ДЕФЛЕКТРОН (от лат. deflecto — отклоняю и ...трон), электростатическая отклоняющая система с общим центром отклонения, положение к-рого не зависит от направления отклонённого электронного лучка. Д. совместно с фокусирующим соленоидом или с электроствтич. линзами применяется в ЭЛП со считыванием сигнала лучком медленных эл-нов, гл. обр. в видиконах. Д. создаёт однородное поперечное электростатическое поле, вращающееся вокруг продольной оси Д. под действием изменяющихся потенциалов на его электродах. В нач. 90-х гг. наибольшее распространение получили Д. с периодическим разложением электродов по длине (рис. 1) и многополюсные Д. с разложением электродов по азимутальному направлению (рис. 2). Четыре электрода Д., имеющие сложную конфигурацию, представляют собой тонкие металлич. покрытия, нанесённые иа внутр. поверхность горловины види-кона. Зазоры между электродами и внеш. контуры Д. получают методами фотолитографии, лазерного скрайбиро-вания или электроэрозии.
В видиконаж с полностью электростатическими фокусировкой и отклонением пучка Д. одновременно с ф-цией отклоняющей системы выполняет роль ср. электрода трёх-электродной линзы (см. Электростатическая линза). Наличие у Д. общего, стабильного по положению центра отклонения позволяет подводить отклонённый лучок под прямым углом к поверхности мишени ви дико на (орто-гоналиэироввть отклонённый пучок) путём совмещения фокуса коллимирующей линзы с центром отклонения Д.
В видиконах с магн. фокусировкой пучка для улучшения ортогонализации подхода отклонённого пучка к мишени и повышения чувствительности отклонения электроды Д. «закручивают» по его длине так, чтобы выходные участки электродов были повёрнуты в азимутальном направлении относительно входных участков на угол 20—30е. Применение Д. позволило значительно уменьшить потребляемую мощность виднконов, их габаритные размеры, повысить разрешающую СЛОСОбнОСТЬ Приборов.
ГОЛОГРАФИЯ (от грвч. h6los — весь, полный и ...графил), нвучно-техническое направление, занимающееся изучением методов записи, воспроизведения и преобразования волновых полей и созданием на их основе голо-графических устройств. Методы Г. позволяют эвписывать, воспроизводить и преобразовывать волновые поля разл. физ. природы: напр., эл.-магн. (видимого, ИК, радио и др. диапазонов), акустич., электронные волновые поля, что лежит в основе выделения оптич., акустич. Г., радиоголографии и др.
Оптич. Г. осн. нв использовании интерференции света для получения объёмного изображения объекте путём эаписи и восстановления волнового поля, рассеянного этим объектом. Запись волнового поля объекта осуществляется регистрацией интерференц. картины, к-рая образована волной, отражённой объектом при освещении его источником света (т. н. предметной волной), и когерентной с ней волной (т. н. опорной волной; рис. 1, а). Вос-ствновлеиие волнового поля объекта осуществляется дифракцией опорной волны нв интерференц. картине, зарегистрированной светочувствит. материвлом (рис. 1, б) (см. Оптические запоминающие среды).
Основы Г. заложены в 1946 Д. Габором (Великобритания); им же получены первые голограммы простейших объектов (напр., точечных). В 1962—63 амер. физики Э. Лейт и Ю. Упатниекс, применив в квчестве источника света лвзер, разработвли голография, схему с нвклоиным опорным пучком, а сов. физик Ю. Н. Демисюк получил объёмную (трёхслойную) голограмму (запись в трёхмерной среде). К 1965—66 созданы теоретич. и эксперим. основы Г. В последующие годы развитие Г. идёт гл. обр. по пути совершенствования её применений.
Голографич. метод получения объёмного изобрвжения объекте позволяет регистрировать ив светочувствит. материале не только интенсивность (как при фотографировании), но и фвэу световой волны. В результате взаимодействия опорной и предметной воли образуется система стоячих волн, максимумы и минимумы к-рых соответствуют зонам, в к-рых интерферирующие волны находятся соответственно в фазе и противофазе. Для точечного опорного источника О? и точечного объекта Oi поверхности максимумов и минимумов представляют собой систему гиперболоидов вращения, если опорный источник расположен на конечном расстоянии от объекта (рис. 2, в) или систему параболоидов вращения, если источник знвчительно удвлён от объекта («в бесконечность») (рис. 2, б). Светочувствит. материал, помещённый в любое место этого пространства, регистрирует распределение интерференц. поля плоскости регистрации. Получаемая после обработки светочувствит. материала голограмма представляет собой множество чередующихся тёмных и светлых полос, образующих пе-риодич. структуры (дифракц. решётки; рис. 3). Швг такой периодич. структуры (период дифракц. решётки) d свяэвн с длиной световой волны к и углом 26 между опорным и предметным лучвми соотношением d=X/2sin6. В зависимости от взаимного расположения объекта, источника света и регистрирующего светочувствит. материале рвзли-чают осн. схемы получения голограмм. В схеме Габорв опорный источник и объект расположены на оси голограммы, угол 2В близок к нулю и прострвнств. частоте периодич. структуры v (величина, обратная её периоду) минимальна. Полученная по этой схеме гологрвмма наз. также однолучевой, т. к. используется один пучок света, часть к-рого рассеивается объектом и образует предметную волиу, а др. часть — опорную волну. В схеме Лейте и Упатниекса когерентный наклонный опорный пучок света формируется отдельно (двуялучеввя голограмме). Для двухлучевых гологрвмм требуются светочувствит. мвтериалы с более высоким пространств, разрешением, чем для однолучевых. Если опорный и предметный пучки падают на светочувствит. слой с разных сторон (2В-180 ), то v мвксимальна и близка к 2/Х, а плоскости интерференц. максимумов располагаются вдоль поверхности материала в его толще. Эта схема была впервые предложена Денисюком. Поскольку при освещении такой голограммы, иапр. опорным пучком, восстановленная предметная волна рвспрострвияется навстречу освещающему пучку, твкие голограммы иногда наз. отражатель-нымн. Если толщине светочувствит. слоя 6 много больше расстояния между соседними плоскостями интерференц. максимумов d, то голограммы получаются объёмными. Если же звпись интерференц. картины происходит на поверхности слоя или 6^d, то — плоскими. Критерием перехода от двухмерных голограмм к трёхмерным является условие 6^t1,6d /к.
Для получения высококечеств. голограмм используются светочувствит. мвтериалы с достаточно высокой разрешающей способностью v. Наиболее рве прост рвнёииыми для Г. светочуяствит. материалами являются галогенсеребря-иые материалы, а также термопластики, яалькогеиидные фотохромные стёк л в, дизлектрич. и ПП кристаллы (до пуск вют миогократиое повторение цикле запись—- стирвиие), мвги. плёнки, жидкие кристаллы, фотополимеры и др.
Методы Г. позволяют получать объёмные изображения предметов (в т. ч. и цветные изображения), что используется в демонстрац. целях, при создании объёмных изо-брвжеиий произведений искусства, голографич. портретов (изобразительная Г.). Трёхмерные св-ва голографич. изобрвжений используются для исследования движущихся ч-ц (нвпр., квпель дождя или тумана), треков ядерных ч-ц и др. Объёмность изображения делает перспективным создание голографич. кино и телевидения. Широкое применение получили методы голографич. интерферометрии для изучения неоднородностей мвтеривлов (внутр. трещины, пустоты и др.), в т. ч. для исследования механич. деформаций. Методы Г. твкже используются для хранения и обработки информации. Информация об объекте, записанная в виде читерфереиц. структуры, однородно распределена на большой площвди, что обусловливвет высокую надёжность записи.
Методы Г. успешно используются для виэуализвции вкустич. полей (акустич. голография) и >л.-мвгн. полей в радиодиапазоне (радиоголография).
ГЕНЕРАТОР ИЗОБРАЖЕНИЙ, установка, предназначенная для получения увеличенного (в 5—10 раз) изображения топологии ИС на промежуточных фотооригиналах или непосредственно на полупроводниковых пластинах. В зависимости от принципа действия и конструкции различают Г. и. оптические и электронно-лучевые.
В оптич. Г. и. наиболее широко используется метод одиночного микрофотонабора, когда изображение создаваемого на стеклянной фотопластине промежуточного фотооригинала формируется последовательным проецированием и экспонированием наборных элементов (световых прямоугольников), размеры и взаимное расположение к-рых можно менять таким образом, чтобы в совокупности они образовывали нужный рисунок. Экспонирование наборных элементов осуществляется в оптико-механич. устр-ве , к-рое содержит источник света, конденсор, наборную диафрагму с двумя парами взаимно перпендикулярных подвижных заслонок (шторок), проекционный объектив и ко-ординв!ный стол. Наборным элементом является щель между шторками диафрагмы. Меняя автоматически размеры щели н поворачивая диафрагму вокруг оптич. оси объектива при соответствующем перемещении координатного стола, можно последовательным экспонированием световых прямоугольников набрать (как мозаику) практически любой требуемый рисунок. Помимо оптнко-механиц. устр-ва в состав Г. и. входит устр-во программного управления, обеспечивающее работу Г. и. в автоматич. режиме.
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР, транзистор, в
к-ром допустимое обратное напряжение коллекторного перекода (для биполярного транзистора) или перехода сток — канал (для полевого транзистора) не менее 200 В. По конструктив но-техно л огич, особенностям различают высоковольтные меэапланарные и пленарные транзисторы. В меэапланарных В. т. коллекторный переход или переход между стоком и каналом (т. н. высоковольтный переход, ВП) имеет мдеаструктуру. В качестве исходного ПП материала для изготовления В. т. используют в основном высокоомные «щвмокрист. Si и кремниевые эпитакснальные структуры с проводимостью п-типа. Допустимое обратное напряжение ВП ограничено, как правило, напряжением пробоя этого перехода на поверхности ПП, поскольку напряжение объёмною пробоя перехода существенно больше. Поверхностный пробой ВП для меэапланарных В. т. связан в основном с наличием подвижных зарядов на поверхности ПП пластины, а для планарных В. т.—еще и с искривлением границы перехода вблизи его выхода на поверхность. Чтобы повысить допустимое обратное напряжение ВП, исключают условия возникновения поверхностного пробоя за счёт значит, уменьшения электрич. поля у границы ВП на поверхности ПП. При изготовлении меэапланарных В. т., используя методы мехаиич. обработки или травления, уменьшают (угол пересечения границы ВП с поверхностью ПП пластины (создают «обратную фаску») и тем самым увеличивают ширину области пространств, заряда на её поверхности. В планарных В. т. высокое значение пробивного напряжения обеспечивают созданием расширенного метвл-лич. контакта, к-рый расположен над высокоомной частью ВП вблизи от выхода его границы на поверхность ПП пластины, или созданием глубокого диффузионного мрльца по периферии ВП, к-рое позволяет увеличить мин. радиус кривизны у выхода границы р—п-пере-хфда на поверхность ПП пластины. Однако наиболее эффективным методом повышения пробивного напряжения ВЛ (до напряжения объёмного пробоя) в планарных В. т. яеляется метод создания делит, колец, к-рый заключается в том, что на поверхности ПП пластины на определенном расстоянии от ВП одновременно с ним обязуют (диффузией) кольцевые переходы с аналогичным «определением примесей. Прн подаче напряжения на ВП, ласть пространств, заряда у его поверхности увеличивается до границы области пространств, заряда первого црльца, что ограничивает увеличение электрич. поля медеду переходом н кольцом и вызывает рост пространств, эдрлда с внеш. стороны первого кольца. Устанавливая стрЧ>го определённые расстояния между делит, кольцами, ограничивают напряжённость электрнч. поля на поверх-чфсти ПП пластины.
По функцион. назначению В. т. предназначены гл. обр. для работы в ключевом режиме, т. е. являются переключательными транзисторами. Мощные В. т. (см. Мощным транзистор) широко применяют в совр. бытовой и пром. электронике, и прежде всего в устр-вах отклонения электронного пучка, в импульсных модуляторах, в источниках вторичного электропитания, в электронных системах зажигания, в станках с числовым программным управле-фюм и др.
ОТРАВЛЕНИЕ КАТОДА, снижение (иногда полная потеря) эмиссии катода, обусловленное увеличением работы выхода электронов в результате взаимодействия материала эмитирующей поверхности с остаточными газами и парами в ЭВП. По хим. воздействию на катод газы и пары условно разделяют на отравляющие (О, О;, СО, COj, НО, F, S, Zn и др.), восстанавливающие (Н2, СН4) и инертные (N, A r, Ne, Кг, Не). Благоприятной средой для работы термоэлектронного катода (ТЭК) является атмосфера с преобладающим содержанием Нг. Для каждого сочетания катод — газ (или пар) существует критическое давление газа (пара) рмр, ниже к-рого О. к. не наступает. О. к быстро усиливается, если давление поднимается выше рм . Длв ТЭК критич. давление увеличивается с увеличением темп-ры катода. Устойчивость катода к отравлению характеризуется также его способностью к восстановлению эмиссии после устранения отравляющего фактора- Скорость и степень восстановления увеличиваются с уменьшением давление отравляющего газа или пара, а для ТЭК также с увеличением рабочей темп-ры При больших давлениях отравляющего газа (пара) и (или) низкой темп-ре ТЭК О. к может оказаться необратимым. В этом случае для полного или частичного восстановления эмиссии необходимо дополнит, активирование ТЭК при повыш темп-ре- Из всех ТЭК наименее устойчивы к отравлению катоды на основе соединений бария Почти для всех оксидных и метал лопористых катодов ркр кислорода составляет 10 —10 Па (при рабочей темп-ре 1000—1150 К для оксидных катодов и 1300—1450 К для металлопористых); значение ри СО? и СО соответственно на один и два порядка больше. Самым устойчивым к отравлению является катод из гекса-борида лантана. При рабочей темп-ре 1770—1920 К р кислорода (или воздуха) для него составляет примерно 10 2 Па-
Восстанавливающие газы могут оказывать благоприятное действие на работу катодов только при определенных условиях. Так, для оксидного катода при темп-ре 1070 К давление Н ие должно превышать — 10 Па, давление
СН«—6-10~3Па.
ОПТИЧЕСКИЙ ДИСК, носитель данных, предназначенный для записи и воспроизведения (или только для воспроизведения) информации с помощью сфокусированного лазерного излучения. По сравнению с традиц. способами записи и воспроизведения информации (механич., маги.) для оптической записи с использованием О. д. характерны след. принципиальные преимущества: высокая поверхностная плотность записи (до 10" бит • см~ ), обусловленная возможностью сфокусировать лазерное излучение в пятно диаметром ~>~1 мкм; отсутствие механич. контакта между носителем и считывающим устр-вом в процессе записи — воспроизведения, что обеспечивает высокую сохраняемость и долговечность носителя; малое время доступа к информации (~~0,1 с); возможность многоканальной параллельной обработки информации со скоростями до неск. сотен Мбит - с- . О. д. состоит из жёсткой (обычно оптически прозрачной) основы, ил к-рую нанесён тонкий рабочий (светочувствительный или отражающий) слой, а также дополнит, (адгезионные, защитные, интерференционные и др.) слои. Сигналы записываются на концентрич. или спиральные дорожки; в рабочем режиме луч лазера, сфокусированный на дорожку, перемещается вдоль радиуса вращающегося О. д.
Все существующие разновидности О. д. можно разделить на 3 оси. группы: О. д. с пост, сигиалограммой, предназначенные только для воспроизведения; О. д. для однократной записи, осуществляемой самим пользователем, и многократного воспроизведения полученной сигналограм-мы; реверсивные О. д., допускающие многократные запись и стирание сигналов.
О. д. с постоянной сигналограммой изготов* ляют методом штамповки или литья под давлением. Информацию сначала записывают с помощью сфокуснр. лазерного излучения иа светочувствит. слое диска-оригинала, с к-рого затем изготовляют металлич. матрицу, предназначенную для созданий дисков-копий (собственно О. д.). В исходном состоянии диск-оригинал представляет собой стеклянную подложку, покрытую слоем фоторезиста. При записи диск-орнгинал экспонируют сфокусированным лазерным излучением, модулированным по интенсивности в соответствии с записываемой информацией. После проявления на фоторезисте остаётся микрорельеф, глубина к-рого в каждой точке определяется интенсивностью лазерного излучения и, следовательно, величиной записанного сигнала. Обычно глубина микрорельефа не превышает 0,1—0,15 мкм. Полученную микрорельефную поверхность покрывают тонким слоем металла, после чего с диска-оригинала изготовляют металлич. матрицу. С помощью этой матрицы на прозрачной пластиковой основе диска-копии выдавливают микроскопич. углубпення (питы), затем сю поверхность диск» покрывают тонким слоем металла (обычно алюминия) и слоем пластика (служащим для механич. защиты метвллич. слоя). При воспроизведении (рис. 1) О. д.' освещают сфокусированным в плоскости металлич. слоя излучением маломощного лазера. Отражённый от О. д. свет направляют на фотоприёмник. Наличие углублений в металлич. слое вызывает модуляцию отраженного излучения (и, следовательно, сигнала в фотоприёмнике) в соответствии с пространств, структурой питов. Разработка О. д. с пост, сигналограммой началась в нач. 70-х гг. 20 в. в СССР, США, Японии и др. странах. Вскоре были созданы первые О. д. для звписи телевизионных программ — оптические видеодиски, иа к-рых телевиз. программы записывались в форме частотномодулированных сигналов. В нач. 60-х гг. в Японии и Нидерландах были разработаны О. д. с записью звуковых программ —- оптич. грампластинки (компакт-диски). Они отличаются от оптич. видеодисков меньшим диаметром (120 мм вместо 305 мм). Кроме того, информация на компакт-дисках записывается не в аналоговой, а в цифровой форме (см. Цифровая запись), что позволяет достичь очень высокого качества воспроизведения звуковых сигналов: отношение сигнал-шум достигает 90 дБ; нелинейные искажения не превышают 0,05%; полоса частот составляет 20—20000 Гц; детонация звука ниже обнаруживаемого предела.
На компакт-дисках записывают также текстовую, графич. или др. информацию в цифровой форме. Такие О. д. используют в устройствах пост. внеш. памяти персональных ЭВМ, в обучающих системах, для создания «электронных» изданий справочников, энциклопедий и др. Ёмкость компакт-диска — ок. 500 Мбайт, что эквивалентно более чем сотне книжных томов.
Упрощённая схема оптич. части лазерного проигрывателя для О. д. (видео- или компакт-дисков) приведена на рис. 2. Излучение миниатюрного ПП лазера фокусируется на О. д. С помощью четвертьволновой пластинки плоскость поляризации отражённого от О. д. света поворачивается на 90° относительно падающего. Оптич. расщепитель разделяет поляризованные лучи, направляя отражённый от О. д. свет иа фотоприёмиик.
В О. д. для однократной записи и многократного воспроизведения процесс записи связан с локальным нагревом рабочего слоя. В результате рабочий слой в зоне облучения необратимо изменяет свои оптич. характеристики (коэф. отражения, поглощения или преломления). По виду рабочего слоя и способу формирования питов различают три осн. типа О. д. с однократной записью. К первому типу (рис. 3, а) относят О- д., у к-рых рабочий слой представляет собой плёнку легкоплавкого материала (напр., теллура или его соединений) толщиной 0,03—0.06 мкм. При записи под воздействием лазерного излучения в таком слое происходит локальное расплавление или испарение в-ва с образованием воронки. Рабочий слой носителя О. д. второго типа (рис. 3, б) состоит иэ диэлектрич. плёнки с низкой темп-рой испарения, покрытой сверху слоем металла. При локальном нагреве диэлектрич. плёнка выделяет газы, к-рые образуют микроскопии, вздутия металлич. плёнки. В исходном состоянии структура слоев такова, что обеспечивает мин. отражение света от носителя. После облучения в зоне вздутия (пузырька) условие минимума отражения нарушается: облучённые участки отражают свет сильнее, чем соседние (необлучёиные). В О. д. третьего типа (рис. 3, в) используют переход рабочего слоя (обычно ПП) иэ крист. состояния в аморфное (или наоборот) без изменения форм поверхности. Фазовые переходы в таких рабочих слоях сопровождаются изменением оптич. св-в материала.
Выпускаемые с 19ВЭ О. д. с однократной записью имеют диаметр от 130 до 356 мм, ёмкость от 0,2 до 4 Гбайт (что эквивалентно ёмкости -—100 жёстких или «- 1000 гибких магн. дисков). Основу О. д. изготовляют обычно из стекла или полимерных материалов (полиметил-метакрилата, поликарбоната). Разработаны О. д. с двумя рабочими слоями (рис. 4). Прозрачные основы в таких О. д. выполняют также роль защитных покрытий. На внутр. поверхностях основ нвнесены профилированные канавки (с радиальным шагом 1,6 мкм), используемые для евтоматич. слежения за дорожкой О. д. (при смещении луча относительно центра дорожки или при его расфокусировке отражённый световой луч деформируется, установленный в ЗУ многоэлементный фотолриёмник регистрирует эти искажения н формирует соответствующие сигналы управления для сервосистем слежения). Выпускаемые ЗУ на О. д. с однократной цифровой записью используются в устр-вах внеш. памяти ЭВМ, системах хранения документов н др. Скорость обмена данными в таких ЗУ составляет 1—6 Мбайт • с~ ;_частота вращения О. д. лежит в диапазоне 4В0—1800 мин _: вероятность появления ошибок не превышает 10 —10 (при использовании систем коррекции); время доступа к информации лежит в пределах 0,1—0,5 с.
В реверсивных О. д. в качестве рабочих слоев используют либо тонкие плёнки ПП, либо аморфные магнито-оптич. плёнки. К материалам первого типа относятся ТеОж (х<г2), легированные Ge илн Sn, а также Sb2Sej, Bi — Те и др. При облучении коротким лазерным импульсом эти материалы переходят иэ крист. состояния в аморфное аналогично тому, как это происходит в О. д. с однократной записью (рис. 3, в). Стирание осуществляется более длит, нагревом (с помощью длит, лазерного импульсе или серии коротких импульсов). При этом материал возвращается в исходное крист. состояние. Кол-во циклов записи — стирания в таких О. д. может достигать 10е, отношение сигнал-шум "-50 дБ.
В магнитооптич. реверсивных дисках запись осуществляется термомагн. способом (рис. 5). Магн. плёнка, нанесённая на основу, имеет перпендикулярную к плоскости О. д. ось лёгкого намагничивания. В исходном состоянии плёнка обычно намагничена до насыщения. Движущийся носитель разогревают импульсным лазерным излучением. В зоне нагрева коэрцитивная сила плёнки резко уменьшается (термомагн. эффект) и разогретый участок пере-магничивеется под действием сравнительно слабого источника внеш. магн. поля. Необлучённые области при этом не изменяют своего состояния. Т. о., литы в магнитооптич. реверсивных О. д. представляют собой области обратной намагниченности. По конструкции магнитооптич. реверсивные О. д. аналогичны О. д. с однократной записью (рис. 4). Рабочие слои в иих представляют собой аморфные плёнки соединений редкоземельных элементов с переходными металлами (TbFe, GdCo, TeFeCo и др.) толщиной 0,02—0,1 мкм. Для предохранения от окисления аморфные плёнки покрывают защитными диэлектрич. слоями. Магнитооптич. реверсивные О. д. имеют диаметр от 50 до 305 мм, ёмкость от 0,01 до 2 Гбайт; они обеспечивают ив менее 10"—10 циклов записи — стирания и отношение сигнал-шум до 50—60 дБ. В ЗУ на магнитооптич. реверсивных О. д. (рис. 6) источником излучения обычно служит ПП лазер мощностью 10—30 мВт. При воспроизведении О. д. освещают немодулированным поляризованным излучением того же лазера, мощность к-рого уменьшают до 1—2 мВт. Отражённый от О. д. луч испытывает периодич. повороты плоскости поляризации на нек-рый угол, величина и направление к-poro зависят от намагниченности рабочего слоя (Керра эффект). Этот луч отклоняется расщепителем, проходит через поляроид-анализатор, превращаясь в амллитудно-модулированиый, а затем попадает на 2 фотодиода. В первом из ннх формируется информац. сигнал, во втором — сигналы для серво~ системы слежения. По быстродействию, скорости передачи данных и др. параметрам ЗУ на магнитооптич. реверсивных дисках аналогичны ЗУ на О. д. с однократной записью-В перспективе ЗУ на магнитооптич. реверсивных О. д. способны заменить накопители ЭВМ иа стационарных дисках винчестерского типа. Возможно использование таких О. д-в системах цифровой записи звуковых и видеосигналов. По уд. стоимости записанной информации О. д. имеют не к-рые преимущества перед магн. лентами и дисками. Сфера применений О. д. непрерывно расширяется. Техн совершенствование О. д. связано с повышением плотности записи за счёт использования носителей с нес к. рабочими слоями или одним рабочим слоем, позволяющим в общей пространств, области формировать неск. независимых литов (напр., путём спектрального разделения сигналов).