы — в виде гребёнок, встроенных одна в другую, или трехслойной структуры металл — диэлектрик — металл. В гибридных СВЧ ИС (СВЧ ГИС) используются также малогабаритные керамич. конденсаторы. Линейные размеры элементов с распределёнными параметрами сравнимы с >.. Обычно их строят на отрезках линий передачи длиной порядка 0,25 А, имеющих раэл. значения волнового сопротивления. Использование элементов с распределёнными параметрами характерно только для СВЧ ИС. Для уменьшения рабочей длины волны и, следовательно, уменьшения размеров СВЧ ИС в качестве подложек используют диэлектрики с высоким значением относит, диэлектрич. проницаемости (обычно св. 10; в СВЧ ГИС применяют диэлектрич. резонаторы с диэлектрич. проницаемостью до неск. сотен). Для элементов, обеспечивающих однонаправленное распространение эл.-маги. волны, в качестве подложек используют ферриты (в цирку ля торах и вентилях); для изготовления уэкополосных электрич. фильтров и высокодобротных резонаторов в ниж. части диапазона СВЧ (до 2 ГГц) применяют подложки из пьеэоэлектриков (в устр-вах, работающих на поверхностных акустических волнах).
Активными элементами СВЧ ИС служат: в ниж. части диапазона СВЧ — кремниевые и германиевые транзисторы (полевые и биполярные), на частотах св. 6 ГГц — лреим. полевые транзисторы с барьером Шоттки на основе CaAs. В СВЧ ГИС, применяемых в генераторах и мощных усилителях, часто используют лавинно-пролётные диоды. Из др. активных элементов СВЧ ИС применяются также р—i—л-ди-оды, Шоттки-диоды, варакторные диоды, диоды с накоплением заряда. В СВЧ ГИС ПП элементы изготовляются в бес корпус ном исполнении (напр., приборы с балочными или шариковыми объёмными выводами) или в спец. керамич. держателях. При этом особое внимание уделяется воспроизводимости входных и выходных полных сопротивлений и уменьшению паразитных влияний выводов элементов. Существенного уменьшения паразитных параметров добиваются в монолитных СВЧ ИС. Как правило, монолитные СВЧ ИС изготовляются на основе CaAs; роль диэлектрич. подложки в них выполняет CaAs, легированный Сг (уд. сопротивление подложки 10"—10е Ом -см), а активные элементы формируются в легированных донорами эпитаксиальных слоях или ионно-пегированных участках подложки. Использование доноров (а не акцепторов) для легирования областей активных элементов обусловлено высокими подвижностью и скоростью дрейфа эл-нов в ПП соединениях типа А В , что важно для обеспечения высокой рабочей частоты этих элементов. Для монолитных СВЧ ИС с рабочей частотой до 6 ГГц перспективны структуры типа «кремний на сапфире».
СВЧ ИС имеют те же преимущества перед устр-вами на дискретных компонентах, что и другие ИС. К специфич достоинствам СВЧ ИС Относится возможность создания сверх широкополосных (многооктавных) устр-в, работающих в диапазоне вплоть до сантиметровых волн, и широкополосных устр-в, работающих в KB части СВЧ диапазона. Расширение полосы частот достигается эа счёт уменьшения кол-ва оеактивных паразитных элементов, а также эа счёт применения элементов с сосредоточенными параметрами. Эти преимущества особенно сильно проявляются у монолитных СВЧ ИС.
Общий недостаток СВЧ ИС — трудность создания уэко-полосных устр-в из-за низкой добротности резонаторов, высоких потерь в тонкоплёночных линиях передачи и пассивных элементах.
Наибольшее распространение получили СВЧ ИС широкополосных усилителей, смесителей, переключателей приём — передача, фазовращателей, умножителей частоты, маломощных генераторов для гетеродинов, ферритовых интегральных устр-в (циркуляторов, вентилей), а также пассивные СВЧ ИС в микрополосковом исполнении, содержащие и элементы с сосредоточенными параметрами. Последние используются в качестве широкополосных многополюсников (фильтров, направленных ответвите лей и т. п.). В составе радиоэлектронных СВЧ систем отд. СВЧ ИС монтируются в общий корпус, имеющий герметичные разъёмы, согласованные по волновому сопротивлению с входными и выходными линиями передачи. Известны и сложные СВЧ ГИС, представляющие собой целое приёмопередающее устр-во.
РЕТРАНСЛЯТОР (от лат. re------приставка, здесь означающая воэобновпение, повторность действия, и translator, букв.— переносчик), радиотехническое устройство, искусств, электропроводящая среда или небесное тело, используемые как промежуточный пункт линии радиосвязи (радиорелейной, космической и др.). Активный Р. представляет собой приемно-neредеющую радиостанцию, к-рая принимает сигналы, усиливает их и передает далее, при этом для предотвращения связи между приемным и передающим устр-вами изменяют частоту ретранслируемых сигналов. Пассивный Р-—отражатель (напр., зеркальная антенна, воздушный шар, облако ионизир. газа. Луна), рассеивающий радиоволны или направленно отражающий их. В качестве Р. на линиях сверхдальней радиосвязи используют специально для этого запускаемые искусств, спутники Земли, иапр. типа «Молниям или «Радуга» (СССР), обеспечивающие ретрансляцию телевиз. передач, двустороннюю многоканальную телефонную, телеграфную и фототелеграфную связи.
РЕЗОНАНС (франц. resonance, от лат. resono — звучу в ответ, откликаюсь), явление резкого увеличения амплитуды вынужденных колебаний в колебательной системе, когда частота периодич. воздействия на систему приближается к её резонансной частоте. В ходе раскачки колебат. системы без потерь под действием периодич. внеш. силы при Р. система получает эа период приращение энергии, пропорциональное амплитуде колебаний. В результате амплитуда колебаний изменяется от периода к периоду в арифметич. прогрессии — линейно. Однако в реальных условиях всегда существуют факторы, ограничивающие амплитуду колебаний. Это прежде всего диссипация энергии (трение) в системе, а также меточное совпадение частоты вынуждающей силы с резонансной частотой колебат. системы (т. н. расстройка частоты). График зависимости амплитуды колебаний от частоты внеш. силы наз. резонансной кривой. Ширина этой кривой тем уже, чем больше добротность колебат. системы.
В эл.-магн. колебат. системах, напр. в колебательном контуре, явление Р. однозначно связано с изменением комплексного входного сопротивления (или комплексной входной проводимости) колебат. системы при изменении частоты: вблизи Р. мнимая часть входного сопротивления либо резко возрастает (параллельный Р., или Р. напряжения), либо обращается в нуль (последовательный Р., или Р. тока). Поэтому в радиотехнике и электронике при исследовании Р. вместо амппитуд колебаний часто рассматривают комплексные входные сопротивления (или комплексные входные проводимости). Частоты, при к-рых амплитуды напряжений и токов достигают максимума или при к-рых мнимые части входных сопротивлений стремятся к нулю либо к бесконечности, могут несколько отличаться друг от друга. Более того, в колебат. системах со мн. степенями свободы максимумы амплитуд в разных элементах системы могут достигаться на слегка различающихся частотах. С этим связана неоднозначность понятия «резонансная частотам.
При достаточно большой амплитуде колебаний колебат. система становится нелинейной, её собств. колебания — несинусоидальными, а резонансная частота зависит от амплитуды колебаний. Вследствие зтого для Р. в нелинейной колебат. системе характерно изменение расстройки в ходе раскачки колебат системы. Зависимость стационарной амплитуды от частоты может оказаться этом случае неоднозначной; при перестройке частоты внеш. силы может иметь место скачкообразное изменение амплитуды колебаний, а конкретное значение амплитуды в области неоднозначности может зависеть от того, в какой последовательности перестраивалась частота внеш. силы при раскачке (гистерезис).
Одним из важнейших применений Р. является настройка радиоприёмника на частоту колебаний принимаемой радиостанции. В электронике Р. широко используется для выделения сигналов заданной частоты в электрич. фильтрах, усилителях, генераторах, измерителях частоты и др.
РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ АППАРАТУРА (РЭа), обобщённое название техн. средств для передачи, приёма, преобразования и обработки информации С использованием эл.-мвги. колебаний и электронных процессов в раэл. средах. Понятие РЭА условно охватывает все виды радиотехн. аппаратуры, приборы ИК техники, медицинской диагностики и т. п., использующие в качестве элементной базы изделия электронной техники. К РЭА также относятся: сложные радиоэлектронные системы (напр., автоматич. управления и контроля, радиоуправления, электросвязи); радиоэлектронные комплексы (напр., ЭВМ, радио локац. станции, радиотелескопы, радионавигац. аппаратура), функционально-автономные радиоэлектронные устр-ва (напр., телевиэ. приёмники в сочетании с антенной). Конструктивно РЭА состоит из блоков, субблоков и функциональных узлов (блоков питания, функциональных ячеек мнкросборок, регистров в ЭВМ, усилителей промежуточной частоты, детекторов, триггеров, логич. схем и т. п.). Ранее существовавший блочный метод конструирования РЭА с сер. 80-х гг. 20 в. почти полностью вытеснен функционально-узловым и модульным (см. Модуль). Тенденция ко всё более увеличивающейся сложности РЭА приводит к появлению изделий электронной техники со всё более высоким уровнем интеграции, к-рые нвчинают играть роль радиоэлектронных устр-в и блоков (напр., в одном кристалле создаются блоки процессоров и даже целых мини-ЭВМ).
В зависимости от применяемой элементной базы и методов конструирования РЭА принято подразделять на поколения (табл.): первое поколение — РЭА на ЭВП с использованием блочного метода конструирования; второе — РЭА на дискретных транзисторах, диодах и др. элементах с использованием функционально-узлового метода конструирования; третье — РЭА, получившая назв. микроэлектронной аппаратуры, конструируемой на корпусированныж интегральных схемах с малой и средней степенью интеграции, собираемых в виде модулей на печатных платах; четвёртов — микроэлектронная аппаратура на бескорпусных микросборках, БИС и СБИС в кристаллодержатвлях и на лентах-носителях нв крупноформатных подложках. Микроэлектронная аппаратура, составляющая основу совр. РЭА, отличается: малыми массой и габаритными размерами; малыми затратами материалов; высокой надежностью; пониж. потреблением электроэнергии; возможностью использования при её создании автоматизир. групповых методов изготовления.
Перспективным направлением совершенствования микро-электроннои аппаратуры является широкое внедрение сверхбыстродействующих БИС и микропроцессоров, позволяющих заменить «жёсткую» логику во многих цифровых устр-вах т н. программной логикой, т. е. использовать одни и те же конструкции для решения раэл. задач нв схемотехническими, а программными способами. Всё более широкое применение в микроэлектронной аппаратуре находят устр-ва функциональной электроники.