ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ, воздействие результатов к.-л. процесса на его протекание. Если при этом интенсивность процесса возрастает, то О- с. наз. положительной, а в противном случае — отрицательной. Положит. О. с. приводит к тому, что возникшее отклонение от стационарного состояния всё более увеличивается и ранее устойчивая система может стать неустойчивой. Отрицат. О. с. обеспечивает автоматич. поддержание регулируемых фиэ. характеристик системы на требуемом уровне. О. с. является одним из важнейших понятий кибернетики, особенно теории
аятомятич. управления и теории информации. Она присут ствует в замкнутых системах управления объектами различной фнз. природы (технических, биологических, экономических и Др).
Применительно к электронным приборам и устр-вам под О. с. понимают передачу сигналов с выхода прибора (устр-ва или его каскада) на вход этого же прибора (устр-ва, каскада). Электрич. цепь, по к-рой сигналы с выхода прибора попадают на его вход, наз. цепью О. с. Если О. с. осуществляется по подключённой к прибору дополнит, цепи, то она наз. внешней; если О. с. обусловливается физ. явлениями или процессами в самом приборе, то она наз. внутренней. Внеш. О. с, возникшая в приборе непреднамеренно, иаз. паразитной. По способу подключения цепи внеш. О. с к входу и выходу электронного устр-ва различают последовательную, параллельную, смешанную (комбинированную) О. с. по входу, если цепь О. с. подключается к источнику сигнала последовательно-параллельно. Различают также О. с. по напряжению и по току, если напряжение или ток на входе цепн О. с. пропорциональны соответственно напряжению на нагрузочном сопротивлении (рис., б, г) или току в нём (рис., а, в), и смешанную О. с. по входу если цепь О. с. подключается к нагрузочному сопротивлению последовательно-параллельно (рис., д). Нередко в одном устр-ве применяют одновременно неск. цепей О. с. раэл. типа, чтобы получить требуемые характеристики и режим работы данного устр-ва.
МОЛЕКУЛЯРНЫЙ ГЕНЕРАТОР, квантовый генератор, в к-ром активной средой является молекулярный газ. Первый М. г, излучающий на длине волны 1,24 см эв счёт квантовых переходов молекул аммиака, создан в 1955 сов. учёными Н. Г. Басовым и А. М. Прохоровым н независимо Ч. Таунсом с сотрудниками (США). Пучок молекул аммиака (рис.) поступает из источника в вакуумную камеру, где он проходит сквозь сортирующую систему (обычно, квадрупольныи конденсатор), пропускающую в объемный реэонвтор только молекулы, находящиеся на верхних инверсионных энергетич. уровнях. Часть этих молекул во время пролёта через резонатор успевает совершить акт вынужденного испускания. Стационарный режим генерации М. г. определяется интенсивностью пучкв молекул и процессом насыщения, приводящим к тому, что внутри резонатора излучает ровно половина молекул. Мощность М. г. 10 *— 10~ Вт, стабильность частоты ~10— , монохроматичность достигает 10~ . М. г. применяют гл. обр. в устр-вах радиоспектроскопии в диапазоне сантиметровых и миллиметровых волн.
МИКРОСБОРКА, функциональный узел или блок радиоэлектронной аппаратуры в микроминиатюрном исполнении, реализующий, как правило, частную целевую функцию (ивпр., генерирование либо усиление электрич. колебаний определённого вида). Представляет собой конструктивно законченное изделие частного применения типа гибридной интегральной микросхемы, обычно содержит бескорпусные ИС, миниатюрные дискретные электро- и радиокомпоненты (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и др.), размещённые на одно- или многослойной коммутац. плате (подложке). По степени насыщенности элементами и функциональной сложности М. обычно соответствует большой интегральной схеме. Использование М. в микроэлектронной аппаратуре позволяет уменьшить её объём в 5—6 раз, а массу в 3—4 раэв по сравнению с микроэлектронной аппаратурой на ИС широкого применения с использованием печатных плат.
В 80-х гг. 20 в. разработаны СВЧ М. на микрополоско-вых линиях, М. на бескорпусных линейных ИС и интегральных пьеэофильтрая для работы в диапазоне радиочастот, аналого-цифровые и цифро-вналоговые преобразователи нв бескорпусиых ИС — операционных усилителях и компараторах, микропроцессорные М. и др. (рис.).
МАРКИРОВКА электронных приборов (от нем markieren — отмечать ставить знак) ианесеиие на детали и корпуса приборов кодироввиных знаков (напр, цифр, букв, цветных полос, точек) обозначающих назначение прибора его номинальные параметры, класс точности, дату выпуске, товарный энвк завода-изготовителя и др
Осн. требованием, предъявляемым к М , является четкость нанесенных знвков и прочность на стирание Наиболее распространена М. с использоввиием лакокрасочных материалов, металлич изделия часто маркируют с помощью гравирования, клеймения, нвкатыввния М стеклянных изделий осуществляется вжигвнием, пластмассовых изделий — вдавливанием маркировочного штампа в момент формования изделия В настоящее время (нач 90-х гг ) все шире применяется М электрофиэ методами (с использоввиием ультразвука, лазерного луча и др ) При автоматизации про цессов изготовления ПП приборов и ИС маркировочные знаки используются для автоматич управления движением ПП пластин (подложек) по технологич циклу
МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, вещества, сочетающие маги, свойства со свойствами полупроводников. К М. п. относят нек-рые ферриты, хальногениды, оксиды 3d- и 4г~элементов. В более узком смысле М. п. называют в-ва, обладающие сравнительно высокой подвижностью носителей заряда (не менее 10 м/В-с): двойные халькоге-нмды ЗД-элементов (HgCr2X4, CdCr2X< и др., где X — Se, S), простые халькогениды и оксиды ^-редкоземельных элементов (EuO, EuS, EuSe и др.), нек-рые др. соединения, напр. CaCujMn<Oi2* Сильное взаимодействие подвижных носителей заряда с локализованными магн. моментами d- и f-оболочек приводит к ряду особенностей электрич. и оптич. св-в М. п., отсутствующих у немагн. ПП. Так, у ферромагн. ПП (EuO, EuS, CdCr^Se* и др.) при понижении темп-ры наблюдается гигантский (до 0,5 эВ) сдвиг в длинноволновую сторону края собств. оптич. поглощения и фотопроводимости. Кюри температура и констенты магнитной анизотропии М. п. обычно невелики (непр., для CdO^Se* они составляют соответственно примерно 130 К и 104— 10э Дж/м3). ПП св-ва (подвижность носителей заряда, зависимость уд. электропроводности от темп-ры), как и магн. анизотропия М. п., существенно зависят от концентрации примесей и стехиометрии в-ва.
На основе М. п. созданы ПП приборы с управлением магн. полями, напр. управляемые МДП-структуры, приборы, использующие гигантское (до 5-10" град/см) фарадеевское вращение плоскости поляризации в М. п. (см. Фараде я эффект), квантовые приёмники и элементы пемяти, работающие на принципе сильного фотомагнетиэма в М. п. (изменения их магн. св-в при освещении).
МАГНИТНАЯ АНИЗОТРОПИЯ, неодинаковость «ягн. свойств вещества (величины и ориентации намагниченности, магн. восприимчивости маги, энергии и др.) в разных направлениях. Обусловлена анизотропным характером магн. взаимодействия между ч-цами — носителями магнитного момента в в-вах. Важное практич. значение имеют М. а. в магнитоупорядоченных монокристаллах (ферро- н ферри-магнитных), поликрист. и аморфных в-вах (в жидкостях М. а., как правило, не проявляется), М. а. в кристалле связана с упорядоченным расположением магн. моментов составляющих его ч-ц (атомов, молекул, ионов). Осн. причиной М. а. являются спин-орбитальное и спин-спиновое (диполь ное) взаимодействия ч-ц, обусловливающие, в частности, определенное направление намагниченности в кристалле. Энергия спин-орбитального взаимодействия зависит от направления спиновых моментов микрочастиц в-ва относительно их орбитальных моментов, ориентация к-рых определяется структурой кристалла. Энергия дипольного взаимодействия зависит от направления магн. моментов относительно прямой, их соединяющей, ориентация к-рой также зависит от структуры кристалла. Т. о., маги, энергия кристалзависит от направления магн. моментов в нем. Поэтому магн. моменты преим ориентируются в тех направлениях, к-рым соответствуют мин. значения энергии.
М. а. может быть естественной н наведённой. Естественная М. а.— характерное св-во кристаллов. В ферро-магн. кристаллах намагниченность стремится ориентироваться вдоль нек-рых его осей, к-рые наз. осями лёгкого намагничивания (ОЛН). Вдоль ОЛН легче всего (т. е. при наиболее слабых намагничивающих полях) достигается магнитное насыщение. Существуют ферромагн. кристаллы с одной ОЛН — одноосные ферромагнетики (к ним относится, напр., гексагональный Со) — и кристаллы с неск. ОЛН — многоосные ферромагнетики (Fe, Hi и др.). Направления, в к-рых труднее всего намагнитить ферромагн. кристалл до насыщения, наэ. осями трудного намагничивания. На рис. 1 изображены кривые намагничивания Fe, Ni и Со, измеренные вдоль раэл. кристаллографии. осей.